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IMBG120R078M2HXTMA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 20.6nC@ 18 V 158W(Tc) 700pF@800V 78.1mΩ@ 8.9A,18V 1.2KV 5.1V@2.8mA 1个N沟道 贴片安装
供应商型号: 4376965
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMBG120R078M2HXTMA1

IMBG120R078M2HXTMA1概述

    CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 技术手册

    产品简介


    CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 是一款高性能的碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品具备出色的耐高压能力和低导通电阻,非常适合于电动汽车充电系统、在线不间断电源(UPS)、光伏逆变器和一般驱动应用。其独特的设计使其成为现代电力电子设备的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 存储温度 | Tstg -55 | - | 150 | ℃ |
    | 焊接温度 | Tsold | 回流焊接 | - | - | 260 | ℃ |
    | 结温至环境热阻 | Rth(j-a) | - | - | - | 62 | K/W |
    | 结温至外壳热阻 | Rth(j-c) | - | 0.73 | - | 0.95 | K/W |
    | 漏源电压 | VDSS | Tvj ≥ 25℃ | - | - | 1200 | V |
    | 连续漏电流 | IDD | VGS = 18V,Tc = 25℃ | - | - | 29 | A |
    | 峰值漏电流 | IDM | VGS = 18V | - | - | 63 | A |
    | 雪崩能量 | EAS | ID = 8.9A, VDD = 50V, L = 2.8mH | - | - | 112 | mJ |

    产品特点和优势


    CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 具备多种优势:
    - 低损耗:在高速开关操作中表现出色,减少能耗。
    - 高温稳定性能:最高结温可达200°C,确保在极端条件下可靠运行。
    - 鲁棒性:具备抗寄生开启和0V关断能力,适合硬换相场合。
    - 卓越的热性能:采用 XT 连接技术,实现最佳热性能。

    应用案例和使用建议


    CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 主要应用于以下场景:
    - 电动汽车充电:在充电过程中,其低导通电阻和高可靠性有助于提升充电效率和安全性。
    - 工业UPS:提供高效能、低损耗的电源转换,增强系统的整体稳定性。
    - 光伏逆变器:由于其快速开关特性和高耐压性能,非常适合于光伏逆变器的应用。
    使用建议:
    1. 散热管理:确保良好的散热设计,特别是在高功率应用中。
    2. 门极驱动电路:使用合适的门极驱动器以优化开关时间和降低损耗。

    兼容性和支持


    CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 可与 Infineon 推荐的门极驱动器兼容。更多信息可参阅 [Infineon 官网](https://www.infineon.com/gdfinder)。Infineon 提供技术支持和产品维护服务,帮助客户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确安装和焊接?
    解答:请严格按照焊点温度(260℃)进行回流焊接,并确保焊接时间不超过规范要求。

    2. 问题:如何避免寄生开启?
    解答:使用合适的门极驱动电压,并遵循制造商的建议,例如0V关断。

    总结和推荐


    CoolSiC™ 1200 V SiC MOSFET G2 在众多电子设备中表现出色,适用于各种高功率应用,特别是在需要低损耗、高可靠性的场合。凭借其优异的热性能、低导通电阻和强大的鲁棒性,该产品在市场上具有很强的竞争优势。强烈推荐用于需要高效能电力电子设备的应用场景。

IMBG120R078M2HXTMA1参数

参数
栅极电荷 20.6nC@ 18 V
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.1V@2.8mA
Id-连续漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
击穿电压 -
最大功率 -
Rds(On)-漏源导通电阻 78.1mΩ@ 8.9A,18V
最大功率耗散 158W(Tc)
通道数量 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@800V
配置 -
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IMBG120R078M2HXTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMBG120R078M2HXTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMBG120R078M2HXTMA1 IMBG120R078M2HXTMA1数据手册

IMBG120R078M2HXTMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 32.7323
10+ ¥ 28.8044
100+ ¥ 28.2807
500+ ¥ 28.2807
1000+ ¥ 28.2807
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