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C3M0032120K

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: WOLFSPEED
产品描述: Wolfspeed N沟道增强型MOS管, Vds=1200 V, 63 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚
供应商型号: UA-C3M0032120K
供应商: 海外现货
标准整包数: 30
WOLFSPEED 碳化硅场效应管 C3M0032120K

C3M0032120K概述

    # Wolfspeed C3M0032120K Silicon Carbide Power MOSFET 技术综述

    产品简介


    Wolfspeed 的 C3M0032120K 是一款高性能的第三代硅碳(SiC)功率 MOSFET,专为高效率电力转换应用设计。它采用 N 沟道增强模式结构,支持 1200V 的高阻断电压和低导通电阻,特别适合于高压环境下的快速开关需求。此产品具有优异的性能和可靠性,广泛应用于电机控制、电动汽车电池充电器、高压直流/直流转换器等领域。

    技术参数


    以下是 C3M0032120K 的关键电气参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 | 测试条件 |
    ||
    | 栅极-源极击穿电压 | V(BR)DSS | - | 1200 | - | V | VGS = 0V, ID = 100 μA |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | 1.8 | 2.5 | 3.6 | V | VDS = VGS, ID = 11.5 mA |
    | 导通状态电阻 | RDS(on) | 23 | 32 | 43 | mΩ | VGS = 15V, ID = 40 A |
    | 集电极连续电流 | ID | - | 69 | - | A | TC = 25°C, TJ ≤ 175°C |
    | 栅极总电荷 | Qg | - | 1183 | - | nC | VDS = 800V, VGS = 15V |
    | 热阻抗(结到环境) | RJA | - | 40 | - | °C/W | - |

    产品特点和优势


    特点:
    1. 第三代 SiC 技术,提供卓越的高温性能和开关速度。
    2. 包装设计优化,带有独立驱动源引脚,便于安装和调试。
    3. 8mm 的爬电距离,确保良好的绝缘性能。
    4. 快速恢复二极管,具有低反向恢复电荷(Qrr)。
    优势:
    1. 显著减少开关损耗,降低门极震荡。
    2. 提升系统效率,减少冷却需求。
    3. 增强功率密度,提升系统开关频率。
    4. 符合 RoHS 和无卤素标准,绿色环保。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电动汽车电池充电器:在高压充电场景中,C3M0032120K 可实现高效的能量转换。
    2. 高压直流/直流转换器:其高阻断电压和低导通电阻特性使其非常适合此类应用。
    3. 电机控制:通过快速开关能力和高可靠性,可优化电机的动态响应。
    使用建议:
    1. 在高功率应用中,合理分配散热片以满足热管理要求。
    2. 注意控制驱动电压(推荐值为 15V),以避免过压损坏。
    3. 在并联使用时,需关注器件的匹配性以均衡负载分布。

    兼容性和支持


    C3M0032120K 支持主流的 TO-247-4L 封装形式,易于集成到现有设计中。Wolfspeed 提供全面的技术支持和维护服务,包括应用笔记(如 PRD-04814)和技术文档更新。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度过慢 | 检查驱动电路是否满足额定值,适当降低寄生电感。 |
    | 温度过高 | 检查散热设计是否合理,增加散热片或风扇辅助降温。 |
    | 栅极振荡现象严重 | 确保正确布线,减少寄生电感的影响。 |

    总结和推荐


    综合评估:
    C3M0032120K 具备领先的 SiC 技术和出色的性能表现,尤其适用于高压、高频应用场景。其高效率、高可靠性和环保特性使其在市场上极具竞争力。
    推荐意见:
    强烈推荐给需要高性能功率器件的工程师和企业。结合 Wolfspeed 的技术支持和售后服务,这款产品将是您理想的选择。

    版权所有 © 2024 Wolfspeed, Inc.

C3M0032120K参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V@11.5mA
最大功率 341W
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 15V
最大功率耗散 283W(Tc)
Idss-饱和漏极电流 50μA
栅极电荷 118nC@ 15 V
配置 独立式
Id-连续漏极电流 48A
击穿电压 1.2KV
Rds(On)-漏源导通电阻 43mΩ@ 40A,15V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.357nF@1000V
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
27.97mm(Max)
通用封装 TO-247-4L
安装方式 通孔安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 管装

C3M0032120K厂商介绍

Wolfspeed是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的研发和生产。公司主营产品包括:

1. 碳化硅(SiC):包括SiC功率器件、SiC MOSFETs、SiC二极管等,广泛应用于电动汽车、可再生能源、工业电源等领域。

2. 氮化镓(GaN):包括GaN功率器件、GaN射频器件等,应用于5G通信、**、**通信等领域。

3. 硅(Si):包括硅功率器件、硅MOSFETs等,应用于消费电子、工业控制等领域。

Wolfspeed的优势在于:

1. 技术领先:拥有全球领先的SiC和GaN技术,产品性能卓越。

2. 品质可靠:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。

3. 客户服务:提供专业的技术支持和定制化服务,满足客户的个性化需求。

4. 持续创新:持续投入研发,推动SiC和GaN技术的创新和应用。

C3M0032120K数据手册

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C3M0032120K封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ $ 15.2875 ¥ 128.1093
60+ $ 15.0125 ¥ 125.8048
90+ $ 13.9375 ¥ 116.7963
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