处理中...

首页  >  产品百科  >  C3M0065090J

C3M0065090J

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: 100μA 30.4nC@ 15V 113KW 660pF@ 600V 78mΩ@ 15V 900V 3.5V 15V D2PAK 贴片安装 10.18mm*9.08mm*4.44mm
供应商型号: C3M0065090J
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C3M0065090J

C3M0065090J概述


    产品简介


    C3M0065090J 硅碳(SiC)功率 MOSFET
    C3M系列是Cree公司推出的新型硅碳(SiC)功率MOSFET产品,属于N-Channel Enhancement Mode类型。这款器件采用了最新的C3M SiC MOSFET技术,广泛应用于可再生能源系统、电动汽车电池充电器、高电压直流转换器以及开关电源等领域。

    技术参数


    - 主要规格:
    - VDSmax (最大漏源电压): 900V
    - ID (连续漏电流): 35A (VGS = 15V, TC = 25˚C)
    - RDS(on) (导通电阻): 65mΩ (VGS = 15V, ID = 20A)
    - 电气特性:
    - VGS(th) (门限电压): 1.8V 至 3.5V
    - EON (开通损耗能量): 39μJ (VDS = 400V, VGS = -4V/15V, ID = 20A)
    - EOFF (关断损耗能量): 17μJ (VDS = 400V, VGS = -4V/15V, ID = 20A)
    - 工作环境:
    - TJ, Tstg (工作结温和存储温度): -55°C 到 +150°C

    产品特点和优势


    特点:
    - 新的C3M SiC MOSFET技术,具有低阻抗封装和驱动源引脚
    - 高击穿电压和低导通电阻
    - 快速体二极管和低反向恢复(Qrr)
    - 输出电容小(60pF)
    优势:
    - 减少开关损耗并降低栅极振铃
    - 提高系统效率
    - 增加功率密度
    - 提高系统开关频率

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 可再生能源系统:如光伏逆变器和风能转换器
    - 电动汽车电池充电器
    - 高电压直流转换器
    - 开关电源模块
    使用建议:
    - 在设计电路时,考虑到C3M0065090J的低导通电阻和快速恢复特性,可以通过减少外部栅极电阻来优化开关性能。
    - 确保正确的散热设计以防止过热,特别是在高温环境下运行时。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - C3M0065090J可与其他SiC MOSFET产品无缝集成,适用于各种高效率电源转换设计。
    - 该产品采用D2PAK封装,尺寸适中,易于安装和布线。
    支持:
    - Cree公司提供了详细的参考设计文档和技术支持,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. Q: 开关损耗较高如何优化?
    A: 减小外部栅极电阻可以减少开关损耗。具体值需根据实际电路条件进行调整。
    2. Q: 如何确保产品在高温环境下的稳定性?
    A: 设计时要特别注意散热,确保工作结温不超过150°C。
    3. Q: 是否支持卤素材料?
    A: 该产品为无卤材料,符合RoHS标准。

    总结和推荐


    综合评估:
    C3M0065090J 是一款高性能的硅碳MOSFET,具备高击穿电压、低导通电阻和快速恢复特性。它在可再生能源、电动汽车、工业电源等领域有着广泛应用。对于需要高效、高频切换的应用场景,这款产品是理想的选择。
    推荐使用:
    C3M0065090J的优越性能和可靠性使其成为许多高要求电力应用的理想选择。尽管价格可能相对较高,但其带来的长期效益和高效率使其非常值得投资。强烈推荐给追求高性能和可靠性的工程师和设计师们。

C3M0065090J参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 660pF@ 600V
Vgs-栅源极电压 15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Rds(On)-漏源导通电阻 78mΩ@ 15V
击穿电压 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率 -
FET类型 -
Idss-饱和漏极电流 100μA
Vds-漏源极击穿电压 900V
栅极电荷 30.4nC@ 15V
最大功率耗散 113KW
配置 -
长*宽*高 10.18mm*9.08mm*4.44mm
通用封装 D2PAK
安装方式 贴片安装
包装方式 管装

C3M0065090J厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C3M0065090J数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
CREE 碳化硅场效应管 CREE C3M0065090J C3M0065090J数据手册

C3M0065090J封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 67.574
500+ ¥ 66.3988
3000+ ¥ 65.2236
10000+ ¥ 63.4608
库存: 3000
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 675.74
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
AIMZA75R027M1HXKSA1 ¥ 85.3314
AIMZA75R060M1HXKSA1 ¥ 42.9759
BSM600C12P3G201 ¥ 9572.0118
C2M0025120D ¥ 257.301
C2M0160120D ¥ 51.98
C2M0280120D ¥ 41.8222
C2M1000170D ¥ 88.5809
C2M1000170J ¥ 0
C3M0021120K ¥ 171.534
C3M0032120K ¥ 128.1093