处理中...

首页  >  产品百科  >  NSF040120L4A0Q

NSF040120L4A0Q

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: NEXPERIA
产品描述: 95nC@ 15 V 306W(Tj) 2.6nF@800V 60mΩ@ 40A,15V 1.2KV 2.9V@4mA 1个N沟道 TO-247 通孔安装
供应商型号: 4410204
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
NEXPERIA 碳化硅场效应管 NSF040120L4A0Q

NSF040120L4A0Q概述

    Nexperia NSF040120L4A0 N-Channel SiC MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    Nexperia 的 NSF040120L4A0 是一款基于碳化硅(SiC)技术的1200V功率 MOSFET,封装形式为行业标准的四引脚 TO-247 塑料封装。这款产品主要用于通过通孔技术焊接于印刷电路板上。凭借其出色的温度稳定性、极低的开关损耗和快速开关速度,它成为高功率和高电压工业应用的理想选择,如电动汽车充电基础设施、光伏逆变器和电机驱动。

    2. 技术参数


    快速参考数据
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | VDS | 漏源电压 | - | - | 1200 | V |
    | VGS | 栅源电压 | -10 | - | 22 | V |
    | Tc | 漏极电流 = 25°C | - | - | 65 | A |
    | Tc = 100°C | - | - | 46 | A |
    | IDM | 峰值漏极电流 | 脉冲;受 Tj (max) 限制 | - | - | 160 | A |
    静态特性
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | RDSon | 漏源导通电阻 | VGS = 15 V; ID = 40 A; Tj = 25 °C | - | 40 | 60 | mΩ |

    3. 产品特点和优势


    - 温度稳定性出色:即使在极端温度下也能保持稳定的性能。
    - 超低开关损耗:适用于高频和高效率的应用场景。
    - 快速反向恢复:适合需要高速度恢复特性的应用。
    - 快开关速度:提高系统整体效率。
    - 独立于温度的关断损耗:确保稳定的工作性能。
    - 快速而坚固的本征体二极管:减少额外外部二极管的需求。
    - 通过附加凯尔文源极引脚实现更快的换相和改进的开关:降低栅极电荷并提高能效。

    4. 应用案例和使用建议


    应用领域
    - 电动汽车充电基础设施:用于高功率转换。
    - 光伏逆变器:实现高效能源转换。
    - 开关电源:适合高频切换操作。
    - 不间断电源 (UPS):提供可靠的电力保护。
    - 电机驱动:实现高效能驱动控制。
    使用建议
    - 在进行系统设计时,需确保散热系统能够满足该器件的散热需求。
    - 在栅极驱动设计时,需特别注意避免过高的 VGS 导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该产品采用标准化的四引脚 TO-247 封装,易于与其他电子组件配合使用。
    - 厂商支持:Nexperia 提供详尽的技术文档和全面的技术支持,包括测试电路图和详细的测试方法。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关频率过高导致过热 | 确保适当的散热措施,增加外部散热片或采用水冷方案。 |
    | VGS 过高导致门极击穿 | 确保 VGS 不超过最大额定值。 |
    | 开关损耗过高 | 适当减小栅极电阻以提高开关速度。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    Nexperia 的 NSF040120L4A0 SiC MOSFET 在高功率和高电压应用中表现出色,特别是在电动汽车充电基础设施、光伏逆变器等领域。其优异的温度稳定性、快速开关能力和低开关损耗使其成为市场上极具竞争力的产品之一。
    推荐意见
    鉴于其卓越的性能和广泛的应用领域,强烈推荐 Nexperia NSF040120L4A0 N-Channel SiC MOSFET 用于各类高功率、高电压工业应用。

NSF040120L4A0Q参数

参数
击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.6nF@800V
栅极电荷 95nC@ 15 V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 306W(Tj)
Id-连续漏极电流 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 60mΩ@ 40A,15V
最大功率 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.9V@4mA
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

NSF040120L4A0Q厂商介绍

Nexperia是一家全球领先的半导体公司,专注于设计、制造和销售广泛的小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs。公司成立于2017年,总部位于荷兰,是全球最大的分立元件制造商之一。

Nexperia的主要产品分类包括:
1. 分立器件:包括二极管、晶体管、MOSFETs等。
2. 逻辑芯片:包括低功耗逻辑、标准逻辑、高速逻辑等。
3. 功率MOSFETs:包括低压、中压和高压MOSFETs。

Nexperia的产品广泛应用于汽车、工业、计算、消费电子等领域。在汽车领域,Nexperia的产品被用于动力总成、车身控制、安全系统等;在工业领域,产品被用于电机控制、电源管理等;在计算领域,产品被用于服务器、存储设备等;在消费电子领域,产品被用于手机、电脑、家电等。

Nexperia的优势在于:
1. 产品种类丰富,覆盖小信号分立器件、逻辑芯片和功率MOSFETs等。
2. 技术领先,拥有先进的制造工艺和封装技术。
3. 品质可靠,产品通过严格的质量控制和测试。
4. 客户服务好,提供快速响应和技术支持。
5. 供应链稳定,拥有全球布局的生产基地和物流网络。

NSF040120L4A0Q数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NEXPERIA 碳化硅场效应管 NEXPERIA NSF040120L4A0Q NSF040120L4A0Q数据手册

NSF040120L4A0Q封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 129.5179
5+ ¥ 116.0481
10+ ¥ 113.9758
50+ ¥ 111.9035
100+ ¥ 111.9035
250+ ¥ 111.9035
库存: 445
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 129.51
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
AIMZA75R060M1HXKSA1 ¥ 48.845
BSM300C12P3E301 ¥ 5440.9633
BSM400C12P3G202 ¥ 7237.0678
BSM600C12P3G201 ¥ 9572.0118
C2M0025120D ¥ 257.301
C2M0160120D ¥ 51.98
C2M1000170D ¥ 25.99
C2M1000170D ¥ 88.5809
C2M1000170J ¥ 74.3532
C3M0025065K ¥ 106.559