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HC2M0080120K

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V,连续电流高达36A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势,是现代能源管理系统的核心器件。
供应商型号: HC2M0080120K TO-247-4L
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 碳化硅场效应管 HC2M0080120K

HC2M0080120K参数

参数
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
击穿电压 -
最大功率 -
配置 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通用封装 TO-247-4L

HC2M0080120K厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC2M0080120K数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 碳化硅场效应管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC2M0080120K HC2M0080120K数据手册

HC2M0080120K封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
30+ ¥ 20.52
90+ ¥ 20.178
150+ ¥ 19.665
库存: 300000
起订量: 60 增量: 30
交货地:
最小起订量为:30
合计: ¥ 615.6
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