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NVBG040N120SC1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOSFET管 NVB系列, Vds=1200 V, 60 A, D2PAK (TO-263)封装, 表面贴装, 7引脚
供应商型号: 2025731
供应商: 海外现货
标准整包数: 2
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NVBG040N120SC1

NVBG040N120SC1概述

    硅碳化物(SiC)MOSFET 技术手册:NVBG040N120SC1

    1. 产品简介


    NVBG040N120SC1 是一种硅碳化物(SiC)MOSFET,设计用于高功率和高性能应用。这款 MOSFET 具有 1200V 的额定电压和 40 mΩ 的典型导通电阻(RDS(on)),非常适合在电动汽车、混合动力汽车和其他高功率密度应用中作为开关元件。NVBG040N120SC1 在高温、高可靠性应用中表现出色,可广泛应用于汽车充电桩、车载充电器、直流-直流转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS):1200 V
    - 栅极-源极电压 (VGS):+25/-15 V
    - 最大栅极-源极电压 (VGS(op)):+20/-5 V
    - 连续漏极电流 (ID):60 A(25°C);43 A(100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):240 A(25°C)
    - 单脉冲浪涌漏极电流 (IDSC):416 A(25°C,tp=10 μs,RG=4.7 Ω)
    - 最高结温和存储温度 (TJ, Tstg):-55°C 至 +175°C
    - 最大接点温度 (TL):300°C
    - 开关损耗 (EON, EOFF):366 μJ 和 200 μJ
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)):106 nC
    - 输入电容 (CISS):1789 pF
    - 输出电容 (COSS):139 pF
    - 反向转移电容 (CRSS):12.5 pF
    - 门电阻 (RG):2 Ω

    3. 产品特点和优势


    NVBG040N120SC1 拥有诸多独特的优势:
    - 低栅极电荷 (QG(TOT)):106 nC,这使得其在高频开关应用中具有更低的能耗。
    - 超低有效输出电容 (Coss):139 pF,有助于减少开关损耗。
    - 100% 雪崩测试:确保其在极端条件下的可靠性。
    - AEC-Q101 资格认证和 PPAP 可用性:适合汽车应用。
    - 无卤素且符合 RoHS 标准:环保友好。
    这些特性使其成为高效、可靠且适用范围广泛的高功率开关元件。

    4. 应用案例和使用建议


    NVBG040N120SC1 广泛应用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的车载充电器和直流-直流转换器。例如,在电动汽车的车载充电器中,NVBG040N120SC1 可以高效地将电网交流电源转换为直流电源,以满足电池充电的需求。其低栅极电荷和低有效输出电容的特点,可以显著降低转换过程中的损耗,提高整体效率。
    使用建议:
    - 散热管理:确保良好的散热系统,以维持 MOSFET 的稳定工作温度。
    - 栅极驱动:采用合适的栅极驱动电路,以确保 MOSFET 的快速开关和低损耗。
    - 应用电路优化:根据具体的应用需求调整电路设计,以充分利用 MOSFET 的性能优势。

    5. 兼容性和支持


    NVBG040N120SC1 与多种标准封装和连接方式兼容,方便在不同类型的 PCB 上集成。此外,厂商提供了详细的文档和技术支持,以帮助用户正确安装和使用该产品。官方网站和在线论坛也提供了丰富的资源和支持,便于用户获取更多信息和寻求技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何选择合适的栅极驱动电路?
    - A: 选择具有足够驱动能力的栅极驱动器,以确保 MOSFET 快速和准确地切换。例如,使用具有低栅极电阻的驱动器来减少延迟时间和开关损耗。

    - Q: 如何处理高温工作环境?
    - A: 使用有效的热管理系统,如散热片和风扇,确保 MOSFET 工作在其最大结温范围内。同时,考虑使用具有高热导率的材料来改善散热性能。

    7. 总结和推荐


    NVBG040N120SC1 是一款性能卓越、应用广泛的 SiC MOSFET,尤其适用于高功率和高可靠性要求的应用场合。其低栅极电荷、低有效输出电容以及 AEC-Q101 资格认证等特点,使其在汽车应用中具有显著优势。我们强烈推荐该产品用于需要高效、可靠开关性能的高功率应用。
    通过详细的测试和验证,NVBG040N120SC1 展现出了出色的性能和耐用性。它不仅能满足当前的应用需求,还具备一定的未来扩展性和升级潜力。因此,无论是汽车充电器还是其他高功率密度应用,NVBG040N120SC1 都是一个值得信赖的选择。

NVBG040N120SC1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.789nF@800V
通道数量 -
最大功率耗散 357W(Tc)
配置 -
Id-连续漏极电流 60A
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 35A,20V
Idss-饱和漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@10mA
击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 25V
FET类型 1个N沟道
最大功率 -
栅极电荷 106nC@ 20V
通用封装 D2PAK-7
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVBG040N120SC1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVBG040N120SC1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NVBG040N120SC1 NVBG040N120SC1数据手册

NVBG040N120SC1封装设计

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