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EPC2012C

产品分类: 氮化镓场效应管
产品描述: 6V,4V 2.5V@1mA 1.3nC@ 5 V 200V 100mΩ@ 3A,5V 5A 140pF@100V 1个N沟道 贴片安装
供应商型号: 917-1084-2-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 2500
EFFICIENT POWER CONVERSION 氮化镓场效应管 EPC2012C

EPC2012C概述


    产品简介


    EPC2012C eGaN® FETs 是一款由Efficient Power Conversion Corporation(EPC)研发的增强型功率晶体管,主要用于高频直流转换、D类音频和无线电力传输等领域。这种晶体管具有超高的能效、极低的导通电阻、极低的栅极电荷和小巧的封装尺寸。

    技术参数


    - 电压参数:
    - 漏源电压 (VDS): 200 V
    - 连续漏电流 (ID): 5 A (25°C时)
    - 脉冲漏电流 (ID): 22 A (300 µs脉冲宽度下)
    - 电气参数:
    - 栅源电压 (VGS): ±6 V
    - 工作温度范围 (TJ): -40°C 至 150°C
    - 存储温度范围 (TSTG): -40°C 至 150°C
    - 热特性:
    - 结到壳体的热阻 (RθJC): 4.2°C/W
    - 结到板的热阻 (RθJB): 12.5°C/W
    - 结到环境的热阻 (RθJA): 85°C/W
    - 静态特性:
    - 击穿电压 (BVDSS): 200 V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 100 mΩ (VGS=5 V, ID=3 A时)
    - 动态特性:
    - 输入电容 (CISS): 140 pF (VDS=100 V, VGS=0 V时)
    - 反向转移电容 (CRSS): 0.6 pF
    - 输出电容 (COSS): 85 pF (VDS=100 V时)
    - 总栅极电荷 (QG): 1.3 nC (VDS=100 V, VGS=5 V, ID=3 A时)

    产品特点和优势


    EPC2012C eGaN® FET 具备以下显著特点和优势:
    - 超高效率: 极低的导通电阻和栅极电荷使得其能效非常高。
    - 超低RDS(on): 最低可达100 mΩ,适用于高频开关应用。
    - 超小封装: 尺寸紧凑,便于集成。
    - 高可靠性: 广泛的工作温度范围和出色的热特性确保其在严苛环境下的稳定性。

    应用案例和使用建议


    EPC2012C eGaN® FET 主要应用于高频直流转换、D类音频和无线电力传输等领域。在这些应用中,其高效率和低导通电阻使其成为理想的解决方案。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于结到环境的热阻较高(85°C/W),需要有效的散热设计以防止过热。
    - 驱动电路: 建议使用适当的栅极电阻 (RG) 和栅极驱动器来优化开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: EPC2012C eGaN® FET 支持标准焊盘配置,可以与多种焊锡膏和焊接工艺兼容。
    - 支持: EPC提供详细的技术文档和支持服务,用户可以通过其官方网站获取更多资料。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 高频开关时过热问题。
    - 解决方案: 使用高效散热器并优化电路布局,如添加散热片或风扇。

    - 问题2: 栅极电荷过高导致的控制困难。
    - 解决方案: 选择合适的栅极电阻 (RG),降低驱动电路复杂度。

    总结和推荐


    EPC2012C eGaN® FET 在高频应用中表现出色,具备超高效率和超低导通电阻。其紧凑的封装和高可靠性使其成为高性能电源转换和信号处理的理想选择。我们强烈推荐在需要高效和高频率性能的应用中使用这款产品。

EPC2012C参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 140pF@100V
Id-连续漏极电流 5A
栅极电荷 1.3nC@ 5 V
配置 -
Idss-饱和漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@1mA
击穿电压 -
最大功率耗散 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 200V
Vgs-栅源极电压 6V,4V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 100mΩ@ 3A,5V
最大功率 -
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

EPC2012C厂商介绍

Efficient Power Conversion Corporation(EPC)是一家领先的增强型氮化镓(eGaN)功率管理集成电路(IC)制造商。EPC专注于开发和生产高性能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于各种领域,包括汽车、工业、消费电子、电信和计算机等。

EPC的主营产品分类包括:

1. eGaN FETs(增强型氮化镓场效应晶体管):提供高效率、高频率和高功率密度的功率转换解决方案。
2. ICs(集成电路):包括电源管理IC、驱动器IC等,用于实现复杂的功率管理功能。
3. Power Management Solutions(功率管理解决方案):提供定制化的功率管理解决方案,以满足特定应用的需求。

EPC的优势在于:

1. 高性能:EPC的eGaN技术提供了业界领先的性能,包括高效率、高频率和高功率密度。
2. 可靠性:EPC的产品经过严格的测试和认证,确保在各种环境下的可靠性。
3. 创新:EPC不断投资于研发,以推动氮化镓技术的发展和应用。
4. 定制化:EPC提供定制化的解决方案,以满足客户的特定需求。

EPC通过其高性能的eGaN技术,为全球客户提供了创新的功率管理解决方案,推动了电力电子技术的发展。

EPC2012C数据手册

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EFFICIENT POWER CONVERSION 氮化镓场效应管 EFFICIENT POWER CONVERSION EPC2012C EPC2012C数据手册

EPC2012C封装设计

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