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HC2M0080120K

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 描述: 该碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装,专为高电压、大电流应用打造。额定耐压1200V,连续电流高达36A,适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动和逆变系统,具备卓越的高温性能、低导通电阻及高效能优势,是现代能源管理系统的核心器件。
供应商型号: HC2M0080120K TO-247-4L
供应商: 国内现货
标准整包数: 30
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 碳化硅场效应管 HC2M0080120K

HC2M0080120K概述

    高效SiC MOSFET:HC2M0080120K

    产品简介


    HC2M0080120K是一款由深圳华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD)生产的硅碳(SiC)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它是一款N沟道增强型MOSFET,适用于高压直流转换器、电动车电池充电器和开关电源等应用。这款器件以其高击穿电压、低导通电阻和快速开关特性而著称,特别适合于需要高效率和紧凑设计的应用场景。

    技术参数


    - 最大耐压(VDSmax):1200 V,当栅极-源极电压(VGS)为0V且漏极电流(ID)为100μA时。
    - 栅极-源极电压(VGSmax):绝对最大值为-10/+25 V。
    - 推荐操作电压(VGSop):-5/+20 V。
    - 连续漏极电流(ID):24 A,当栅极-源极电压(VGS)为20V,温度(Tc)为100℃时,上升至36 A,当温度(Tc)为25℃时。
    - 脉冲漏极电流(ID(pulse)):80 A,脉冲宽度(tp)受限于最大结温(TJmax)。
    - 最大耗散功率(PD):192 W,当温度(Tc)为25℃时。
    - 结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55到+150℃。
    - 焊锡温度(TL):260℃,距离外壳1.6mm处保持10秒。
    - 安装扭矩(Md):1 Nm或8.8 lbf-in。

    产品特点和优势


    - 更高的系统效率:低导通电阻(RDS(on))使得系统在高频下运行时仍能保持高效。
    - 减少冷却需求:高耐压能力减少了因过热而造成的损坏风险。
    - 增加功率密度:小体积设计能够提供更大的功率输出。
    - 提高系统切换频率:快速开关特性有助于提升系统的整体性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电动汽车电池充电器:得益于其高击穿电压和快速开关速度,非常适合用于电动车电池充电器。
    - 高压直流转换器:其低导通电阻和高耐压能力使其成为高压直流转换器的理想选择。
    - 开关电源:由于其具备易并联及驱动简单的特性,是开关电源的理想组件。
    使用建议:
    - 在使用时应确保工作环境温度不超过150℃,以防止过度加热。
    - 使用过程中应避免超规格使用(如超过最大额定电压),以确保长期稳定运行。
    - 考虑到安全因素,在使用前需进行充分测试和评估。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 本产品采用TO247-4L封装,可与其他标准MOSFET管脚兼容。
    支持:
    - 深圳华轩阳电子有限公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括技术咨询、故障排查等。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 工作温度过高导致性能下降 | 确保散热系统正常运作,控制工作环境温度不超过150℃。 |
    | 超过最大额定电压使用 | 严格按照产品手册中的电气特性要求进行使用。 |
    | 开关损耗大,效率低 | 调整驱动电路参数,减少寄生电容的影响。 |

    总结和推荐


    总体来看,HC2M0080120K作为一款高性能的SiC MOSFET,在高电压和高频应用领域表现卓越。它的高击穿电压、低导通电阻、高开关速度和紧凑的设计,使其在电动汽车电池充电器、高压直流转换器以及开关电源等领域有着广泛的应用前景。尽管成本较高,但由于其优异的性能,我们仍然强烈推荐在对性能有较高要求的应用中使用此产品。

HC2M0080120K参数

参数
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Id-连续漏极电流 -
Idss-饱和漏极电流 -
配置 -
FET类型 -
Vds-漏源极击穿电压 -
Vgs-栅源极电压 -
最大功率 -
击穿电压 -
通道数量 -
通用封装 TO-247-4L

HC2M0080120K厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HC2M0080120K数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 碳化硅场效应管 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HC2M0080120K HC2M0080120K数据手册

HC2M0080120K封装设计

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