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C2M0160120D

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: 32.6nC 125W 1 160mΩ 17.7A 1.2KV 2.5V 10V,25V 独立式 1个N沟道 TO-247-3 通孔安装
供应商型号: C2M0160120D
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C2M0160120D

C2M0160120D概述

    # 碳化硅功率MOSFET C2M0160120D 技术手册

    产品简介


    碳化硅功率MOSFET C2M0160120D是一款基于碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET。作为新一代半导体材料,碳化硅具有极高的耐热性能和高效率。该产品采用N-Channel Enhancement Mode设计,适用于多种电力转换和控制应用。其主要功能包括高阻断电压、低导通电阻、高速开关能力以及强大的抗雪崩性能。C2M0160120D广泛应用于太阳能逆变器、开关电源、高压DC/DC转换器及LED照明电源系统等领域。

    技术参数


    以下是C2M0160120D的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 | 备注 |
    ||
    | 漏源电压 (VDS) | 1200 V
    | 连续漏电流 (ID) | 18 12 | A | VGS = 20V, TC = 25℃
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) | 160 | 196 | 290 | mΩ | VGS = 20V, ID = 10A
    | 零栅压漏极电流 (IDSS) 100 | μA | VDS = 1200V, VGS = 0V
    | 栅源泄露电流 (IGSS) 250 | nA | VGS = 20V, VDS = 0V
    | 击穿电压 (V(BR)DSS) | 1200 V | VGS = 0V, ID = 100μA
    | 栅阈值电压 (VGS(th)) | 2.0 | 2.9 | 4.0 | V | VDS = VGS, IDS = 2.5mA
    | 反向恢复时间 (trr) 20 ns | VGS = -5V, ISD = 10A, VR = 800V
    | 反向恢复电荷 (Qrr) 192 nC
    | 栅至源电荷 (Qgs) | 11 nC
    | 栅至漏电荷 (Qgd) | 17 nC
    | 总栅电荷 (Qg) | 40 nC

    产品特点和优势


    C2M0160120D的主要特点是其高效的系统性能、较低的冷却需求、较高的功率密度以及更高的系统开关频率。具体而言,该器件可以显著提高系统的能效,降低散热要求,从而实现更紧凑的设计。此外,它还具备简单的并联驱动方式和抗闩锁性能,使其成为高可靠性电力转换应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 太阳能逆变器:利用其高效率和耐高温特性,提高能源转换效率。
    2. 开关电源:减少损耗,提高输出稳定性和可靠性。
    3. 高压DC/DC转换器:提供稳定的电压转换,适用于电动汽车和其他高压电源应用。
    4. LED照明电源系统:优化电路设计,提升系统整体效能。
    使用建议
    - 在使用过程中,确保栅极驱动电压在推荐范围内(-5/+20V),以防止击穿和损坏。
    - 考虑到其在高温下的表现,确保有效的散热措施。
    - 在高动态负载情况下,建议进行适当的数据测试和验证,以保证可靠运行。

    兼容性和支持


    C2M0160120D采用标准的TO-247-3封装,易于集成到现有的电力转换模块中。厂商提供了丰富的工具和支持资源,如SPICE模型、参考设计和评估板等,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    问题1:器件如何实现高效率?
    解决方案:通过采用碳化硅材料,C2M0160120D相比传统硅基MOSFET具有更低的导通电阻和更高的击穿电压,从而提高了转换效率。
    问题2:在高温下,器件的稳定性如何?
    解决方案:得益于碳化硅的高耐温性能,C2M0160120D可以在高达150℃的工作温度下保持稳定性能。但需要适当的散热措施来确保长期可靠性。
    问题3:如何避免反向恢复问题?
    解决方案:由于其反向恢复特性优异,C2M0160120D适合用于需要快速开关的应用。在设计时,可以通过选择合适的外部栅极电阻来优化性能。

    总结和推荐


    综上所述,C2M0160120D是一款高性能、高可靠性的碳化硅功率MOSFET。其独特的技术和优越的性能使其在太阳能逆变器、开关电源等多个领域具有广泛应用前景。强烈推荐用户在设计高效率电力转换系统时考虑使用此器件。

C2M0160120D参数

参数
最大功率耗散 125W
栅极电荷 32.6nC
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
配置 独立式
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 160mΩ
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 17.7A
Vgs-栅源极电压 10V,25V
最大功率 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Idss-饱和漏极电流 -
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

C2M0160120D厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C2M0160120D数据手册

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CREE 碳化硅场效应管 CREE C2M0160120D C2M0160120D数据手册

C2M0160120D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 51.98
500+ ¥ 51.076
3000+ ¥ 50.172
10000+ ¥ 48.816
库存: 995
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
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