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14N65L-ML-TF3-T

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: 14M-14N65L-ML-TF3-T TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) 14N65L-ML-TF3-T

14N65L-ML-TF3-T概述

    14N65-ML Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:高压功率MOSFET
    主要功能:适用于高速开关应用的开关电源和适配器。
    应用领域:开关电源、适配器等电力电子系统。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDSS):650V
    - 连续漏极电流(ID):14A
    - 脉冲漏极电流(IDM):28A
    - 雪崩能量(EAS):800mJ
    - 结到环境热阻(θJA):62.5°C/W
    - 结到外壳热阻(θJC):0.53°C/W(TO-220/TO-262/TO-263),2.4°C/W(TO-220F/TO-220F1)
    - 阈值电压(VGS(TH)):2.0V至4.0V
    - 导通电阻(RDS(ON)):0.55Ω至0.65Ω(VGS=10V,ID=7.0A)
    - 输入电容(CISS):1950pF(VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz)
    - 输出电容(COSS):180pF
    - 反向传输电容(CRSS):14pF
    - 总栅极电荷(QG):44nC
    - 上升时间(tR):24ns
    - 关断延迟时间(tD(OFF)):150ns
    - 关断下降时间(tF):34ns

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:RDS(ON) ≤ 0.65Ω(@VGS=10V,ID=7.0A),有效降低功耗。
    - 快速开关能力:适用于高频开关应用,提高效率。
    - 增强的dv/dt能力:高抗浪涌能力,保证可靠运行。
    - 测试过的雪崩能量:确保在极端条件下的稳定性和可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 开关电源转换器
    - 高频逆变器
    - 充电器和适配器
    使用建议:
    - 在使用过程中应注意散热,确保器件在安全温度范围内工作。
    - 根据具体应用选择合适的封装形式(如TO-220、TO-262等)。
    - 使用期间要避免超过绝对最大额定值的参数,以免损坏器件。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:支持多种封装形式,如TO-220、TO-220F、TO-262、TO-263等。
    - 支持和服务:UTC提供技术支持和维护服务,确保客户能够充分利用产品的功能。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过温保护
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如增加散热片。
    - 问题:导通电阻过高
    - 解决方案:检查接线是否正确,确保VGS达到阈值电压以上。
    - 问题:雪崩能量不足
    - 解决方案:避免负载短路,选择合适的电路保护元件。

    7. 总结和推荐


    总体评价:
    14N65-ML是一款具有高性能和高可靠性的功率MOSFET,特别适合于高频开关应用。其低导通电阻和快速开关能力显著提升了系统的能效。结合广泛的封装选项和UTC提供的技术支持,该产品在多个应用领域均表现出色。
    推荐意见:
    强烈推荐14N65-ML作为开关电源和适配器应用的理想选择。对于需要高效能和高可靠性的电力电子系统,该产品无疑是一个优秀的选择。

14N65L-ML-TF3-T参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
FET类型 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220F

14N65L-ML-TF3-T数据手册

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UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) UTC/台湾友顺科技 14N65L-ML-TF3-T 14N65L-ML-TF3-T数据手册

14N65L-ML-TF3-T封装设计

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