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IMZ120R090M1H

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述:
供应商型号: IMZ120R090M1H
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMZ120R090M1H

IMZ120R090M1H概述

    # CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET(型号:IMZ120R090M1H) 是一款高性能硅碳化物(SiC)沟槽型功率场效应晶体管。它具备极低的开关损耗、高效率以及卓越的温度稳定性能,适用于能源生成、工业电源供应及基础设施充电等多种应用领域。
    主要功能
    - 低开关损耗:能够显著降低系统的能量损失,提高整体效率。
    - 栅极阈值电压低:易于驱动和操作,降低了设计复杂度。
    - 温度独立的关断损耗:确保在不同温度环境下开关性能的一致性。
    - 栅极感测引脚:优化开关性能,减少能耗。
    应用领域
    - 能源生成:太阳能逆变器和优化器。
    - 工业电源供应:工业不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS)。
    - 基础设施:电动汽车充电站。

    技术参数


    以下是该器件的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 | VDSS | TVJ ≥ 25°C | - | - | 1200 | V |
    | 直流漏极电流 | ID | TC = 25°C, Rth(j-c,max) | 26 | - | - | A |
    | 体二极管正向电流 | ISD | TC = 25°C | 26 | - | - | A |
    | 开启门限电压 | VGS(th) | - | 3.5 | 4.5 | 5.7 | V |
    | 漏极-源极导通电阻 | RDS(on) | VGS = 18V, ID = 8.5A | - | 90 | 120 | mΩ |
    | 栅极-源极电容 | Ciss | VDD = 800V, VGS = 0V | - | 707 | - | pF |
    工作环境
    - 虚拟结温:-55°C 至 175°C
    - 存储温度:-55°C 至 150°C
    - 焊接温度:仅允许引脚焊接,1.6mm 处温度为 260°C
    - 固定扭矩:最大 0.6Nm

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 效率提升:通过降低开关损耗和提高频率来增强能效。
    - 高频应用:得益于低开关损耗,适用于高频应用场合。
    - 功率密度增加:减小散热需求,从而提升整体功率密度。
    - 系统成本降低:简化系统设计,减少冷却和系统复杂性。
    - 温度稳定性:在宽温度范围内提供一致的性能表现。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 太阳能逆变器:利用低损耗和高效率特性实现更高的转换效率。
    2. 工业不间断电源:适用于需要高可靠性的工业环境。
    3. 基础设施充电站:能够在高温环境中稳定运行。
    使用建议
    - 散热管理:在高温环境下使用时,确保良好的散热以避免热积聚。
    - 栅极驱动:使用推荐的栅极驱动电压,保证设备长期稳定运行。
    - 并联连接:在高电流应用中考虑多个器件并联,进一步提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 与其他电子元器件的兼容性:由于采用标准封装形式,可以方便地与现有系统集成。
    - 厂商支持:厂商提供详尽的技术文档和测试报告,确保产品的最佳应用效果。

    常见问题与解决方案


    常见问题与解决办法
    1. 热管理不佳导致过热
    - 解决方案:采用合适的散热方案,如外部散热器或风扇。
    2. 栅极驱动电压不正确
    - 解决方案:严格按照推荐的栅极驱动电压设置,避免过高或过低。
    3. 安装不当导致故障
    - 解决方案:严格按照厂商提供的安装指南进行安装,确保所有连接牢固且符合要求。

    总结和推荐


    综合评估
    CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET IMZ120R090M1H 是一款性能卓越、可靠性高的电力电子器件。它具有出色的开关性能、低损耗以及良好的温度稳定性,在多种应用场景中表现出色。
    推荐
    我们强烈推荐使用这款器件,尤其是在追求高效、高频和高可靠性的电力转换系统中。然而,用户在首次使用前应仔细阅读技术手册,确保正确使用和应用。
    以上是关于 CoolSiC™ 1200V SiC Trench MOSFET IMZ120R090M1H 的详细技术手册内容整理,希望对您有所帮助。

IMZ120R090M1H参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
Id-连续漏极电流 -
击穿电压 -
Vds-漏源极击穿电压 -
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率 -
通用封装 TO-247-4

IMZ120R090M1H厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMZ120R090M1H数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMZ120R090M1H IMZ120R090M1H数据手册

IMZ120R090M1H封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 45.6
1000+ ¥ 44.8
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起订量: 30 增量: 30
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