处理中...

首页  >  产品百科  >  NTHL1000N170M1

NTHL1000N170M1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 14nC@ 20 V 48W 150pF@1000V 1.43Ω@ 2A,20V 1.7KV 4.3V@ 640µA 25V 1个N沟道 TO-247-3 通孔安装
供应商型号: NTHL1000N170M1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1000
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTHL1000N170M1

NTHL1000N170M1概述

    NTHL1000N170M1 Silicon Carbide MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTHL1000N170M1 是一款由安森美半导体(onsemi)生产的硅碳(Silicon Carbide, SiC)功率 MOSFET,型号为 NTHL1000N170M1。该产品属于 EliteSiC 系列,具有960毫欧姆的导通电阻,1700伏特的耐压能力,并采用 TO-247-3L 封装。这种 MOSFET 主要应用于太阳能逆变器、电动汽车充电站、储能系统、开关模式电源供应(SMPS)和不间断电源(UPS)等领域。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 耐压:VDSS = 1700 V
    - 栅极至源极电压范围:VGS = -15/+25 V
    - 漏极连续电流(稳态):ID = 4.2 A(TC = 25°C);ID = 3 A(TC = 100°C)
    - 最大功耗:PD = 48 W(TC = 25°C);PD = 24 W(TC = 100°C)
    - 单脉冲漏极至源极雪崩能量:EAS = 24 mJ
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C 至 +175°C
    - 电气特性
    - 开启状态电阻(典型值):RDS(on) = 960 mΩ(VGS = 20 V, ID = 2 A, TJ = 25°C)
    - 输入电容(典型值):CISS = 150 pF
    - 输出电容(典型值):COSS = 11 pF
    - 反向传输电容(典型值):CRSS = 0.6
    - 总栅极电荷(典型值):QG(TOT) = 14 nC
    - 开关损耗:EON = 120 μJ,EOFF = 11 μJ,总损耗:Etot = 131 μJ

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷:典型值为 14 nC,有助于降低开关损耗。
    - 低输出电容:典型值为 11 pF,有助于提高开关速度。
    - 高可靠性:经过100%雪崩测试,保证在恶劣环境下的可靠性能。
    - 符合RoHS标准:无铅环保设计。

    4. 应用案例和使用建议


    - 太阳能逆变器:在高效能转换过程中,低导通电阻和高耐压特性确保了系统的稳定运行。
    - 电动汽车充电站:其高效的开关性能和低功耗特性有助于提高充电效率。
    - 储能系统:通过高耐压能力和低栅极电荷,确保系统在大电流下稳定工作。
    使用建议:
    - 在使用时要注意栅极驱动电压不超过推荐的最大值(VGSop = -5/+20 V),以避免过高的栅极应力。
    - 需要注意散热管理,特别是在高负载条件下,以避免热失控。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTHL1000N170M1 支持与多种标准电源管理和控制系统兼容。
    - 支持和服务:安森美提供全面的技术文档和客户支持,确保用户能够顺利进行安装和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:启动时出现异常电流。
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动电压正确且稳定。
    - 问题2:长时间工作后发现器件发热严重。
    - 解决方案:增加散热措施,如使用散热片或风扇,确保良好的热管理。

    7. 总结和推荐


    NTHL1000N170M1 MOSFET 是一款高效能、高可靠性的 SiC 功率 MOSFET,适用于多种高压、大功率应用。其出色的开关特性和低功耗特性使其成为电力电子领域内的优选产品。对于需要高性能、长寿命和环保要求的应用场景,强烈推荐使用此产品。

NTHL1000N170M1参数

参数
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 48W
Rds(On)-漏源导通电阻 1.43Ω@ 2A,20V
Vds-漏源极击穿电压 1.7KV
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 14nC@ 20 V
Vgs-栅源极电压 25V
配置 -
击穿电压 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@ 640µA
最大功率 -
Idss-饱和漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 150pF@1000V
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

NTHL1000N170M1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTHL1000N170M1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTHL1000N170M1 NTHL1000N170M1数据手册

NTHL1000N170M1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1000+ ¥ 25.272
2000+ ¥ 22.356
3000+ ¥ 21.6011
4000+ ¥ 21.0519
库存: 3000
起订量: 1000 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:1000
合计: ¥ 25272
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
AIMZA75R060M1HXKSA1 ¥ 48.845
BSM300C12P3E301 ¥ 5440.9633
BSM600C12P3G201 ¥ 9572.0118
C2M0025120D ¥ 257.301
C2M0160120D ¥ 51.98
C2M1000170D ¥ 25.99
C2M1000170D ¥ 88.5809
C2M1000170J ¥ 74.3532
C3M0025065K ¥ 106.559
C3M0032120K ¥ 146.2188