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C2M1000170J

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: 100μA 13nC@ 20V 78KW 200pF@ 1000V 1.4Ω@ 20V 5.3A 1.7KV 3.1V(Typ) 25V TO-263-7 贴片安装 10.18mm*9.08mm*4.44mm
供应商型号: 11M-C2M1000170J
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
CREE 碳化硅场效应管 C2M1000170J

C2M1000170J概述

    硅基碳化硅(SiC)功率MOSFET C2M1000170J 技术手册

    产品简介


    C2M1000170J 是由Cree公司生产的一款硅基碳化硅(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它具有高击穿电压和低导通电阻,能够提供出色的开关性能和更高的系统效率。此款MOSFET广泛应用于辅助电源、开关模式电源供应及高压电容负载等领域。

    技术参数


    - 基本规格
    - 型号: C2M1000170J
    - 类型: N-Channel Enhancement Mode MOSFET
    - 制造商: Cree, Inc.
    - 封装: TO-263-7
    - 最大击穿电压: 1700 V
    - 最大连续漏极电流: 5.3 A @ 25°C
    - 最大脉冲漏极电流: 6.0 A
    - 最大功耗: 78 W @ 25°C
    - 操作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 焊接温度: 260°C (1.6 mm 从壳体, 10秒)
    - 电气特性
    - 门限电压: 2.0 V ~ 2.6 V
    - 零门电压漏极电流: 100 μA
    - 门-源泄漏电流: 250 nA
    - 导通电阻: 1.0 Ω @ 20 V, 2 A
    - 输入电容: 200 pF @ 0 V
    - 输出电容: 12 pF
    - 反向转移电容: 1.3 pF
    - 门到源电荷: 4.7 nC
    - 门到漏电荷: 5.4 nC
    - 总门电荷: 13 nC
    - 开关特性
    - 导通延迟时间: 4 ns
    - 上升时间: 4.8 ns
    - 关断延迟时间: 10.8 ns
    - 下降时间: 40.4 ns
    - 内部门电阻: 24.8 Ω @ 1 MHz
    - 开通过渡能量: 31 μJ
    - 关断过渡能量: 10 μJ
    - 门驱动电阻: 2.5 Ω
    - 电感: 1368 μH
    - 二极管特性
    - 正向电压: 3.8 V @ 25°C, 3.3 V @ 150°C
    - 持续正向电流: 4 A @ 25°C
    - 反向恢复时间: 20 ns
    - 反向恢复电荷: 24 nC
    - 峰值反向恢复电流: 6.5 A

    产品特点和优势


    C2M1000170J 的主要优势包括:
    - 高效系统性能:由于其高击穿电压和低导通电阻,可以显著提升系统效率。
    - 平滑开关波形:有助于减少系统的杂散效应。
    - 减少冷却需求:由于高效的热管理,降低了冷却系统的负担。
    - 降低栅极振铃:有助于提高系统的可靠性。
    - 宽爬电距离:约7毫米的爬电距离提高了安全性。

    应用案例和使用建议


    - 辅助电源:在辅助电源设计中,C2M1000170J 可以实现高效、低损耗的电力转换。
    - 开关模式电源供应:作为开关模式电源的核心组件,其高性能可以有效改善电源的整体效率。
    - 高压电容负载:适用于需要高电压处理能力的应用场合。
    使用建议:
    - 确保适当的散热措施,特别是高负载情况下。
    - 在设计电路时考虑其低寄生电感特性,尽量减小布线长度,以提高整体效率。
    - 利用其宽爬电距离特性,确保符合安全标准。

    兼容性和支持


    C2M1000170J 与现有的多数辅助电源和开关模式电源设备兼容。Cree公司提供了相关的技术支持和维护服务,包括PSPICE模型、隔离式门驱动参考设计、评估板及参考设计文档,确保用户能够顺利进行开发和测试。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的外部栅极电阻?
    - A: 根据所需开关速度和功耗选择适当的外部栅极电阻。Cree推荐的典型值为2.5 Ω。
    - Q: 如何防止过热?
    - A: 确保良好的散热机制,如采用散热片或散热风扇。并根据负载情况合理调整驱动信号,避免长时间大电流工作。
    - Q: 如何进行反向恢复管理?
    - A: 使用低损耗肖特基二极管或同步整流技术来减少反向恢复引起的损失。

    总结和推荐


    C2M1000170J 以其卓越的电气特性和可靠性能,在各种电力转换应用中表现出色。对于追求高效、稳定电力供应的工程师来说,它是一个理想的选择。总体而言,我们强烈推荐此款产品用于需要高性能MOSFET的应用场景。

C2M1000170J参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 1.4Ω@ 20V
配置 -
最大功率 -
Idss-饱和漏极电流 100μA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 200pF@ 1000V
栅极电荷 13nC@ 20V
Id-连续漏极电流 5.3A
击穿电压 -
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.1V(Typ)
FET类型 -
最大功率耗散 78KW
Vgs-栅源极电压 25V
通道数量 -
长*宽*高 10.18mm*9.08mm*4.44mm
通用封装 TO-263-7
安装方式 贴片安装
包装方式 散装,管装

C2M1000170J厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C2M1000170J数据手册

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CREE 碳化硅场效应管 CREE C2M1000170J C2M1000170J数据手册

C2M1000170J封装设计

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