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09N50I-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n单N沟道MOSFET,采用Plannar技术,具有高性能和可靠性。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO220F,适用于各种应用场景。
供应商型号: 09N50I-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 09N50I-VB

09N50I-VB概述

    09N50I-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    09N50I-VB 是一种高性能的 N-沟道功率 MOSFET,广泛应用于服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)及照明等领域。本产品具有超低栅极电荷(Qg),低栅极输入电容(Ciss)和低开关损耗等特性,能够显著提高系统的效率并减少热耗散。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值 4Ω @ VGS=10V,ID=4A
    - 最大总栅极电荷 (Qg):最大值 40nC
    - 最大输入电容 (Ciss):最大值 3500pF
    - 最大输出电容 (Coss):最大值 350pF
    - 最大反向转移电容 (Crss):最大值 25pF
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):97mJ
    - 连续漏电流 (ID):最大值 178A @ VGS=10V,TC=25°C
    - 重复脉冲漏电流 (IDS):最大值 35A
    - 封装类型:TO-220 FULLPAK
    - 绝对最高额定温度:工作温度范围 -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 超低栅极电荷:有效降低了开关损耗,提高了系统效率。
    - 低栅极输入电容:减少了控制电路所需的驱动功率。
    - 高耐压:适用于高电压环境,保证了系统的稳定运行。
    - 低热阻:有效散热设计,延长使用寿命。
    - 雪崩能量高:适合在恶劣环境下长期稳定工作。

    应用案例和使用建议


    09N50I-VB 广泛应用于各种需要高效能电力转换的应用场景。例如,在服务器和电信电源中,通过高效能的开关电源供电,实现能源节约。在工业环境中,用于控制大电流,如电机启动、驱动等。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,避免过热损坏。
    - 使用时需考虑电路中的寄生电感和电容,以减少不必要的开关损耗。
    - 定期检查栅极驱动电路,确保栅极电压正常。

    兼容性和支持


    09N50I-VB 采用标准的 TO-220 FULLPAK 封装,易于与多种 PCB 设计兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,用户可以通过热线电话 400-655-8788 或官方网站 www.VBsemi.com 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热?
    - 解决方案:安装适当的散热片或使用水冷系统。定期检查散热器是否干净,无灰尘积累。

    - 问题2:如何正确选择栅极驱动电阻?
    - 解决方案:根据栅极电荷(Qg)和驱动电路的要求选择合适的栅极电阻。建议参考厂商提供的推荐值。

    总结和推荐


    09N50I-VB 功率 MOSFET 在设计上考虑了高效率、可靠性和耐用性,特别适合用于高电压、高功率的电力转换应用。其出色的性能指标和稳定的电气特性使其成为众多应用场合的理想选择。鉴于其卓越的表现,我们强烈推荐用户在相关项目中选用这款产品。

09N50I-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

09N50I-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

09N50I-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 09N50I-VB 09N50I-VB数据手册

09N50I-VB封装设计

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