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MSCSM120AM11CT3AG

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 696nC@ 20V 1.067KW 9.06nF@1000V 1.067KW(Tc) 10.4mΩ@ 120A,20V 254mA 1.2KV 2.8V@3mA 2个N沟道 SP-3F 底座安装
供应商型号: NA-MSCSM120AM11CT3AG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
MICROCHIP TECHNOLOGY 碳化硅场效应管 MSCSM120AM11CT3AG

MSCSM120AM11CT3AG概述


    产品简介


    MSCSM120AM11CT3AG 硅碳(SiC)功率模块
    MSCSM120AM11CT3AG 是一款1200伏特/254安培的全硅碳功率模块,专为高效率转换器设计。它集成了硅碳(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和肖特基二极管,具备高速开关、低导通电阻和超低损耗的特点。这些特性使其适用于焊接转换器、开关模式电源、不间断电源和电动汽车电机及牵引驱动等应用领域。

    技术参数


    以下是MSCSM120AM11CT3AG 的关键电气参数和技术指标:
    | 参数 | 规格 |

    | 栅源电压 (VGS) | -10/25 V |
    | 漏源电压 (VDSS) | 1200 V |
    | 持续漏电流 (ID) | 254 A (TC = 25°C), 202 A (TC = 80°C) |
    | 门限电压 (VGS(th)) | 1.8 V (最小), 2.8 V (最大) |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 10.4 mΩ (TJ = 25°C), 13.4 mΩ (TJ = 175°C) |
    | 功率耗散 (PD) | 1067 W (TC = 25°C) |
    | 栅极输入电容 (Ciss) | 906 pF (VDS = 1000 V, f = 1 MHz) |
    | 总栅极电荷 (Qg) | 696 nC (VBus = 800 V) |
    | 关断延迟时间 (Td(off)) | 50 ns (RGon = 2.7Ω, RGoff = 1.6Ω) |
    | 反向恢复时间 (trr) | 90 ns (ISD = 120 A, VGS = -5 V, VR = 800 V, diF/dt = 3000 A/μs) |
    | 结壳热阻 (RthJC) | 0.141 °C/W |

    产品特点和优势


    特点:
    - 高速开关能力
    - 极低的导通电阻
    - 超低损耗
    - 硅碳(SiC)肖特基二极管:零反向恢复,零正向恢复,温度无关的开关行为
    - 低杂散电感
    - 凯尔文源用于简单驱动
    - 内置热敏电阻用于温度监测
    - 氮化铝(AlN)衬底提高热性能
    优势:
    - 高效转换器
    - 在高频操作下的卓越表现
    - 直接安装散热器(隔离封装)
    - 低结壳热阻
    - 焊接端子便于PCB安装
    - 低轮廓设计
    - 符合RoHS标准

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 焊接转换器
    - 开关模式电源
    - 不间断电源(UPS)
    - 电动汽车电机和牵引驱动
    使用建议:
    - 对于需要高频操作的应用,如电动汽车驱动系统,选择该模块可以显著提高系统的整体效率和可靠性。
    - 在高温环境下工作时,需要注意监控温度以确保长期稳定运行。

    兼容性和支持


    - 该模块具有良好的兼容性,可与其他微处理器和其他标准电气组件一起使用。
    - 厂商提供详细的技术支持和维护文档,包括安装指南和应用笔记。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备对静电放电敏感 | 使用适当的静电防护措施,如佩戴防静电手环。 |
    | 过高的栅源电压导致损坏 | 确保栅源电压在规定的范围内操作。 |
    | 温度过高导致故障 | 使用散热器并保证足够的空气流动以降低温度。 |

    总结和推荐


    总结:
    MSCSM120AM11CT3AG 硅碳功率模块是一款高性能的产品,具备高速开关、低导通电阻和超低损耗等优点,适用于多种应用领域。其高效率和可靠性使其成为市场上极具竞争力的产品。
    推荐:
    鉴于其出色的性能和广泛的应用范围,我们强烈推荐使用MSCSM120AM11CT3AG 硅碳功率模块,特别是在需要高效能转换和长期稳定运行的场合。

MSCSM120AM11CT3AG参数

参数
通道数量 -
最大功率 1.067KW(Tc)
FET类型 2个N沟道
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V@3mA
Rds(On)-漏源导通电阻 10.4mΩ@ 120A,20V
配置 -
击穿电压 -
最大功率耗散 1.067KW
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 254mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 9.06nF@1000V
栅极电荷 696nC@ 20V
通用封装 SP-3F
安装方式 底座安装
零件状态 在售
包装方式 管装

MSCSM120AM11CT3AG厂商介绍

Microchip Technology是一家全球领先的半导体公司,总部位于美国亚利桑那州。公司成立于1989年,专注于设计、制造和销售各种微控制器、模拟、FPGA、连接、功率管理、分立和安全产品。

Microchip Technology的产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):包括PIC、AVR和dsPIC系列,广泛应用于工业控制、消费电子、汽车电子等领域。
2. 模拟产品:包括电源管理、信号处理、接口和传感器等,用于提高系统性能和降低功耗。
3. 连接产品:包括以太网、无线和串行通信解决方案,实现设备间的高效数据传输。
4. FPGA(现场可编程门阵列):提供灵活的硬件解决方案,适用于高速数据处理和复杂逻辑设计。
5. 功率管理产品:包括电源模块、电池管理等,用于提高能效和延长设备寿命。
6. 分立产品:包括二极管、晶体管、MOSFET等,用于电路保护和信号放大。
7. 安全产品:包括加密模块、安全存储器等,保护数据安全和防止篡改。

Microchip Technology的优势在于其丰富的产品线、强大的研发能力和全球销售网络。公司不断推出创新产品,满足客户在不同应用领域的多样化需求。同时,Microchip还提供全面的技术支持和定制化解决方案,帮助客户缩短产品上市时间并降低开发成本。

MSCSM120AM11CT3AG数据手册

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MSCSM120AM11CT3AG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 341.3772 ¥ 2949.499
100+ $ 314.4204 ¥ 2716.5923
500+ $ 298.6956 ¥ 2580.73
800+ $ 291.4164 ¥ 2517.8377
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