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SCT10N120

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: STMICROELECTRONICS
产品描述: STMicroelectronics N沟道耗尽型MOSFET模块 SCT系列, Vds=1200 V, 12 A, HiP247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: UA-SCT10N120
供应商: 海外现货
标准整包数: 30
STMICROELECTRONICS 碳化硅场效应管 SCT10N120

SCT10N120参数

参数
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 290pF@400V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 690mΩ@ 6A,20V
击穿电压 1.2KV
最大功率耗散 150W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
Vgs-栅源极电压 25V,10V
Id-连续漏极电流 12A
Idss-饱和漏极电流 10μA
最大功率 35W
通道数量 1
栅极电荷 22nC@ 20 V
15.75mm(Max)
5.15mm(Max)
20.15mm(Max)
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

SCT10N120厂商介绍

STMicroelectronics(意法半导体)是一家全球领先的半导体公司,总部位于瑞士日内瓦,在全球多个国家和地区设有研发中心和制造工厂。STMicroelectronics专注于为汽车、工业、个人电子产品、通信设备等领域提供广泛的半导体解决方案。

主营产品分类:
1. 微控制器(MCU):用于各种嵌入式系统和智能设备,如智能家居、工业自动化等。
2. 模拟和混合信号产品:包括电源管理、音频放大器、传感器等,广泛应用于消费电子、医疗设备等领域。
3. 功率分立器件:如MOSFET、IGBT等,用于电动汽车、太阳能逆变器等高功率应用。
4. 传感器:包括MEMS传感器、环境传感器等,应用于智能手机、汽车安全系统等。
5. 无线通信产品:如Wi-Fi、蓝牙、NFC等,用于物联网、智能穿戴设备等。

应用领域:
STMicroelectronics的产品广泛应用于汽车、工业、个人电子产品、通信设备、计算机和外设、消费电子等多个领域。

优势:
1. 技术创新:STMicroelectronics持续投入研发,拥有多项专利技术,推动半导体技术的发展。
2. 产品多样性:提供广泛的产品线,满足不同客户和应用场景的需求。
3. 制造能力:拥有先进的制造技术和全球布局的生产基地,确保产品质量和供应稳定性。
4. 客户支持:提供专业的技术支持和定制化解决方案,帮助客户实现产品创新和市场竞争力。

SCT10N120数据手册

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STMICROELECTRONICS 碳化硅场效应管 STMICROELECTRONICS SCT10N120 SCT10N120数据手册

SCT10N120封装设计

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