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A2G22S251-01SR3

产品分类: 氮化镓场效应管
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 125V NI-400S-2S 贴片安装
供应商型号: CY-A2G22S251-01SR3
供应商:
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 氮化镓场效应管 A2G22S251-01SR3

A2G22S251-01SR3概述


    产品简介


    产品类型:
    本产品是型号为A2G22S25101SR3的射频(RF)功率氮化镓(GaN)晶体管,由Freescale Semiconductor, Inc.生产。
    主要功能:
    A2G22S25101SR3是一款48 W的射频功率氮化镓晶体管,专为覆盖1805至2200 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。该产品通过优化终端阻抗实现宽带性能,适用于数字预失真误差校正系统,并针对多载波应用进行优化。
    应用领域:
    主要用于蜂窝基站,包括但不限于无线通信系统(如W-CDMA系统)中的功率放大器应用。

    技术参数


    - 工作频率范围: 1805-2200 MHz
    - 最大输出功率: 48 W平均功率(AVG)
    - 额定电压: 48 Vdc
    - 漏极-源极电压: 125 Vdc
    - 栅极-源极电压: -8 Vdc 至 0 Vdc
    - 热阻:
    - RθJC (IR): 1.3°C/W (红外测量)
    - RθJC (FEA): 1.75°C/W (有限元分析)
    - 最大结温: 275°C

    产品特点和优势


    - 高终端阻抗: 确保了最佳的宽带性能。
    - 数字预失真误差校正系统兼容性: 适用于需要精确校正的应用。
    - 多载波(Doherty)优化: 特别适合多载波应用,例如蜂窝基站中的功率放大器。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    A2G22S25101SR3常用于无线通信系统中的功率放大器,特别是在W-CDMA系统中,典型输出功率达到48 W平均功率(AVG),最大输出功率可达70 W(峰值功率)。根据图3的数据,当输出功率为48 W时,电源效率可以达到约37.5%,功率增益为17.7 dB。
    使用建议
    1. 正确偏置设置: 必须按照手册中描述的方法正确设置偏置电压,以确保最佳性能。
    2. 温度管理: 鉴于高温可能会影响设备寿命,设计系统时应考虑有效的散热措施。
    3. 负载匹配: 如图8至图15所示,通过适当的负载阻抗匹配可以获得最大的输出功率和效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 由于产品特性及应用广泛,与其他标准电路设计具有良好的兼容性。
    - 支持资源: 用户可以通过官方网站下载相关应用笔记和软件工具,如AN1955、RF High Power Model等,以优化设计并获取进一步的技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备无法达到预期的输出功率。
    - 解决方法: 检查偏置设置是否正确,尤其是VGS和VDS的值是否符合要求。
    2. 问题: 设备过热。
    - 解决方法: 改善散热设计,确保设备工作在安全的工作温度范围内。
    3. 问题: 设备出现噪声或失真。
    - 解决方法: 调整负载阻抗,通过负载拉伸测试找到最优负载点。

    总结和推荐


    综上所述,A2G22S25101SR3是一个性能优异、设计精良的射频功率氮化镓晶体管。它具有卓越的功率效率、广泛的频率范围和强大的输出能力。尽管使用过程中需注意正确的偏置设置和散热管理,但通过合理的设计和使用,这款晶体管将能够满足严苛的无线通信应用需求。
    推荐使用:
    我们强烈推荐这款产品用于需要高性能、可靠性和长寿命的无线通信应用中。

A2G22S251-01SR3参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
击穿电压 -
通道数量 -
Idss-饱和漏极电流 -
栅极电荷 -
配置 -
FET类型 -
Id-连续漏极电流 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 125V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
最大功率 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
10.29mm(Max)
9.86mm(Max)
4.14mm(Max)
通用封装 NI-400S-2S
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

A2G22S251-01SR3厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

A2G22S251-01SR3数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 氮化镓场效应管 NXP SEMICONDUCTORS A2G22S251-01SR3 A2G22S251-01SR3数据手册

A2G22S251-01SR3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 73.7198 ¥ 597.1915
25+ $ 70.6736 ¥ 586.8951
50+ $ 67.6273 ¥ 576.5987
100+ $ 66.4088 ¥ 571.4505
300+ $ 65.7995 ¥ 566.3023
500+ $ 65.1903 ¥ 561.1541
1000+ $ 63.3625 ¥ 535.4131
5000+ $ 63.3625 ¥ 535.4131
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