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NXH030F120M3F1PTG

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 110nC@ 18V 2.246nF@800V 100W (Tj) 38.5mΩ@ 30A,18V 38A 1.2KV 4.4V@15mA 1个N沟道 PIM-22 底座安装
供应商型号: 5556-NXH030F120M3F1PTG-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NXH030F120M3F1PTG

NXH030F120M3F1PTG概述


    产品简介


    NXH030F120M3F1PTG 模块
    NXH030F120M3F1PTG 是一款由 Semiconductors Components Industries, LLC(简称 onsemi)开发的功率模块,它包含了四个30 mΩ、1200 V 的 M3S SiC MOSFET,构成全桥拓扑结构,并集成了一个热敏电阻。该模块采用 F1 封装,适用于高效率和高可靠性的应用场合。

    技术参数


    - 基本电气特性:
    - 栅极-源极电压 (VGS): +22/-10 V
    - 漏-源极电压 (VDSS): 1200 V
    - 连续漏极电流 @ TC = 80°C (TJ = 175°C): ID 38 A
    - 脉冲漏极电流 (TJ = 175°C): IDpulse 115 A
    - 最大功率耗散 (TJ = 175°C): Ptot 100 W
    - 温度范围:
    - 存储温度范围 (Tstg): -40°C 至 150°C
    - 最小工作结温 (TJMIN): -40°C
    - 最大工作结温 (TJMAX): 175°C
    - 隔离特性:
    - 绝缘测试电压 (Vis): 4800 VRMS (1秒)
    - 爬电距离: 12.7 mm
    - CTI: 600
    - 基板陶瓷材料: Al2O3
    - 基板陶瓷材料厚度: 0.32 mm
    - 热阻抗:
    - 芯片到外壳热阻 (RthJC): 0.95 °C/W
    - 芯片到散热器热阻 (RthJH): 1.54 °C/W

    产品特点和优势


    1. 高效率: NXH030F120M3F1PTG 使用 SiC 技术,可以显著降低损耗,提高系统的整体效率。
    2. 可靠性高: 高额定温度和强大的绝缘能力确保了其在极端条件下的可靠性。
    3. 多种配置选项: 可选预涂导热界面材料(TIM) 和非预涂 TIM,可选焊接引脚和压接引脚,增加了灵活性和适应性。
    4. 绿色环保: 无铅、无卤素且符合 RoHS 标准,环保合规性高。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 太阳能逆变器
    - 不间断电源
    - 电动汽车充电站
    - 工业电源
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应特别注意散热设计,确保良好的散热效果,避免温度过高导致损坏。
    - 在设计电路时,合理设置栅极电阻和栅极驱动电路,以减小开关损耗和改善系统效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该模块与现有的系统具有良好的兼容性,可以通过更换传统的硅基MOSFET来提高效率。
    - 支持: onsemi 提供详细的技术文档和支持,帮助用户进行快速的应用设计和故障排除。

    常见问题与解决方案


    1. 问:模块过热怎么办?
    - 解决方案:确保模块的散热设计足够良好,必要时增加散热器或优化散热路径。

    2. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 解决方案:根据具体应用需求和开关速度要求,选择合适的栅极电阻。通常,较小的栅极电阻有助于加快开关速度,但会增加开关损耗。

    总结和推荐



    总结


    NXH030F120M3F1PTG 是一款高性能、高可靠性的 SiC MOSFET 功率模块,其优异的电气特性和多种配置选项使其在太阳能逆变器、不间断电源和工业电源等领域具有广泛的应用前景。
    推荐
    鉴于其出色的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐使用 NXH030F120M3F1PTG 在需要高效率和高可靠性的电力转换系统中。通过合理的设计和良好的散热管理,您可以充分利用该模块的优势,实现最佳的系统性能。

NXH030F120M3F1PTG参数

参数
最大功率耗散 -
最大功率 100W (Tj)
Idss-饱和漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.246nF@800V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.4V@15mA
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 38.5mΩ@ 30A,18V
通道数量 -
击穿电压 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Id-连续漏极电流 38A
栅极电荷 110nC@ 18V
通用封装 PIM-22
安装方式 底座安装
应用等级 工业级
包装方式 托盘

NXH030F120M3F1PTG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NXH030F120M3F1PTG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NXH030F120M3F1PTG NXH030F120M3F1PTG数据手册

NXH030F120M3F1PTG封装设计

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