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C2M0280120D

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
供应商型号: ZT-C2M0280120D
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
CREE 碳化硅场效应管 C2M0280120D

C2M0280120D概述

    硅基碳化硅(SiC)功率MOSFET产品概述

    产品简介


    C2M0280120D 是一款硅基碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用N-沟道增强模式设计。该产品具备高击穿电压和低导通电阻,适用于LED照明电源、高压直流转换器、工业电源供应和暖通空调系统等广泛应用领域。其独特的技术和设计使其成为高性能电子系统的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    |
    | 击穿电压 (VDS) | - | 1200 | - | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA |
    | 持续漏极电流 (ID) | 10 A | VGS = 20 V, TC = 25 °C |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 280 | 370 | 530 | mΩ | VGS = 20 V, ID = 6 A |
    | 极限参数
    | 漏极-源极电压 (VDSmax) | - | 1200 | - | V | VGS = 0 V, ID = 100 μA |
    | 漏极连续电流 (ID) | 10 20 | A | VGS = 20 V, TC = 25 °C |
    | 最大功率耗散 (PD) | - | 62.5 | - | W | TC=25 °C, TJ = 150 °C |

    产品特点和优势


    - 高击穿电压:1200V,确保在高压应用中可靠工作。
    - 低导通电阻:280mΩ,显著降低功耗并提高效率。
    - 快速开关速度:极低的栅极电容,使器件具有高开关频率。
    - 易于并联和驱动:简化电路设计和制造过程。
    - 抗雪崩能力:能承受较大的瞬时电流冲击。
    - 无卤素,符合RoHS标准:环保且适合广泛应用。

    应用案例和使用建议


    C2M0280120D 主要应用于LED照明电源、高压直流转换器、工业电源供应及HVAC系统等。在LED照明电源中,其高效率和低功耗可显著延长灯具寿命。在高压直流转换器中,其卓越的耐压能力和高可靠性使得转换效率大幅提升。
    建议在使用时应注意散热管理,尤其是当环境温度较高时。同时,使用低阻抗栅极电阻可以进一步提高开关速度,从而减少开关损耗。

    兼容性和支持


    C2M0280120D 可与多种栅极驱动器兼容,以实现最佳性能。Cree公司提供相关技术支持,包括PSPICE模型下载、隔离式栅极驱动参考设计和评估板等资源,帮助用户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率不达标 | 使用低阻抗栅极电阻,优化驱动电路设计。 |
    | 高温下工作温度过高 | 加强散热措施,使用高效散热器或增加风冷系统。 |
    | 寿命短 | 确保正确的栅极驱动信号,避免过电压和过电流。 |

    总结和推荐


    总体来看,C2M0280120D 是一款高性能的SiC功率MOSFET,特别适合高压、高效率的应用场合。其高击穿电压、低导通电阻以及良好的热性能使其在多种电力电子应用中表现优异。如果需要一个高效且可靠的电力转换解决方案,这款产品是值得推荐的选择。

C2M0280120D参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
FET类型 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
包装方式 管装

C2M0280120D厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C2M0280120D数据手册

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C2M0280120D封装设计

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