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NTBG040N120SC1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOSFET管 NTB系列, Vds=1200 V, 60 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 7引脚
供应商型号: 2025690
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTBG040N120SC1

NTBG040N120SC1概述

    硅碳化物(SiC)MOSFET技术手册

    产品简介


    本手册介绍的是型号为NTBG040N120SC1的硅碳化物(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有低导通电阻(典型值为40毫欧),适用于不间断电源(UPS)、直流到直流转换器和升压逆变器等多种应用场景。NTBG040N120SC1具备超低栅极电荷(典型值为106纳库仑)和低有效输出电容(典型值为139皮法),可确保其在高频率应用中的高效表现。

    技术参数


    - 关键参数
    - 导通电阻:RDS(on) = 40 毫欧(典型值)
    - 栅极电荷:QG(TOT) = 106 nC(典型值)
    - 输出电容:Coss = 139 pF(典型值)
    - 最大栅源电压:VGS = ±25/−15 V
    - 最大漏源电压:VDSS = 1200 V
    - 最大连续漏电流:ID = 60 A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏电流:IDM = 240 A(TA=25°C)
    - 工作温度范围:TJ = −55°C 到 +175°C
    - 热阻抗:
    - RθJC = 0.42 °C/W(结至壳)
    - RθJA = 40 °C/W(结至环境)

    产品特点和优势


    NTBG040N120SC1具有以下显著特点:
    - 低导通电阻:适合需要高效率的应用,尤其是在高频应用中表现出色。
    - 低栅极电荷:可以减少开关损耗,提高整体系统效率。
    - 高温稳定性:可在175°C的高温环境下稳定工作,适用于严苛的工作环境。
    - 无卤素且符合RoHS标准:满足环保要求,对环境保护友好。

    应用案例和使用建议


    根据手册中的应用场景,NTBG040N120SC1适用于以下领域:
    - 不间断电源(UPS):可以实现高效的能量转换,提高系统的可靠性。
    - 直流到直流转换器:由于其低栅极电荷,可以减少转换过程中的损耗,提升转换效率。
    - 升压逆变器:在高电压应用中表现出色,能够在高频下保持高效运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,注意散热管理,确保NTBG040N120SC1能够在规定的温度范围内正常工作。
    - 选择合适的栅极驱动器,以确保有效的开关控制。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与标准的2引脚封装(D2PAK-7L)兼容,易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供了详细的技术文档和在线支持,以帮助客户解决设计中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:产品在长时间工作后发热严重。
    - 解决方案:检查电路的设计,确保合理的散热措施,例如使用更大的散热片或改进通风设计。
    - 问题:产品出现击穿现象。
    - 解决方案:确认所用的工作条件符合产品的最大额定值,必要时调整电路设计以降低电压应力。

    总结和推荐


    NTBG040N120SC1作为一款高性能的硅碳化物MOSFET,以其出色的导通电阻和低栅极电荷特性,在高频、高温应用中表现出色。推荐用于需要高效率和良好热稳定性的应用场景。无论是设计UPS、直流到直流转换器还是升压逆变器,这款产品都能提供可靠的支持。ON Semiconductor提供的详尽文档和支持将使用户能够充分发挥其潜力。

NTBG040N120SC1参数

参数
Idss-饱和漏极电流 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 35A,20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@10mA
击穿电压 -
最大功率 -
最大功率耗散 357W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
栅极电荷 106nC@ 20 V
Id-连续漏极电流 60A
FET类型 1个N沟道
配置 -
Vgs-栅源极电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.789nF@800V
通用封装 D2PAK-7
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTBG040N120SC1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTBG040N120SC1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NTBG040N120SC1 NTBG040N120SC1数据手册

NTBG040N120SC1封装设计

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