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NXH040F120MNF1PTG

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi igbt模块
供应商型号: 2456960
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NXH040F120MNF1PTG

NXH040F120MNF1PTG概述


    产品简介


    NXH040F120MNF1 Silicon Carbide (SiC) 模块
    NXH040F120MNF1 是一款基于40毫欧姆/1200伏特的SiC MOSFET的全桥功率模块。这款模块集成了一个热敏电阻,并提供预涂导热界面材料(TIM)和无预涂两种选项。其设计采用F1封装,特别适用于太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站以及工业电源等领域。

    技术参数


    关键参数:
    - 栅极-源极电压(VGS):+25/-15 V
    - 最大持续漏极电流(ID):30 A(TC = 80°C, TJ = 175°C)
    - 脉冲漏极电流(IDpulse):60 A(TJ = 175°C)
    - 最大功耗(Ptot):113 W(TC = 80°C, TJ = 175°C)
    - 最小工作结温(TJMIN):-40 °C
    - 最大工作结温(TJMAX):175 °C
    - 存储温度范围(Tstg):-40到150 °C
    - 隔离测试电压(Vis):4800 VRMS(1秒,60 Hz)
    热阻特性:
    - 芯片至外壳热阻(RthJC):0.8356 °C/W
    - 芯片至散热器热阻(RthJH):1.291 °C/W

    产品特点和优势


    主要特点:
    - 40毫欧姆/1200伏特的SiC MOSFET半桥
    - 集成热敏电阻,提高系统可靠性
    - 选择预涂导热界面材料(TIM)或不预涂
    - 压接式引脚,安装方便
    - Pb-Free,无卤素,RoHS符合
    独特优势:
    - SiC MOSFET 的高耐压能力和低损耗使其成为高效能应用的理想选择。
    - 较高的工作温度范围,增强了产品的可靠性和耐用性。
    - 出色的开关性能和低阈值电压,使得该模块非常适合于高效率的电力转换系统。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 太阳能逆变器:用于将太阳能转化为电能。
    - 不间断电源(UPS):确保电力系统的连续运行。
    - 电动汽车充电站:提高充电效率和稳定性。
    - 工业电源:用于各种工业设备的电源转换。
    使用建议:
    - 在设计太阳能逆变器时,应考虑模块的工作温度范围,以确保系统稳定运行。
    - 对于不间断电源系统,利用模块的高可靠性特性可以减少维护成本。
    - 在电动汽车充电站中,选用合适的导热界面材料(TIM)可以进一步提高模块的散热效果。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该模块与标准的电气连接和系统设计高度兼容,方便集成。
    - 厂商支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持,包括在线资源和技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何确定合适的TIM?
    - 解决方案:根据实际散热需求选择适当的TIM,或者直接使用已预涂TIM的产品以简化安装过程。
    问题二:模块的散热问题如何处理?
    - 解决方案:通过合理的散热设计,如增加散热器面积或使用高效的散热膏,来提高模块的散热效率。
    问题三:如何避免过温导致的损坏?
    - 解决方案:使用外部监控系统实时监测模块的温度,并采取相应措施,如调整负载或加强散热。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高性能SiC MOSFET,适合高效率应用。
    - 广泛的工作温度范围,确保系统稳定运行。
    - 预涂TIM或无预涂选项,方便安装。
    推荐使用:
    - NXH040F120MNF1是一款高效、可靠且易于集成的SiC MOSFET模块,特别适用于太阳能逆变器、不间断电源、电动汽车充电站及工业电源等领域。无论是在性能还是在性价比方面,它都是一个值得推荐的选择。

NXH040F120MNF1PTG参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@10mA
Vgs-栅源极电压 25V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.505nF@800V
最大功率 74W (Tj)
击穿电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 56mΩ@ 25A,20V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
栅极电荷 122.1nC@ 20V
最大功率耗散 113W
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
FET类型 4个N沟道
安装方式 底座安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

NXH040F120MNF1PTG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NXH040F120MNF1PTG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 ON SEMICONDUCTOR NXH040F120MNF1PTG NXH040F120MNF1PTG数据手册

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