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IMT65R022M1HXUMA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 79A 650V 1个N沟道 HSOF-8-1 贴片安装
供应商型号: AV-E-IMT65R022M1HXUMA1
供应商: Avnet
标准整包数: 2000
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMT65R022M1HXUMA1

IMT65R022M1HXUMA1概述

    CoolSiC™ MOSFET 650 V G1 技术手册解析

    1. 产品简介


    CoolSiC™ MOSFET 650 V G1 是由英飞凌公司开发的一种采用碳化硅材料制造的功率MOSFET。该器件专为高压应用设计,特别适合在高温度和恶劣环境中使用。由于其基于宽禁带SiC材料的独特性质,CoolSiC™ MOSFET在性能、可靠性和易用性方面提供了卓越的表现。此器件适用于电信、服务器SMPS、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电基础设施、储能系统和电池形成等领域。

    2. 技术参数


    以下是从技术手册中提取的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 典型值 | 单位 | 备注 |

    | 栅源电压(静态) | V | -5 - +23 | V
    | 最大持续漏极电流 | I | 64 - 79 | A | Tj = 25°C 至 100°C |
    | 峰值漏极电流 | I | 196 | A | Tj = 25°C, Vgs = 18V |
    | 反向漏极电流 | I | 53 - 79 | A | Vgs = 18V, Tj = 25°C 至 0V |
    | 击穿电压 | V | 650 | V | Vds = 0V, Ids = 1.23mA |
    | 导通电阻 | R | 22 - 31 | mΩ | Vgs = 18V, Ids = 41.1A, Tj = 25°C 至 175°C |
    | 有效输出电容(能量相关) | C | 298 | pF | Vds = 0 - 400V |
    | 输出电荷 | Q | 158 - 205 | nC

    3. 产品特点和优势


    - 优化开关行为:在较高电流下的开关行为得到优化。
    - 高速体二极管:具备低Qfr的高速恢复二极管。
    - 优异的栅氧化层可靠性:提高了整体可靠性。
    - 高温耐受性:最高工作温度可达175°C,具有出色的热行为。
    - 低导通电阻:电阻随温度变化较小,且具有较高的雪崩能力。
    - 兼容标准驱动器:易于使用,集成度高。
    - 凯尔文源引脚:提供低至四倍的开关损耗。

    4. 应用案例和使用建议


    CoolSiC™ MOSFET 650 V G1广泛应用于多个领域,如:
    - 电信和服务器的开关模式电源(SMPS)
    - 不间断电源(UPS)
    - 太阳能光伏逆变器
    - 电动汽车充电基础设施
    - 能源存储和电池形成
    对于这些应用,建议严格遵守数据手册中的电气特性,确保设备安全稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    CoolSiC™ MOSFET 650 V G1 具备广泛的兼容性,能够与标准驱动器配合使用。英飞凌公司提供了相关的技术支持文档、仿真模型和设计工具,以帮助用户更好地理解和使用此器件。

    6. 常见问题与解决方案


    根据技术手册中的指导,用户可能会遇到的问题及其解决方案如下:
    - 问:如何正确连接源引脚?
    - 答:注意源引脚不可交换,否则可能导致功能异常。
    - 问:如何设置正确的栅源电压范围?
    - 答:推荐的栅源电压范围为-2至+20V,确保应用中的最大栅源电压不超过数据手册中的极限值。

    7. 总结和推荐


    综上所述,CoolSiC™ MOSFET 650 V G1凭借其卓越的性能、可靠的热行为和简便的使用方式,在多种高压应用中表现出色。强烈推荐在需要高效、高可靠性的场合下使用此器件。同时,考虑到其广泛的兼容性和丰富的技术支持资源,用户可以更轻松地将其集成到现有系统中。

IMT65R022M1HXUMA1参数

参数
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 79A
通用封装 HSOF-8-1
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IMT65R022M1HXUMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMT65R022M1HXUMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMT65R022M1HXUMA1 IMT65R022M1HXUMA1数据手册

IMT65R022M1HXUMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
2000+ $ 9.7913 ¥ 85.1839
6000+ $ 9.7129 ¥ 84.5024
20000+ $ 9.6346 ¥ 83.8209
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起订量: 2000 增量: 2000
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