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CMF10120D

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: CREE
产品描述: 47.1nC@ 20V 134KW 928pF@ 800V 200mΩ@ 20V 24A 1.2KV 25V 1个N沟道 TO-247 通孔安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
CREE 碳化硅场效应管 CMF10120D

CMF10120D参数

参数
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
Vgs-栅源极电压 25V
最大功率 -
栅极电荷 47.1nC@ 20V
最大功率耗散 134KW
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 928pF@ 800V
击穿电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 24A
Rds(On)-漏源导通电阻 200mΩ@ 20V
16.13mm(Max)
5.21mm(Max)
21.1mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级

CMF10120D厂商介绍

CREE公司(现更名为Wolfspeed)是一家全球领先的半导体公司,专注于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术。公司总部位于美国北卡罗来纳州的达勒姆。

主营产品分类:
1. 碳化硅(SiC)产品:包括SiC功率器件、SiC基底材料和SiC射频器件。
2. 氮化镓(GaN)产品:包括GaN射频器件和GaN功率器件。

应用领域:
1. 汽车:电动汽车、混合动力汽车和充电基础设施。
2. 工业:太阳能逆变器、工业电机驱动和电源管理。
3. 通信:基站、数据中心和**通信。
4. 消费电子:快充、无线充电和电源适配器。

CREE的优势:
1. 技术领先:CREE在SiC和GaN技术领域拥有深厚的技术积累和专利布局。
2. 产品性能:CREE的SiC和GaN产品在性能、可靠性和能效方面具有明显优势。
3. 垂直整合:CREE拥有从材料、器件到应用的完整产业链,能够提供一站式解决方案。
4. 客户认可:CREE的产品已被广泛应用于汽车、工业、通信等领域,获得众多客户的信赖和认可。

CMF10120D数据手册

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CREE 碳化硅场效应管 CREE CMF10120D CMF10120D数据手册

CMF10120D封装设计

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