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C2M0025120D

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: 1.2KV 1 25mΩ 90A 1.2KV TO-247-3
供应商型号: C2M0025120D
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C2M0025120D

C2M0025120D概述

    C2M0025120D Silicon Carbide Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:C2M0025120D 是一款硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)功率 MOSFET,由 Cree 公司制造。这款 MOSFET 采用 N-Channel 增强模式设计,专为高电压、高效率的应用场景而设计。
    主要功能:
    - 高阻断电压(最高可达 1200V)
    - 低导通电阻(典型值为 25mΩ)
    - 快速开关,且寄生电容低
    - 雪崩坚固性
    - 摒弃焊锡卤素,符合 RoHS 规范
    应用领域:
    - 太阳能逆变器
    - 开关电源
    - 高压直流/直流转换器
    - 电池充电器
    - 电机驱动
    - 脉冲电源应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 阻断电压 | 1200 1200 | V |
    | 连续漏极电流 | 90 90 | A |
    | 导通电阻 | 25 | 34 | 43 | mΩ |
    | 最大耗散功率 | 463 463 | W |
    | 热阻(结到外壳) | 0.24 | 0.27 °C/W|
    其他参数:
    - 门阈电压:2.0V ~ 4.0V
    - 栅源泄漏电流:600 nA
    - 转导能力:23.6 S
    - 输入电容:2788 pF
    - 输出电容:220 pF
    - 反向传输电容:15 pF

    3. 产品特点和优势


    - 高效系统:更高的系统效率,通过低导通电阻和快速开关能力实现。
    - 减少冷却需求:由于功耗低,减少了对冷却系统的需求。
    - 增加功率密度:高频率开关能力使得体积更小,功率密度更高。
    - 增强的鲁棒性:雪崩坚固性保证了更高的可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在太阳能逆变器中,可以显著提高逆变效率。
    - 在电机驱动系统中,由于低导通电阻和高开关速度,可以有效减少能量损耗。
    使用建议:
    - 由于具有较高的热阻,建议在高温环境下使用时需特别注意散热措施。
    - 在高电压应用场景下,确保电压不超过最大额定值以避免损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 该产品支持与其他电子元器件和设备兼容。
    - 提供技术支持和售后服务,包括SPICE模型和参考设计。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:产品过热
    解决方案:改善散热机制,增加散热片或者风扇。
    问题2:漏电流过高
    解决方案:检查电路连接是否正确,更换新的MOSFET。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    C2M0025120D 是一款高性能的硅碳化物功率 MOSFET,具备高效率、低损耗、高可靠性的特点。适合应用于多种高电压、高效率的应用场景。
    推荐使用:
    强烈推荐在高电压、高效率应用场景中使用此产品。由于其卓越的性能和鲁棒性,非常适合太阳能逆变器、开关电源和电机驱动等领域。

C2M0025120D参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 90A
击穿电压 1.2KV
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 25mΩ
通道数量 1
配置 -
最大功率 -
通用封装 TO-247-3
应用等级 工业级
包装方式 管装

C2M0025120D厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C2M0025120D数据手册

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CREE 碳化硅场效应管 CREE C2M0025120D C2M0025120D数据手册

C2M0025120D封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 257.301
500+ ¥ 252.8262
3000+ ¥ 248.3514
10000+ ¥ 241.6392
库存: 2000
起订量: 10 增量: 0
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最小起订量为:10
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