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NTBG080N120SC1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道MOS管, Vds=1200 V, 30 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 7引脚
供应商型号: NTBG080N120SC1
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTBG080N120SC1

NTBG080N120SC1概述


    产品简介


    NTBG080N120SC1是一款由onsemi生产的硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)MOSFET——EliteSiC,其主要特点包括:低导通电阻(典型值为80 mΩ),超低门极电荷(典型值为56 nC),低有效输出电容(典型值为79 pF),并经过100%雪崩测试,适用于多种高压环境,结温可达175°C。这款MOSFET广泛应用于不间断电源(UPS)、直流到直流转换器(DC-DC Converter)以及升压逆变器(Boost Inverter)等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDSS):1200 V
    - 最大栅源电压 (VGS):-15/+25 V
    - 连续漏电流 (TC=25°C时) (ID):30 A
    - 功率耗散 (TC=25°C时) (PD):179 W
    - 重复脉冲漏电流 (TC=25°C时) (IDM):110 A
    - 最大结温和存储温度范围 (TJ, Tstg):-55至+175°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):171 mJ
    - 零门极电压漏电流 (IDSS):在TJ=25°C时为100 μA,在TJ=175°C时为1 mA
    - 门极到源极泄露电流 (IGSS):±1 μA
    - 栅源电荷 (QGS):18 nC
    - 栅到漏电荷 (QGD):11 nC
    - 反向传输电容 (CRSS):7.9 pF
    - 输入电容 (CISS):1154 pF
    - 总门极电荷 (QG(TOT)):56 nC

    产品特点和优势


    NTBG080N120SC1的最大优势在于其极低的导通电阻(80 mΩ)和超低的门极电荷(56 nC),这些特性使其在高频开关应用中表现出色,降低了功耗,提高了效率。此外,该产品具备出色的热稳定性,能够在极端环境下稳定运行,且其通过100%雪崩测试,确保了高可靠性。另外,它还符合无卤素要求及RoHS标准,体现了环保特性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 不间断电源(UPS):利用其低损耗和高可靠性,适合用于电源管理系统中的关键部件。
    - 直流到直流转换器(DC-DC Converter):该MOSFET可以在高压环境中高效工作,适用于多种工业和消费类电子产品。
    - 升压逆变器(Boost Inverter):由于其极低的输出电容和快速的开关性能,可以有效提升系统的整体效率。
    使用建议
    在设计电路时,应考虑其工作环境(尤其是温度条件),确保在极端温度下依然能够保持良好的性能。同时,要注意避免超负荷运行,以防止设备过热。为了优化性能,建议使用适当的散热措施,如散热片或热管,并合理安排散热路径,以降低器件内部的温度。

    兼容性和支持


    该产品与大多数工业标准接口兼容,适配性强。此外,onsemi公司提供了详尽的技术文档和在线技术支持,确保客户在使用过程中获得必要的帮助。其支持服务包括故障诊断、软件更新和定制化技术支持等,为用户提供全方位保障。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过热导致性能下降 | 确保正确的散热措施,如增加散热片或使用热管。 |
    | 开关频率过高引起噪音 | 减少开关频率或选择更适合高频工作的电路配置。 |
    | 无法启动 | 检查门极驱动信号,确保正确连接和信号强度。 |

    总结和推荐


    总体而言,NTBG080N120SC1是一款性能卓越、适用范围广的SiC MOSFET。它的超低导通电阻和门极电荷特性使其在众多高压应用中具有显著的优势。结合其出色的可靠性、高热稳定性和环境友好性,推荐在需要高能效和高可靠性的应用场合中使用。对于需要在高压环境中稳定运行的设计者来说,这无疑是一个值得信赖的选择。

NTBG080N120SC1参数

参数
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.154nF@800V
栅极电荷 56nC@ 20V
最大功率 -
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@ 20A,20V
Id-连续漏极电流 30A
配置 -
FET类型 1个N沟道
击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
最大功率耗散 179W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@5mA
通用封装 D2PAK-7
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTBG080N120SC1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBG080N120SC1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1数据手册

NTBG080N120SC1封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 82.6384
200+ ¥ 80.1437
400+ ¥ 77.7385
800+ ¥ 62.3921
4000+ ¥ 61.1448
库存: 745
起订量: 10 增量: 0
交货地:
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