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NTH4L030N120M3S

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 107nC@ 18V 313W 2.43nF@ 800V 1.2KV 1 39mΩ@ 18V 73A 1.2KV 4.4V 22V TO-247-4L
供应商型号: WU-NTH4L030N120M3S
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTH4L030N120M3S

NTH4L030N120M3S概述

    NTH4L030N120M3S Silicon Carbide (SiC) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NTH4L030N120M3S 是一款由 onsemi 公司生产的硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)MOSFET,属于 EliteSiC 系列。该产品采用 TO-247-4L 封装形式,具备出色的导电性能和高速开关能力。主要应用于太阳能逆变器、电动汽车充电站、不间断电源系统(UPS)、储能系统以及开关模式电源(SMPS)等领域。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和电气特性:
    - 漏源电压 (VDSS):1200 V
    - 栅源电压 (VGS):-10/+22 V
    - 连续漏极电流 (ID):25°C 下为 73 A,100°C 下为 52 A
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM):25°C 下为 193 A
    - 最高操作结温和存储温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):VDS = 1200 V,TJ = 25°C 下为 ≤ 100 µA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):VGS = +22/-10 V,VDS = 0 V 下为 ±1 µA
    - 栅阈值电压 (VGS(TH)):VGS = VDS,ID = 15 mA 下为 2.04 V 至 4.4 V
    - 漏源通态电阻 (RDS(on)):VGS = 18 V,ID = 30 A,TJ = 25°C 下为 29 mΩ,TJ = 175°C 下为 58 mΩ
    - 输入电容 (CISS):VGS = 0 V,f = 1 MHz,VDS = 800 V 下为 2430 pF
    - 输出电容 (COSS):106 pF
    - 总栅电荷 (QG(TOT)):VGS = -3/18 V,VDS = 800 V,ID = 30 A 下为 107 nC
    - 开启延时时间 (td(ON)):VGS = -3/18 V,VDS = 800 V,ID = 30 A,RG = 4.7 Ω 下为 13 ns
    - 反向恢复时间 (tRR):VGS = -3/18 V,ID = 30 A,dIS/dt = 1000 A/µs,VDS = 800 V 下为 20 ns
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):基于 TJ = 25°C,L = 1 mH,IAS = 21 A,VDD = 100 V,VGS = 18 V 下为 220 mJ

    产品特点和优势


    - 超低门极电荷 (QG(tot)):107 nC,实现高速开关性能。
    - 高能效:超低漏源通态电阻 (RDS(on)),降低功耗。
    - 高温稳定性:在 -55°C 到 +175°C 的宽温范围内保持稳定的性能。
    - 高可靠性:通过100% 雪崩测试,确保长期稳定运行。
    - 环保设计:无卤素,符合RoHS标准,铅含量低于限制。

    应用案例和使用建议


    典型应用 包括太阳能逆变器、电动汽车充电站、不间断电源系统(UPS)和开关模式电源(SMPS)。针对不同的应用场合,使用建议如下:
    - 太阳能逆变器:利用其高效率和快速开关能力,可以显著提高系统的整体转换效率。
    - 电动汽车充电站:适用于高压大电流的应用环境,能有效减少热损耗,提升安全性。
    - UPS 系统:提供高效的电力转换和低导通电阻,延长电池寿命。
    - 开关模式电源:利用其低栅电荷特性,实现快速开关和高频率操作,提高系统效率。
    使用建议:
    - 在设计系统时,确保合适的散热措施,以避免过热导致的性能下降。
    - 选择合适的驱动电路,优化栅极电阻,进一步提升开关速度。
    - 注意应用环境的温度范围,确保产品在预期的工作条件下稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品与市场上常见的其他电子元器件和设备具有良好的兼容性。onsemi 提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、应用指南和技术支持热线,确保用户能够顺利部署和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:产品在高频开关应用中表现不稳定。
    - 解决方案:优化驱动电路的设计,适当增加栅极电阻,改善开关性能。

    - 问题二:长时间工作后,产品出现异常发热现象。
    - 解决方案:检查散热方案是否合理,必要时增加外部冷却装置,如风扇或散热片。

    总结和推荐


    NTH4L030N120M3S 作为一款高性能的硅碳化物 MOSFET,在多个方面展现出了卓越的性能,特别是在高功率和高效率应用中。其独特的超低栅电荷和高可靠性使其在市场上的竞争力非常强。综合来看,这款产品非常适合用于对性能和可靠性要求高的应用场合。强烈推荐在相关项目中使用。
    本手册详细介绍了 NTH4L030N120M3S 的主要技术参数和应用指南,旨在帮助工程师更好地理解和使用这款高性能的电子元器件。

NTH4L030N120M3S参数

参数
最大功率 -
Id-连续漏极电流 73A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
FET类型 -
击穿电压 1.2KV
Rds(On)-漏源导通电阻 39mΩ@ 18V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.4V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.43nF@ 800V
Idss-饱和漏极电流 -
栅极电荷 107nC@ 18V
最大功率耗散 313W
Vgs-栅源极电压 22V
配置 -
通用封装 TO-247-4L
应用等级 工业级
包装方式 管装

NTH4L030N120M3S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTH4L030N120M3S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTH4L030N120M3S NTH4L030N120M3S数据手册

NTH4L030N120M3S封装设计

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