处理中...

首页  >  产品百科  >  A3G35H100-04SR3

A3G35H100-04SR3

产品分类: 氮化镓场效应管
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 2 8V 2.3V 125V 8.04mA 2个N沟道 NI-780S-4L 贴片安装
供应商型号: CY-A3G35H100-04SR3
供应商:
标准整包数: 1
NXP SEMICONDUCTORS 氮化镓场效应管 A3G35H100-04SR3

A3G35H100-04SR3概述

    # NXP Semiconductors RF Power GaN Transistor A3G35H10004SR3

    产品简介


    NXP Semiconductors推出的A3G35H10004SR3是一款高性能射频功率氮化镓(GaN)晶体管,专为3400到3600 MHz的频段设计。该产品主要应用于蜂窝基站,具备宽频带瞬时带宽能力,能够满足单载波WCDMA的应用需求。A3G35H10004SR3凭借其独特的结构设计和卓越的电气特性,在无线通信领域展现出显著的优势。

    技术参数


    主要性能指标
    - 频率范围: 3400至3600 MHz
    - 输出功率: 14 W 平均功率
    - 工作电压: 0至+55 Vdc
    - 最大漏源电压 (VDSS): 125 Vdc
    - 最高栅源电压 (VGS): ±8 Vdc
    - 栅极电流 (IGMAX): 13.4 mA @ TC = 25°C
    - 热阻 (RθJC):
    - 红外测量法: 2.3 °C/W
    - 有限元分析法: 3.88 °C/W
    工作环境
    - 存储温度范围: -65°C 至 +150°C
    - 结温范围: -55°C 至 +225°C
    - 绝对最大结温 (TMAX): 275°C
    功能参数
    - 增益 (Gps): 13.0至15.0 dB
    - 漏极效率 (ηD): 37.7% 至 42.5%
    - 峰值平均功率比 (PAR): 8.8至9.6 dB
    - 邻道功率比 (ACPR): -32.2至-29.5 dBc

    产品特点和优势


    A3G35H10004SR3具备高终端阻抗,能够实现最优宽带性能。其采用先进的高绩效内部Doherty架构,能够在极高输出驻波比和宽带操作条件下稳定运行。这些特性使其在3400至3600 MHz频段内的应用表现出色,特别适用于现代无线通信基础设施中的基站建设。

    应用案例和使用建议


    A3G35H10004SR3非常适合用于蜂窝基站,尤其是在3400至3600 MHz频段内。在具体应用中,如需要更高的输出功率或更宽的带宽覆盖,可以考虑结合其他高功率器件进行配置,从而构建更为强大的发射系统。此外,由于其高效的热管理设计,用户在使用过程中需要注意保持适当的散热措施以确保器件的长期稳定运行。

    兼容性和支持


    该产品与其他电子元器件的兼容性良好,适用于多种标准的射频电路设计。NXP提供详尽的技术文档和支持资源,包括热管理和电气特性的测试方法及开发工具。用户可以通过访问NXP官方网站获取更多相关资料和技术支持服务。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何正确开启/关闭该器件?
    - 解答: 按照正确的Biasing序列进行操作。例如,开启时先将VGS设置为-5V,然后接通VDS至额定供电电压,逐步增加VGS直至达到所需的电流水平。关闭时首先断开RF输入信号,随后将VGS降低至-5V,再逐步降下VDS至0V。
    问题2:如何避免高温下的设备损坏?
    - 解答: 在设备长时间运行于高温环境下时,应注意监控温度并采取必要的冷却措施。当设备接近或超过绝对最大结温(275°C)时,可能会导致严重损坏。因此,务必保持温度在安全范围内,并定期检查散热系统的有效性。

    总结和推荐


    A3G35H10004SR3凭借其出色的宽频带性能和高可靠性,成为现代蜂窝基站应用的理想选择。该产品不仅在电气特性上表现出色,而且在耐受极端条件方面也有很好的表现。总体而言,这款产品非常值得推荐用于需要高功率、宽带通信的复杂无线系统中。

A3G35H100-04SR3参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
Idss-饱和漏极电流 -
FET类型 2个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.3V
最大功率 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 8.04mA
击穿电压 -
通道数量 2
Rds(On)-漏源导通电阻 -
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 125V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 NI-780S-4L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

A3G35H100-04SR3厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

A3G35H100-04SR3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
NXP SEMICONDUCTORS 氮化镓场效应管 NXP SEMICONDUCTORS A3G35H100-04SR3 A3G35H100-04SR3数据手册

A3G35H100-04SR3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 83.078 ¥ 673.0006
25+ $ 79.645 ¥ 661.3971
50+ $ 76.2121 ¥ 649.7936
100+ $ 74.8389 ¥ 643.9919
300+ $ 74.1523 ¥ 638.1902
500+ $ 73.4657 ¥ 632.3884
1000+ $ 71.4059 ¥ 603.3798
5000+ $ 71.4059 ¥ 603.3798
库存: 1419
起订量: 2 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 673
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
A2G22S251-01SR3 ¥ 597.1915
A3G26D055N-2400 ¥ 2789.0625
BSL207SP L6327 ¥ 0
BSP170P L6327 ¥ 0
BSR316P L6327 ¥ 0
BSS138N L6327 ¥ 0
BSS84P L6327 ¥ 0
CLF1G0035-100PU ¥ 2075.1025
CLF1G0035S-100PU ¥ 2305.7545
CLF1G0035S-200PU ¥ 4147.9799