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100N10F7-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=100V;ID =120A;RDS(ON)=3.7mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要处理高电压和高电流的应用领域,包括电动车电源控制模块、工业电源模块、电动工具控制模块和太阳能逆变器模块等,在这些模块中能够发挥出良好的性能和稳定性。
供应商型号: 100N10F7-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 100N10F7-VB TO220F

100N10F7-VB TO220F概述

    100N10F7-VB TO220F N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    100N10F7-VB 是一款采用 TO220F 封装的高性能 N-Channel MOSFET,专为高电流和高电压应用设计。该器件通过了全面测试,确保卓越的可靠性和稳定性。该 MOSFET 主要应用于工业控制、电机驱动、电源管理等领域,因其高效率和低损耗而备受推崇。

    技术参数


    1. 基本参数
    - 漏源电压(VDS):100V
    - 门源阈值电压(VGS(th)):2.5V - 3.5V
    - 零门源电压漏极电流(IDSS):≤50μA (VDS = 100V)
    - 持续漏极电流(ID):120A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):480A
    - 最大连续功率耗散(PD):84W(TC = 25°C),35W(TC = 125°C)
    2. 热阻
    - 结到环境热阻(RthJA):40°C/W(PCB 安装)
    - 结到外壳(引脚)热阻(RthJC):0.6°C/W
    3. 封装参数
    - 引脚直径(d1):15.88mm - 16.12mm
    - 引脚长度(L):13.20mm - 13.73mm

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:提供卓越的开关性能和低导通电阻。
    - 低热阻封装:有效的散热设计,提高可靠性。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保所有产品的质量和一致性。

    应用案例和使用建议


    1. 应用案例:
    - 电机驱动:该 MOSFET 在高电流和高频应用中表现出色,适合用于电机驱动电路。
    - 电源管理:由于其高功率处理能力和低损耗特性,适用于各种电源管理模块。
    - 工业控制:在自动化设备中作为开关组件,实现高效的电力转换。
    2. 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热措施,避免过热导致的性能下降。
    - 设计电路时,考虑 MOSFET 的最大电流限制,确保负载电流不超过额定值。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准 TO220F 封装的其他电子元件兼容,便于替换和升级。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,客户可以联系 400-655-8788 获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET 发热严重。
    - 解决方法:增加散热片或改善散热路径,确保良好的空气流通。

    2. 问题:开启延迟时间过长。
    - 解决方法:检查驱动电路的驱动电压和电阻值,确保合适的工作条件。

    总结和推荐


    100N10F7-VB TO220F 是一款高性能的 N-Channel MOSFET,具备出色的开关性能、高可靠性以及优秀的散热能力。特别适合高电流和高电压的应用场景,如电机驱动和电源管理。总体来看,该产品在性能和可靠性方面表现出色,强烈推荐使用。

100N10F7-VB TO220F参数

参数
FET类型 2个N沟道
Id-连续漏极电流 120A
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ(mΩ)
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
栅极电荷 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

100N10F7-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

100N10F7-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 100N10F7-VB TO220F 100N10F7-VB TO220F数据手册

100N10F7-VB TO220F封装设计

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