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NVBG020N090SC1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 200nC@ 15 V 3.7W(Ta),477W(Tc) 4.415nF@450V 28mΩ@ 60A,15V 900V 4.3V@20mA 19V 1个N沟道 D2PAK-7 贴片安装
供应商型号: 3367862
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NVBG020N090SC1

NVBG020N090SC1概述

    硅碳化物(SiC)MOSFET — 20毫欧,900伏,NVBG020N090SC1

    产品简介


    硅碳化物(SiC)MOSFET NVBG020N090SC1 是一款高性能的功率半导体器件,适用于汽车应用中的车载充电器和电动汽车/混合动力汽车的DC-DC转换器。它采用D2PAK-7L封装,具有出色的导通电阻(RDS(on))、超低门极电荷(QG(tot))和低输出电容(Coss),适合高频开关应用。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 (VDSS): 900 V
    - 门极源极电压 (VGS): +22/−8 V
    - 连续漏极电流 (ID): 112 A(TA = 25°C)
    - 最大功耗 (PD): 477 W(TA = 25°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 448 A(TA = 25°C)
    - 单脉冲浪涌漏极电流能力 (IDSC): 854 A(TA = 25°C, tp = 10 µs, RG = 4.7 Ω)
    - 电气特性(TJ = 25°C):
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 900 V
    - 零门极电压漏极电流 (IDSS): 100 μA
    - 门极至源极泄漏电流 (IGSS): ±1 μA
    - 导通门极电压 (VGS(TH)): 1.8~4.3 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 20 mΩ(VGS = 15 V, ID = 60 A)
    - 前向传输导纳 (gFS): 49 S
    - 输入电容 (CISS): 4415 pF(VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 450 V)
    - 输出电容 (COSS): 295 pF
    - 总门极电荷 (QG(TOT)): 200 nC

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:典型值为20毫欧,确保高效的电力转换。
    2. 超低门极电荷:典型值为200 nC,降低驱动损耗,提高开关频率。
    3. 低输出电容:典型值为295 pF,减少开关损耗,提高效率。
    4. 高可靠性:经过100%雪崩测试,符合AEC-Q101标准。
    5. 环保材料:无卤素,符合RoHS标准,免铅设计,适用于严格的环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 应用领域:适合于电动汽车和混合动力汽车的车载充电器和DC-DC转换器。
    - 使用建议:
    - 在高频开关应用中,选择合适的门极驱动电阻,以降低驱动损耗。
    - 在高温环境下,考虑到温度对导通电阻的影响,需要适当调整驱动电压。
    - 确保散热设计足够良好,以避免过热和损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与其他D2PAK-7L封装的器件兼容,方便替换。
    - 支持服务:提供全面的技术文档和在线支持,确保客户能够快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何降低器件的功耗?
    - A: 通过降低门极电荷和优化电路设计来减少开关损耗。
    - Q: 高温环境下如何保证性能稳定?
    - A: 选择合适的散热器,确保良好的热管理。
    - Q: 门极电压如何设置以获得最佳性能?
    - A: 推荐门极电压为15 V,可以显著降低导通电阻,提高效率。

    总结和推荐


    NVBG020N090SC1是一款出色的SiC MOSFET,具备低导通电阻、低门极电荷和高可靠性的特点。它在汽车应用中表现优异,适用于车载充电器和DC-DC转换器。其优秀的性能使其成为同类产品中的佼佼者。我们强烈推荐在需要高效、可靠的电力转换应用中使用这款器件。

NVBG020N090SC1参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@20mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.415nF@450V
Vgs-栅源极电压 19V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 28mΩ@ 60A,15V
击穿电压 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 3.7W(Ta),477W(Tc)
通道数量 -
最大功率 -
栅极电荷 200nC@ 15 V
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 900V
通用封装 D2PAK-7
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVBG020N090SC1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVBG020N090SC1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NVBG020N090SC1 NVBG020N090SC1数据手册

NVBG020N090SC1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 226.5297
10+ ¥ 218.4394
100+ ¥ 218.4394
500+ ¥ 218.4394
800+ ¥ 218.4394
库存: 471
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