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NTH4L040N120M3S

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 75nC 231W 1.2KV 1 54A 1.2KV 4.4V 1个N沟道 TO-247-4L 通孔安装
供应商型号: NTH4L040N120M3S
供应商: 国内现货
标准整包数: 2
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTH4L040N120M3S

NTH4L040N120M3S概述


    产品简介


    NTH4L040N120M3S 硅碳化物(SiC)MOSFET – EliteSiC
    - 产品类型:硅碳化物(SiC)MOSFET,适用于高压和高频应用。
    - 主要功能:提供超低栅极电荷、高速开关和高可靠性,适用于多种电力转换和控制应用。
    - 应用领域:太阳能逆变器、电动汽车充电站、不间断电源(UPS)、储能系统、开关模式电源(SMPS)等。

    技术参数


    - 漏源电压(VDSS):1200 V
    - 栅源电压(VGS):−10/+22 V
    - 连续漏极电流(稳态):25°C 时为 54 A,100°C 时为 38 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):25°C 时为 134 A
    - 工作温度范围:−55°C 至 +175°C
    - 阈值电压(VGS(TH)):2.04 V 至 4.4 V
    - 导通电阻(RDS(on)):18 V 时为 40 mΩ(典型值),175°C 时最高可达 80 mΩ
    - 栅极电荷(QG(TOT)):75 nC(典型值)
    - 输入电容(CISS):1700 pF(典型值)
    - 输出电容(COSS):80 pF(典型值)
    - 总开关损耗(Etot):248 μJ(典型值)

    产品特点和优势


    - 超低栅极电荷:75 nC,确保了高效的开关性能。
    - 高可靠性:100% 雪崩测试通过,确保极端条件下的可靠性能。
    - 高速开关:开关时间和开关损耗都经过优化,适合高速应用。
    - 高温稳定性:在高工作温度下仍能保持稳定的性能。
    - 环保材料:无卤素,符合RoHS标准,免除铅焊点(Pb-Free 2LI)。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 太阳能逆变器:使用 SiC MOSFET 可以显著提高逆变器的效率,降低损耗。
    - 电动汽车充电站:适用于高功率密度的充电解决方案。
    - UPS(不间断电源):提供更高效和可靠的电源转换。
    - 储能系统:提升储能系统的转换效率和可靠性。
    - SMPS(开关模式电源):适用于需要高效率和小尺寸的应用。
    使用建议
    - 温度管理:由于SiC MOSFET的工作温度范围广,建议进行良好的散热设计以确保稳定运行。
    - 驱动电路设计:由于栅极电荷较低,可选用低容量驱动电路,减少驱动能耗。
    - 保护措施:考虑到雪崩耐受能力,应在电路设计中加入必要的保护措施,如瞬态电压抑制器(TVS)二极管。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与现有直流母线和功率转换系统兼容,易于集成。
    - 支持和服务:提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持和本地销售代表协助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何选择合适的驱动电阻?
    - 解决方案:根据栅极电荷和驱动电路的容量,选择合适的驱动电阻值以保证快速和可靠的开关。
    2. 问题:在高温环境下,性能是否会下降?
    - 解决方案:虽然在高温条件下性能略有下降,但产品已通过严格的高温测试,可以通过良好的散热设计来缓解这一问题。
    3. 问题:如何防止静电损坏?
    - 解决方案:使用适当的ESD防护措施,例如防静电包装和操作台,确保产品在整个供应链中的安全。

    总结和推荐


    总体评价
    NTH4L040N120M3S SiC MOSFET凭借其卓越的电气性能、宽工作温度范围、低栅极电荷和高可靠性,成为众多高压和高频电力转换应用的理想选择。
    推荐
    - 适用场景:适合需要高性能和高可靠性的电力电子应用,如太阳能逆变器、电动汽车充电站、UPS和储能系统等。
    - 推荐度:鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,强烈推荐使用此产品。
    通过精心设计和合理应用,NTH4L040N120M3S SiC MOSFET能够有效提升各类电力电子系统的效率和可靠性,满足现代电力需求。

NTH4L040N120M3S参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 54A
最大功率 -
Idss-饱和漏极电流 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
击穿电压 1.2KV
栅极电荷 75nC
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.4V
最大功率耗散 231W
通用封装 TO-247-4L
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
包装方式 管装

NTH4L040N120M3S厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTH4L040N120M3S数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTH4L040N120M3S NTH4L040N120M3S数据手册

NTH4L040N120M3S封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
450+ ¥ 27.83
900+ ¥ 27.346
1350+ ¥ 26.862
1800+ ¥ 26.136
库存: 4500
起订量: 450 增量: 450
交货地:
最小起订量为:450
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