处理中...

首页  >  产品百科  >  IMW65R040M2HXKSA1

IMW65R040M2HXKSA1

产品分类: 碳化硅场效应管
产品描述: 28nC@ 18 V 172W(Tc) 997pF@400V 650V 1个N沟道 通孔安装
供应商型号: 4378741
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 IMW65R040M2HXKSA1

IMW65R040M2HXKSA1概述

    CoolSiC™ MOSFET 650V G2 IMW65R040M2H 技术手册解析

    产品简介


    CoolSiC™ MOSFET 650V G2 IMW65R040M2H 是一款由英飞凌(Infineon)推出的高性能碳化硅(Silicon Carbide)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。这款器件采用了英飞凌第二代坚固的沟槽技术,提供了卓越的性能、可靠性和易用性。适用于需要高效能和高功率密度设计的系统,包括开关电源(SMPS)、太阳能光伏逆变器、储能及电池形成系统、不间断电源(UPS)、电动汽车充电基础设施和电机驱动器等。

    技术参数


    - 基本参数
    - 最大电压(VDSS): 650V
    - 导通电阻(RDS(on)): 典型值 40mΩ,最大值 49mΩ
    - 输入电荷(QG,typ): 28nC
    - 脉冲电流(ID,pulse): 142A
    - 输出电荷(Qoss@400V): 53nC
    - 反向传输电容(Crss): 5.8pF
    - 外部接线(XT连接技术): 提供业内领先热性能

    - 安全操作区
    - 持续漏极电流(IDDC): 最大值 46A(TC=25°C),最大值 32A(TC=100°C)
    - 峰值漏极电流(IDM): 最大值 142A(TC=25°C,VGS=18V)

    - 其他参数
    - 栅极源极电压(静态): -7V ~ 23V
    - 绝缘耐压(VISO): 不适用(Vrms,TC=25°C,t=1min)

    产品特点和优势


    - 超低开关损耗: 这是本产品的一大亮点,可显著提升效率。
    - 基准栅极阈值电压: VGS(th)=4.5V
    - 卓越的栅极驱动灵活性: 兼容双极驱动方案。
    - 可靠的体二极管操作: 在硬换相事件中表现良好。
    - 最佳热性能: 基于 XT 连接技术。
    - 成本效益和高可靠性: 能够在工业标准中提供最优性价比。
    - 减小系统尺寸、重量和材料成本。

    应用案例和使用建议


    - 应用实例:
    - 电源供应系统(SMPS)
    - 太阳能光伏逆变器
    - 能量存储和电池形成系统
    - 不间断电源(UPS)
    - 电动车辆充电基础设施
    - 电机驱动
    - 使用建议:
    - 在布局设计时,必须特别注意减少寄生电感和耦合电容的影响,以提高开关性能。
    - 确保操作温度不超过推荐范围,以维持长期稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 与现有的电源系统兼容,具体取决于系统的具体要求。
    - 技术支持:
    - 提供详细的测试电路和相关链接,以便用户进行进一步的研究和应用。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗过高。
    - 解决方案: 检查并调整栅极电阻(RG,ext),优化负载条件。
    - 问题2: 过高的峰值电流。
    - 解决方案: 确保系统有足够的散热机制,并根据需求选择合适的电流等级。

    总结和推荐


    CoolSiC™ MOSFET 650V G2 IMW65R040M2H 是一款极具竞争力的产品,具备出色的开关性能、高可靠性以及优秀的成本效益。其在多领域的应用潜力使其成为一种值得推荐的解决方案。无论是从设计角度还是实际应用方面来看,这款产品都能满足现代电力电子系统的严格要求,是一款非常值得推荐的产品。

IMW65R040M2HXKSA1参数

参数
栅极电荷 28nC@ 18 V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
击穿电压 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 997pF@400V
Rds(On)-漏源导通电阻 -
通道数量 -
Idss-饱和漏极电流 -
最大功率耗散 172W(Tc)
最大功率 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 -
安装方式 通孔安装
包装方式 管装

IMW65R040M2HXKSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IMW65R040M2HXKSA1数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
INFINEON TECHNOLOGIES 碳化硅场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IMW65R040M2HXKSA1 IMW65R040M2HXKSA1数据手册

IMW65R040M2HXKSA1封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 52.0373
5+ ¥ 52.0373
10+ ¥ 46.6255
50+ ¥ 45.7929
100+ ¥ 44.9603
250+ ¥ 44.9603
库存: 265
起订量: 1 增量: 0
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 52.03
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
ADP360120W3 ¥ 28420.0178
BSM180D12P3C007 ¥ 3287.9181
BSM300D12P2E001 ¥ 4093.429
C2M0025120D ¥ 257.301
C2M0080120D ¥ 83.6842
C2M1000170D ¥ 57.7242
C2M1000170J ¥ 0
C3M0032120K ¥ 146.2188
C3M0060065K ¥ 54.5748
C3M0060065K ¥ 36.708