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UJ3C065080B3

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 51nC@ 15 V 115W(Tc) 1.5nF@100V 1 111mΩ@ 20A,12V 25A 650V 6V@10mA 25V,25V 独立式 1个N沟道 TO-263 贴片安装
供应商型号: DV-30151461
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
UNITED SILICON CARBIDE 碳化硅场效应管 UJ3C065080B3

UJ3C065080B3概述

    80mW - 650V SiC Cascode | UJ3C065080B3 技术手册概述

    产品简介


    UJ3C065080B3 是由United Silicon Carbide开发的一种高性能SiC(碳化硅)级联开关。它集成了高能效的G3 SiC JFET和一个优化的MOSFET,形成一种独特的结构。这种装置能够提供标准栅极驱动所需的性能,适用于各种高功率密度的应用场合,如电动汽车充电、光伏逆变器、开关电源、功率因数校正模块、电机驱动和感应加热等。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 最大电压 (VDS): 650V
    - 最大栅源电压 (VGS): ±25V
    - 漏极电流 (ID): 80mW
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 3 mJ
    - 总功率耗散 (Ptot): 65W
    - 最大工作温度 (TJ,max): 175°C
    - 工作和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 到 175°C
    - 电气特性
    - 额定阈值电压 (VG(th)): 4V ~ 6V
    - 输入电容 (Ciss): 1500 pF @ 100 kHz, VGS=0V
    - 输出电容 (Coss): 104 pF @ 100 kHz, VGS=0V
    - 反向传输电容 (Crss): 2.6 pF @ 100 kHz, VGS=0V
    - 关断延迟时间 (td(off)): 59 ns
    - 有效输出电容能量 (Eoss): 6.2 mJ

    产品特点和优势


    UJ3C065080B3 的主要优势在于其出色的反向恢复性能和低反向恢复电荷 (Qrr),使其特别适合于需要快速开关速度的应用场合。此外,它还具有较低的门极电荷 (Qg),有利于减少开关损耗。通过集成的G3 SiC JFET和优化的MOSFET,其在高温下的可靠性和稳定性得到了显著提升。这些特性使得UJ3C065080B3在众多工业和消费类电子产品中表现出色,尤其是在需要高效能开关的应用中。

    应用案例和使用建议


    UJ3C065080B3广泛应用于多种领域,如电动汽车充电站、光伏逆变器和电机驱动系统。在这些应用中,由于其优异的热稳定性和可靠性,可以在恶劣的工作环境下保持稳定的性能。为了实现最佳效果,设计时需注意PCB布局以最小化寄生效应,并在使用过程中适当增加外部门极电阻以优化反向恢复性能。

    兼容性和支持


    UJ3C065080B3设计用于与标准栅极驱动器兼容,简化了集成过程。United Silicon Carbide提供了详尽的技术支持文档和在线资源,用户可以访问其官方网站 (www.unitedsic.com) 获取更多操作指导和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何优化UJ3C065080B3的热管理?
    - 解决方案: 在设计电路时,合理选择散热器并保证良好的空气流通,以帮助降低工作温度。同时,在PCB布局上避免元件之间过热集中,确保所有连接处牢固无松动。
    - 问题:怎样改善UJ3C065080B3的开关性能?
    - 解决方案: 增加适当的外部门极电阻以减少开关瞬间的dv/dt和di/dt率,从而优化反向恢复性能。确保在测试时使用高质量的示波器进行监测,以便准确评估性能。

    总结和推荐


    UJ3C065080B3凭借其卓越的电气特性和广泛的适用范围,成为高性能开关解决方案的理想选择。无论是针对需要高效率和高可靠性的应用,还是要求紧凑设计的场景,这款产品都能展现出色的表现。因此,强烈推荐UJ3C065080B3作为各类高功率应用的理想元器件选择。

UJ3C065080B3参数

参数
Vgs-栅源极电压 25V,25V
配置 独立式
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.5nF@100V
击穿电压 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 115W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 6V@10mA
Rds(On)-漏源导通电阻 111mΩ@ 20A,12V
最大功率 -
Idss-饱和漏极电流 -
Id-连续漏极电流 25A
栅极电荷 51nC@ 15 V
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

UJ3C065080B3厂商介绍

United Silicon Carbide(USC)是一家领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)半导体技术的研发和生产。USC的主营产品包括碳化硅基的功率器件和射频器件,这些产品广泛应用于电力电子、电动汽车、可再生能源、工业自动化和通信等领域。

碳化硅功率器件因其高效率、耐高温和耐高压的特性,在电动汽车的充电和驱动系统中尤为重要。射频器件则因其在高频应用中的性能优势,被广泛应用于5G通信基站、**系统和**通信等领域。

USC的优势在于其先进的碳化硅材料技术和制造工艺,这使得公司能够提供高性能、高可靠性的半导体产品。此外,USC还拥有强大的研发团队和专利技术,能够不断推动碳化硅技术的发展和创新。通过与全球合作伙伴的紧密合作,USC致力于为客户提供定制化的解决方案,以满足不断变化的市场需求。

UJ3C065080B3数据手册

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UNITED SILICON CARBIDE 碳化硅场效应管 UNITED SILICON CARBIDE UJ3C065080B3 UJ3C065080B3数据手册

UJ3C065080B3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3+ $ 8.457 ¥ 72.1383
10+ $ 7.9907 ¥ 68.1605
25+ $ 7.2597 ¥ 61.925
100+ $ 7.0328 ¥ 59.9899
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