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IXFN90N170SK

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: IXYS
产品描述: 376nC@ 20 V 7.34nF@1000V 35mΩ@ 100A,20V 1.7KV 4V@36mA 1个N沟道 SOT-227B 底座安装,贴片安装
供应商型号: ZT-IXFN90N170SK
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS 碳化硅场效应管 IXFN90N170SK

IXFN90N170SK概述

    IXFN90N170SK SiC Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    IXFN90N170SK 是一款由IXYS(现为Littelfuse公司的一部分)生产的高性能碳化硅(SiC)功率MOSFET。这款产品具有高隔离电压、快速开关速度和低导通电阻等特点,适用于各种高要求的应用场合。
    - 产品类型:碳化硅(SiC)功率MOSFET
    - 主要功能:高效率、高耐压、低损耗
    - 应用领域:太阳能逆变器、高压直流/直流转换器、电机驱动、开关电源、不间断电源(UPS)、电池充电器、感应加热

    2. 技术参数


    - 额定参数:
    - 隔离电压:> 2500 V
    - 静态漏源导通电阻:最大 35 mΩ (ID = 100 A, VGS = 20 V)
    - 漏源击穿电压:1700 V
    - 漏源电流:ID25 = 90 A (TC = 25°C),ID80 = 67 A (TC = 80°C),ID100 = 56 A (TC = 100°C)
    - 电气特性:
    - 输入电容:CISS = 7340 pF (VDS = 1000 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 输出电容:COSS = 342 pF (VDS = 1000 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 反向传输电容:CRSS = 13.5 pF (VDS = 1000 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 总栅极电荷:QG = 376 nC (VDS = 1200 V, ID = 100 A, VGS = -5/20 V)
    - 热阻:
    - 结到外壳的热阻:RthJC = 0.30 K/W
    - 结到散热器的热阻:RthJH = 0.22 K/W
    - 工作温度范围:
    - 存储温度:-40°C 至 175°C
    - 工作温度:-40°C 至 150°C

    3. 产品特点和优势


    - 高速开关:得益于低电容,这款MOSFET可以实现高速开关,减少能量损耗。
    - 高耐压:具有1700 V的击穿电压,适用于高压应用。
    - 易并联和驱动:简单的栅极连接设计使其易于并联和驱动。
    - 抗闩锁:提高了电路可靠性,减少了因电路故障导致的损坏风险。
    - 真实凯尔文源连接:保证了驱动电路和负载之间的分离,提高系统稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 太阳能逆变器:利用其高耐压和高效性,可以实现更高效的能量转换。
    - 高压直流/直流转换器:高耐压特性使得其适用于高电压等级的应用。
    - 电机驱动:高速开关特性可以提高电机的控制精度和效率。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计以避免过热,特别是在高电流条件下。
    - 在应用中加入适当的滤波措施,以减少电磁干扰(EMI)。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET符合行业标准SOT-227B封装,与大多数主流电源管理设备兼容。
    - 支持:IXYS提供详尽的技术文档和应用指南,确保用户能够正确使用和维护该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:过热问题。
    - 解决办法:加强散热设计,如增加散热片或风扇冷却。

    - 问题二:开关损耗大。
    - 解决办法:优化驱动电路,降低栅极电阻值,减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    总结:
    IXFN90N170SK是一款高性能的SiC功率MOSFET,具有高耐压、高速开关、低损耗和易于驱动的特点,适合应用于高要求的工业应用中。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐使用IXFN90N170SK SiC功率MOSFET。其独特的技术和应用优势使其成为高性能电源管理解决方案的理想选择。

IXFN90N170SK参数

参数
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 7.34nF@1000V
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
Idss-饱和漏极电流 -
配置 -
栅极电荷 376nC@ 20 V
击穿电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@36mA
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ@ 100A,20V
最大功率耗散 -
最大功率 -
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXFN90N170SK厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXFN90N170SK数据手册

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IXYS 碳化硅场效应管 IXYS IXFN90N170SK IXFN90N170SK数据手册

IXFN90N170SK封装设计

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