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C3M0060065K

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: Trans MOSFET N-CH SiC 650V 37A Tube
供应商型号: C3M0060065K
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C3M0060065K

C3M0060065K概述

    硅碳(SiC)功率MOSFET:C3M0060065K

    1. 产品简介


    C3M0060065K 是一款由 Cree 公司生产的硅碳(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。作为第三代 SiC MOSFET 技术的产品,它在高电压、低导通电阻方面表现出色,特别适合用于快速开关和低电容需求的应用场景。该产品广泛应用于电动汽车充电系统、服务器电源、太阳能光伏逆变器、不间断电源(UPS)和直流-直流转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 关键指标:
    - VDSS (耐压):650 V
    - ID (连续漏极电流, TC = 25˚C):37 A
    - RDS(on) (导通电阻):60 mΩ
    - 最大额定值:
    - 耐压:650 V (TC = 25 ˚C)
    - 最大栅源电压:-8/+19 V
    - 漏极连续电流 (VGS = 15 V, TC = 25˚C):37 A
    - 漏极连续电流 (VGS = 15 V, TC = 100˚C):27 A
    - 最大脉冲漏极电流:99 A
    - 功耗 (TC=25˚C, TJ = 175 ˚C):150 W
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻 (RθJC):0.99°C/W
    - 结到环境热阻 (RθJA):404°C/W
    - 电气特性 (TC = 25˚C):
    - 阈值电压 (VGS(th)):1.8~3.6 V (VDS = VGS, ID = 5 mA)
    - 导通电阻 (RDS(on)):60 mΩ (VGS = 15 V, ID = 13.2 A)
    - 门极电荷 (Qg):46 nC

    3. 产品特点和优势


    - 高效系统:相较于传统硅基器件,SiC MOSFET 可显著提高系统的效率。
    - 降低冷却需求:由于其较低的功耗和热阻,减少了冷却系统的负荷。
    - 增加功率密度:更高的开关频率允许设计更紧凑高效的电源系统。
    - 易于并联驱动:简化了电路设计,便于多器件并联操作。
    - 新型硬开关 PFC 拓扑支持:如托姆波尔拓扑(Totem-Pole),可以实现更高效的电源转换。

    4. 应用案例和使用建议


    - 电动汽车充电系统:适用于快充站的高效率充电桩,要求高速切换且低损耗。
    - 服务器电源:数据中心使用高密度电源模块,需要高效且可靠的功率管理解决方案。
    - 太阳能光伏逆变器:在高压环境下进行高频开关转换,减少能量损失。
    使用建议:
    - 保证散热良好,避免过热导致器件损坏。
    - 使用合适规格的外部门极电阻,以优化开关性能。
    - 设计时考虑系统的过压保护和过流保护机制,确保安全可靠运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件采用 TO-247-4L 封装,兼容现有 PCB 设计标准,便于集成。
    - 支持:
    - 免费 SPICE 模型提供在官方网站下载。
    - 隔离门极驱动参考设计,便于系统调试。
    - SiC MOSFET 评估板,加速产品验证。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过温保护失败。
    - 解决方案:检查散热系统设计,增加散热面积或优化风扇布置。
    - 问题:导通电阻异常增加。
    - 解决方案:确认焊接质量,检查安装过程中的热阻是否正确。

    7. 总结和推荐


    C3M0060065K 是一款具有显著竞争优势的 SiC MOSFET。它不仅具备高效率和低损耗的特点,还具有优良的散热特性和简易的设计集成性。对于希望提升系统性能和效率的工程师来说,这是一款非常值得推荐的产品。此外,制造商提供的丰富资源和支持也极大地提升了用户体验。

C3M0060065K参数

参数
配置 -
FET类型 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Idss-饱和漏极电流 -
Id-连续漏极电流 -
击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
最大功率 -
包装方式 管装

C3M0060065K厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C3M0060065K数据手册

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C3M0060065K封装设计

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3000+ ¥ 52.6806
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