处理中...

首页  >  产品百科  >  IAUTN06S5N008ATMA1

IAUTN06S5N008ATMA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 510A 60V 1个N沟道 贴片安装
供应商型号: 4216470
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IAUTN06S5N008ATMA1

IAUTN06S5N008ATMA1概述


    产品简介


    OptiMOS™ 5 Automotive Power MOSFET 是一款专为汽车应用设计的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),型号为IAUTN06S5N008。它采用N沟道增强模式设计,具有低导通电阻(RDS(on))的特点,能够在广泛的温度范围内稳定工作。该产品通过了AEC-Q101标准认证,适用于各种汽车电子产品,如电机驱动、电源转换等。

    技术参数


    以下是OptiMOS™ 5 Automotive Power MOSFET IAUTN06S5N008的主要技术规格和性能参数:
    - 最大连续漏极电流:ID = 510 A(芯片限制)
    - 最大漏源击穿电压:V (BR)DSS = 60 V
    - 导通电阻:
    - VGS = 7 V,ID = 50 A时:RDS(on) = 0.68 mΩ
    - VGS = 10 V,ID = 100 A时:RDS(on) = 0.6 mΩ
    - 栅极阈值电压:V GS(th) = 2.2 - 3.0 V
    - 封装类型:PG-HSOF-8-1
    - 封装引脚数:8
    - 最高工作温度:175 °C
    - 热阻:
    - R thJC = 0.42 K/W
    - R thJA = 14.8 K/W
    - 电气特性:
    - 输入电容:C iss = 15600 - 20280 pF
    - 输出电容:C oss = 3200 - 4160 pF
    - 反向转移电容:C rss = 110 - 165 pF
    - 动态特性:
    - 开启延迟时间:t d(on) = 41 ns
    - 关闭延迟时间:t d(off) = 110 ns

    产品特点和优势


    OptiMOS™ 5 Automotive Power MOSFET IAUTN06S5N008具有以下显著优势:
    - 高性能:低至0.6 mΩ的导通电阻,可以有效减少功率损耗。
    - 高温适应性:可在高达175 °C的工作温度下保持稳定性能。
    - 高可靠性:通过AEC-Q101认证,确保了产品在极端环境下的可靠性和稳定性。
    - 快速开关速度:较低的输入电容和输出电容有助于提高开关频率。
    - 环保材料:RoHS合规,符合环保标准。
    - 强固设计:MSL1认证,可承受高达260 °C的峰值回流温度,增强抗焊接热冲击能力。

    应用案例和使用建议


    OptiMOS™ 5 Automotive Power MOSFET广泛应用于各种汽车电子系统,如电机驱动、电源转换、车载充电器等。以下是一些实际应用场景及使用建议:
    - 电机驱动系统:由于其低导通电阻,可以在电机驱动系统中实现高效的能量转换,降低整体能耗。
    - 车载充电器:利用其高耐温特性和快速开关特性,确保在高温环境下仍能稳定运行,提升充电效率。
    - 电源转换模块:可用于电动汽车的DC-DC转换器,帮助优化能源管理和系统集成。
    使用建议:
    - 散热管理:在设计电路时,考虑增加散热片或采用水冷系统以确保设备正常运行。
    - 布局优化:合理布置电路板上的组件,尽量减小寄生电感,提高系统效率。
    - 测试验证:在批量生产前进行充分的功能和性能测试,确保每个产品的质量和可靠性。

    兼容性和支持


    OptiMOS™ 5 Automotive Power MOSFET IAUTN06S5N008具有良好的兼容性,可与其他汽车级电子元器件和设备无缝连接。Infineon Technologies提供了全面的技术支持和售后服务,包括:
    - 技术文档:详细的技术手册、数据表和应用指南。
    - 客户支持:专业的技术支持团队,提供定制化的解决方案。
    - 供货保证:稳定的供应链管理,确保及时供货。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备过热导致失效。
    - 解决方案:优化散热设计,增加散热片或冷却装置。
    - 问题:开机时系统不稳定。
    - 解决方案:检查电路板布局,确保正确的电路连接和接地。
    - 问题:长时间运行后出现性能下降。
    - 解决方案:定期进行性能测试,及时更换老化部件。

    总结和推荐


    OptiMOS™ 5 Automotive Power MOSFET IAUTN06S5N008凭借其卓越的性能、高可靠性和广泛的应用范围,成为了汽车电子领域中的一款优秀产品。该产品特别适合需要高功率密度和高效能量转换的汽车电子系统。综上所述,我们强烈推荐使用这款产品,尤其是对于那些需要高性能和高可靠性的应用场合。
    如果您有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系Infineon Technologies的专业团队。

IAUTN06S5N008ATMA1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率 -
Idss-饱和漏极电流 -
栅极电荷 -
击穿电压 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Id-连续漏极电流 510A
FET类型 1个N沟道
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

IAUTN06S5N008ATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IAUTN06S5N008ATMA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IAUTN06S5N008ATMA1 IAUTN06S5N008ATMA1数据手册

IAUTN06S5N008ATMA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 24.7719
10+ ¥ 22.1956
100+ ¥ 21.7992
500+ ¥ 21.4029
1000+ ¥ 21.4029
库存: 1764
起订量: 3 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 24.77
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
AIMZA75R027M1HXKSA1 ¥ 85.3314
AIMZA75R060M1HXKSA1 ¥ 42.9759
BSM600C12P3G201 ¥ 9572.0118
C2M0025120D ¥ 257.301
C2M0160120D ¥ 51.98
C2M0280120D ¥ 41.8222
C2M1000170D ¥ 88.5809
C2M1000170J ¥ 0
C3M0021120K ¥ 171.534
C3M0032120K ¥ 128.1093