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C2M1000170D

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: WOLFSPEED
产品描述: Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1700 V, 5 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: 1456660
供应商: 海外现货
标准整包数: 30
WOLFSPEED 碳化硅场效应管 C2M1000170D

C2M1000170D概述

    Wolfspeed C2M1000170D Silicon Carbide MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    C2M1000170D 是一款来自 Wolfspeed 的硅碳(SiC)功率 MOSFET,采用 C2MTM 技术。 这种 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件,具有出色的高速开关性能和低栅极和漏极电容。其典型应用包括辅助电源、开关模式电源供应系统等。它特别适用于需要高效率、高频率和高可靠性的应用场景。

    2. 技术参数


    - 电压规格
    - 最大漏源电压:1700 V
    - 最大栅源电压:-10 / +25 V(动态),-5 / +20 V(静态)
    - 电流规格
    - 持续漏极电流:5.0 A (VGS = 20 V, TC = 25°C)
    - 脉冲漏极电流:15 A (脉冲宽度受限于最大结温)
    - 功率耗散
    - 最大功率耗散:69 W (TC = 25°C, TJ = 150°C)
    - 温度范围
    - 结温及存储温度:-55°C 到 +150°C
    - 焊接温度:260°C (根据 J-STD-020)

    3. 产品特点和优势


    - 高系统效率:得益于低导通电阻和高切换频率,该 MOSFET 可显著提高系统的整体效率。
    - 增加系统开关频率:由于其出色的开关性能,允许更高频率的操作。
    - 减少冷却要求:低功耗和高效的热管理使散热需求大大降低。
    - 提高系统可靠性:通过低电容和快速开关特性,可以显著提高系统可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    - 辅助电源:利用其低漏源电容和高开关速度,适用于需要高效率转换的应用,如数据中心的服务器电源。
    - 开关模式电源:适用于高功率密度、高效率要求的应用场景,如工业自动化和新能源汽车的电源转换。
    使用建议:为了实现最佳性能,需要确保驱动器与模块之间的连接尽可能短,以减少寄生电感对高速开关的影响。此外,应选择合适的栅极电阻,以平衡开关速度和能量损耗。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:C2M1000170D 与现有的多种驱动器和控制器兼容。例如,可以通过参考设计获得 SPICE 模型和其他资源来验证其性能。
    - 支持:Wolfspeed 提供了相关的 SPICE 模型和评估板,帮助工程师进行测试和评估。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 在高频率下使用时,如何优化效率?
    - A: 选择适当的栅极电阻值以平衡开关时间和能量损耗。同时,确保驱动电路的设计能够最小化寄生电感。
    - Q: 如何降低高温下的功耗?
    - A: 使用合适的散热设计,并确保器件处于合理的温度范围内操作。参考数据手册中的热阻抗图,选择适当的散热措施。

    7. 总结和推荐


    C2M1000170D SiC MOSFET 非常适合需要高性能、高可靠性的应用。 它的特点在于其卓越的高速开关性能、低电容和高电压耐受能力。结合上述所有因素,强烈推荐在高效率和高频开关电源设计中使用此产品。无论是在辅助电源还是开关模式电源的应用中,C2M1000170D 都将提供出色的表现和可靠性。

C2M1000170D参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 2A,20V
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
最大功率 -
FET类型 1个N沟道
Idss-饱和漏极电流 30nA
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 25V,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 191pF@1000V
Id-连续漏极电流 4.9A
栅极电荷 13nC@ 20 V
击穿电压 -
配置 独立式
最大功率耗散 69W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 100µA
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.1mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

C2M1000170D厂商介绍

Wolfspeed是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的研发和生产。公司主营产品包括:

1. 碳化硅(SiC):包括SiC功率器件、SiC MOSFETs、SiC二极管等,广泛应用于电动汽车、可再生能源、工业电源等领域。

2. 氮化镓(GaN):包括GaN功率器件、GaN射频器件等,应用于5G通信、**、**通信等领域。

3. 硅(Si):包括硅功率器件、硅MOSFETs等,应用于消费电子、工业控制等领域。

Wolfspeed的优势在于:

1. 技术领先:拥有全球领先的SiC和GaN技术,产品性能卓越。

2. 品质可靠:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。

3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

4. 持续创新:持续投入研发,推动SiC和GaN技术的创新和应用。

C2M1000170D数据手册

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WOLFSPEED 碳化硅场效应管 WOLFSPEED C2M1000170D C2M1000170D数据手册

C2M1000170D封装设计

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