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C3M0021120K

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A Automotive 4-Pin(4+Tab) TO-247
供应商型号: C3M0021120K
供应商: 国内现货
标准整包数: 10
CREE 碳化硅场效应管 C3M0021120K

C3M0021120K概述

    C3M0021120K Silicon Carbide Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    C3M0021120K 是由 Cree 公司生产的一种硅碳化物(SiC)功率 MOSFET。这种电子元器件属于 N-通道增强模式器件,采用第三代 SiC 技术。它具有高击穿电压和低导通电阻,适用于太阳能逆变器、电动汽车电机驱动、高压直流/直流转换器、开关电源和负载开关等领域。

    技术参数


    以下是 C3M0021120K 的技术规格和电气特性:
    - 最大耐压:1200V(VDSmax)
    - 连续漏极电流:100A(VGS = 15V,TC = 25°C)
    - 导通电阻:21mΩ(VGS = 15V,ID = 50A)
    - 最大额定功率:469W(TC = 25°C,TJ = 175°C)
    - 工作温度范围:-40°C 至 +175°C(TJ, Tstg)
    - 栅源电压范围:-4V/+15V(静态)
    - 门限电压:1.8V 至 3.6V(VDS = VGS,ID = 17.7mA)
    - 输入电容:4818pF(VGS = 0V,VDS = 1000V,f = 1MHz)
    其他重要参数包括输出电容、反向传输电容、存储能量、关断和开通损耗等,详见技术手册。

    产品特点和优势


    C3M0021120K 的主要特点如下:
    - 第三代 SiC 技术:提供更高的系统效率。
    - 优化封装:单独的驱动源引脚,增强系统可靠性。
    - 高可靠性:无卤素,符合 RoHS 标准。
    优势包括:
    - 减少开关损耗:通过降低栅极振铃效应。
    - 提高系统效率:适用于高频应用。
    - 降低冷却需求:提高功率密度。
    - 增加系统开关频率:提高系统灵活性和适应性。

    应用案例和使用建议


    C3M0021120K 在太阳能逆变器、电动汽车电机驱动、高压直流/直流转换器、开关电源和负载开关中有广泛应用。建议在这些应用中遵循正确的热管理和电路设计原则,以确保最佳性能。
    例如,在太阳能逆变器中,可以利用其低开关损耗和高耐压特性来提高系统的整体效率。在电动汽车中,该器件的高开关频率和低散热需求有助于提升系统的可靠性和续航能力。

    兼容性和支持


    C3M0021120K 具有良好的兼容性,适合大多数标准 PCB 布局。Cree 公司提供了详细的文档和工具支持,包括 SPICE 模型、隔离门驱动参考设计和评估板。用户可以从 Cree 官方网站获取更多资源和支持信息。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:栅极电压超出规定范围导致器件损坏。
    - 解决方案:确保栅极电压保持在规定的范围内,具体参见技术手册中的 VGSmax 和 VGSop 参数。

    - 问题 2:高温环境下出现过热问题。
    - 解决方案:进行充分的散热设计,合理选择散热片或散热器,并根据技术手册中的热阻参数进行计算。

    总结和推荐


    总体来说,C3M0021120K 是一款高性能的 SiC 功率 MOSFET,具备出色的开关特性和高效的性能。在太阳能逆变器、电动汽车、高压直流转换器和电源管理等应用中表现优异。强烈推荐该器件给需要高性能和高可靠性的应用场合。
    本文档详细介绍了 C3M0021120K 的技术参数、特点、应用案例及使用建议。希望这些信息能帮助您更好地理解和应用这款先进的电子元器件。

C3M0021120K参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 -
击穿电压 -
Idss-饱和漏极电流 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Id-连续漏极电流 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 -
包装方式 管装

C3M0021120K厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

C3M0021120K数据手册

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CREE 碳化硅场效应管 CREE C3M0021120K C3M0021120K数据手册

C3M0021120K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 171.534
500+ ¥ 168.5508
3000+ ¥ 165.5676
10000+ ¥ 161.0928
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