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IMBG40R045M2HXTMA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 21nC@ 18 V 3.8W(Ta),150W(Tc) 910pF@200V 56.2mΩ@ 8.9A,18V 400V 5.6V@3.2mA 1个N沟道 贴片安装
供应商型号: 4538823
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMBG40R045M2HXTMA1

IMBG40R045M2HXTMA1概述

    CoolSiC™ 400V G2 MOSFET IMBG40R045M2H

    产品简介


    CoolSiC™ 400V G2 MOSFET(型号IMBG40R045M2H)是英飞凌科技公司推出的一款高性能碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品以其高频率开关能力和同步整流能力而著称,特别适用于各种电源管理应用。具体用途包括开关模式电源(SMPS)、太阳能光伏逆变器、储能系统、不间断电源(UPS)以及电池管理系统,还广泛应用于音频放大器和电机驱动等领域。

    技术参数


    关键性能参数
    - 额定电压:400V
    - 导通电阻:RDS(on) ≤ 44.9 mΩ (典型值)
    - 最大连续漏极电流:ID = 43 A
    - 电荷量:QG(total) = 21 nC
    - 能耗:Eoss = 2.4 μJ
    极限额定值
    - 持续漏极电流:最高43A
    - 单脉冲雪崩能量:EAS = 53 mJ
    - 重复雪崩能量:EAC = 0.27 mJ
    - 栅源电压:静态VGS = ±7 V,瞬态VGS = ±10 V
    热特性
    - 结至外壳热阻:RθJC ≤ 1 °C/W
    - 结至环境热阻:RθJA ≤ 40 °C/W
    工作范围
    - 建议导通电压:VGS(on) ≥ 18 V
    - 建议关断电压:VGS(off) ≤ 0 V

    产品特点和优势


    1. 高频率开关性能:CoolSiC™ 400V G2 MOSFET在高频环境下表现出色,适用于开关模式电源和其他高频应用。
    2. 快速体二极管:拥有低反向恢复电荷Qfr,确保了快速和高效的切换。
    3. 温度稳定性:导通电阻RDS(on)随温度变化小,保持稳定的性能。
    4. 优秀的门限电压:门限电压VGS(th)低且稳定,为电路设计提供了更多的灵活性。
    5. 增强型互连技术:XT互连技术提供了卓越的热性能。
    6. 100% 雪崩测试:确保了产品的可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源(SMPS):如数据中心、通信基站等高效电源转换设备。
    - 太阳能光伏逆变器:用于将太阳能板产生的直流电转换为交流电。
    - 储能系统:用于电池充电和放电管理。
    - 音频放大器:用于功率放大,提供纯净的音质。
    - 电机驱动:用于各种工业应用的电机控制。
    使用建议
    - 散热管理:由于较高的热阻,建议采用适当的散热措施,以避免过热导致的性能下降。
    - 匹配驱动器:建议使用符合要求的驱动器以实现最佳性能,尤其是高频操作。
    - 电路设计优化:建议对PCB布局进行优化,确保良好的热扩散路径,减少寄生电感和电容的影响。

    兼容性和支持


    - 兼容性:CoolSiC™ 400V G2 MOSFET可以与多种驱动器和控制器兼容,推荐使用英飞凌专为SiC MOSFET设计的驱动器。
    - 技术支持:英飞凌提供详细的技术文档和支持服务,包括但不限于应用指南、测试电路和故障排除工具。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:高温下性能不稳定
    - 解决方案:确保有效的散热措施,如增加散热片或风扇,以维持工作温度在可接受范围内。
    2. 问题:驱动器不匹配导致性能不佳
    - 解决方案:选择合适的驱动器并正确配置参数,参考英飞凌提供的应用指南进行设置。
    3. 问题:输出波形失真
    - 解决方案:检查电路布局和接线,确保无寄生电感和电容影响,并重新校准驱动器参数。

    总结和推荐


    CoolSiC™ 400V G2 MOSFET是一款出色的功率半导体器件,适用于多种高性能电力电子应用。其高频率开关能力、快速体二极管特性及卓越的温度稳定性使其在市场上具有很强的竞争力。针对需要高效能和高可靠性的应用场景,强烈推荐使用该产品。

IMBG40R045M2HXTMA1参数

参数
最大功率耗散 3.8W(Ta),150W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Idss-饱和漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 910pF@200V
栅极电荷 21nC@ 18 V
FET类型 1个N沟道
击穿电压 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 400V
Id-连续漏极电流 -
最大功率 -
Rds(On)-漏源导通电阻 56.2mΩ@ 8.9A,18V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 5.6V@3.2mA
安装方式 贴片安装
包装方式 卷带包装

IMBG40R045M2HXTMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMBG40R045M2HXTMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMBG40R045M2HXTMA1 IMBG40R045M2HXTMA1数据手册

IMBG40R045M2HXTMA1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 33.0748
10+ ¥ 29.1058
100+ ¥ 28.5766
500+ ¥ 28.5766
1000+ ¥ 28.5766
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