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09N50I-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,10A,RDS(ON),830mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于车载充电机、太阳能逆变器、工业电源与适配器等。
供应商型号: 09N50I-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 09N50I-VB

09N50I-VB概述

    09N50I-VB Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    09N50I-VB 是一种高性能的 N-沟道功率 MOSFET,广泛应用于服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)及照明等领域。本产品具有超低栅极电荷(Qg),低栅极输入电容(Ciss)和低开关损耗等特性,能够显著提高系统的效率并减少热耗散。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):650V
    - 最大漏源导通电阻 (RDS(on)):典型值 4Ω @ VGS=10V,ID=4A
    - 最大总栅极电荷 (Qg):最大值 40nC
    - 最大输入电容 (Ciss):最大值 3500pF
    - 最大输出电容 (Coss):最大值 350pF
    - 最大反向转移电容 (Crss):最大值 25pF
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS):97mJ
    - 连续漏电流 (ID):最大值 178A @ VGS=10V,TC=25°C
    - 重复脉冲漏电流 (IDS):最大值 35A
    - 封装类型:TO-220 FULLPAK
    - 绝对最高额定温度:工作温度范围 -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 超低栅极电荷:有效降低了开关损耗,提高了系统效率。
    - 低栅极输入电容:减少了控制电路所需的驱动功率。
    - 高耐压:适用于高电压环境,保证了系统的稳定运行。
    - 低热阻:有效散热设计,延长使用寿命。
    - 雪崩能量高:适合在恶劣环境下长期稳定工作。

    应用案例和使用建议


    09N50I-VB 广泛应用于各种需要高效能电力转换的应用场景。例如,在服务器和电信电源中,通过高效能的开关电源供电,实现能源节约。在工业环境中,用于控制大电流,如电机启动、驱动等。
    使用建议:
    - 确保良好的散热设计,避免过热损坏。
    - 使用时需考虑电路中的寄生电感和电容,以减少不必要的开关损耗。
    - 定期检查栅极驱动电路,确保栅极电压正常。

    兼容性和支持


    09N50I-VB 采用标准的 TO-220 FULLPAK 封装,易于与多种 PCB 设计兼容。制造商提供详尽的技术支持和维护服务,用户可以通过热线电话 400-655-8788 或官方网站 www.VBsemi.com 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何避免过热?
    - 解决方案:安装适当的散热片或使用水冷系统。定期检查散热器是否干净,无灰尘积累。

    - 问题2:如何正确选择栅极驱动电阻?
    - 解决方案:根据栅极电荷(Qg)和驱动电路的要求选择合适的栅极电阻。建议参考厂商提供的推荐值。

    总结和推荐


    09N50I-VB 功率 MOSFET 在设计上考虑了高效率、可靠性和耐用性,特别适合用于高电压、高功率的电力转换应用。其出色的性能指标和稳定的电气特性使其成为众多应用场合的理想选择。鉴于其卓越的表现,我们强烈推荐用户在相关项目中选用这款产品。

09N50I-VB参数

参数 值
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
配置 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

09N50I-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

09N50I-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 09N50I-VB 09N50I-VB数据手册

09N50I-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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