处理中...

首页  >  产品百科  >  SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 104W(Tc) 20V,16V 2V@ 250µA 153nC@ 10 V 1个N沟道 30V 800μΩ@ 20A,10V 100A 10.18nF@15V SOIC 贴片安装
供应商型号: LM-2749593
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIRA90DP-T1-GE3

SIRA90DP-T1-GE3概述

    SiRA90DP N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    SiRA90DP 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于 TrenchFET® Gen IV 系列,以其卓越的功率密度和低导通电阻而著称。这款 MOSFET 主要应用于同步整流、ORing 电路、高功率密度 DC/DC 转换器、VRMs 和嵌入式 DC/DC 转换器,以及大电流负载开关等场景。

    技术参数


    - 最大耐压值(VDS): 30V(源漏极电压)
    - 最大持续源漏电流(ID): 100A(环境温度 25°C,瞬态温度 70°C)
    - 最大脉冲源漏电流(IDM): 400A(脉冲宽度 100μs)
    - 最大栅源电压(VGS): ±20V/+16V
    - 最大持续源漏二极管电流(IS): 60A
    - 单脉冲雪崩电流(IAS): 40A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 80mJ
    - 最大功率耗散(PD): 104W(环境温度 25°C)
    - 结温范围(TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大导通电阻(RDS(on)): 0.00080Ω(VGS = 10V,ID = 20A)
    - 门级电荷(Qg): 48nC(VDS = 15V,VGS = 10V)

    产品特点和优势


    SiRA90DP 具有以下显著特点:
    - 高效的 TrenchFET® Gen IV 技术:提供低导通电阻和高电流处理能力。
    - 可靠性测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试确保高可靠性和一致性。
    - 材料分类:符合无铅无卤素标准,适应环保需求。
    - 广泛的适用性:适用于多种高压和高电流应用场合,具备优异的热稳定性和电气性能。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 同步整流:用于提高转换效率。
    - 高功率密度 DC/DC 转换器:提高系统的整体能效和功率密度。
    - 大电流负载开关:适用于需要大电流开关的应用场景。
    使用建议:
    - 散热管理:在应用中应注意有效的散热措施,确保结温不超过 150°C。
    - 驱动设计:根据 VGS 和 RDS(on) 的关系选择合适的驱动电压,以确保低导通损耗。
    - 焊接工艺:使用建议的焊接温度曲线进行焊接,避免损坏器件。

    兼容性和支持


    - 兼容性:SiRA90DP 采用标准 SO-8 封装,可以与现有 SO-8 封装的 PCB 直接替换使用。
    - 技术支持:如有技术疑问,可联系 Vishay 的技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:焊接过程中出现异常情况。
    - 解决方案:参考 Vishay 提供的焊接温度曲线,遵循正确的焊接工艺。

    - 问题二:热稳定性问题。
    - 解决方案:通过增加散热器或其他热管理措施来降低器件温度。

    总结和推荐


    SiRA90DP N 沟道 MOSFET 在电气性能和可靠性方面表现出色,具有低导通电阻、高电流处理能力和优良的热稳定性。对于需要高效率、大电流和高压的应用,SiRA90DP 是一个理想的选择。强烈推荐在上述应用场景中使用该产品。同时,结合 Vishay 提供的完善的技术支持和服务,能够帮助用户最大化其应用效果。

SIRA90DP-T1-GE3参数

参数
通道数量 1
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 10.18nF@15V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
栅极电荷 153nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V,16V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 104W(Tc)
Id-连续漏极电流 100A
Rds(On)-漏源导通电阻 800μΩ@ 20A,10V
通用封装 SOIC
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SIRA90DP-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIRA90DP-T1-GE3数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SIRA90DP-T1-GE3 SIRA90DP-T1-GE3数据手册

SIRA90DP-T1-GE3封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 0.6741 ¥ 5.6625
100+ $ 0.6577 ¥ 5.5704
500+ $ 0.6467 ¥ 5.4323
1500+ $ 0.6303 ¥ 5.2942
3000+ $ 0.6193 ¥ 5.2021
7500+ $ 0.6083 ¥ 5.11
库存: 24566
起订量: 75 增量: 0
交货地:
最小起订量为:50
合计: ¥ 283.12
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504