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100N10F7-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=100V;ID =120A;RDS(ON)=3.7mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=3V;适用于需要处理高电压和高电流的应用领域,包括电动车电源控制模块、工业电源模块、电动工具控制模块和太阳能逆变器模块等,在这些模块中能够发挥出良好的性能和稳定性。
供应商型号: 100N10F7-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 100N10F7-VB TO220F

100N10F7-VB TO220F参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
FET类型 2个N沟道
通道数量 1
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.7mΩ(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 120A
配置 -
最大功率耗散 -
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

100N10F7-VB TO220F厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

100N10F7-VB TO220F数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 100N10F7-VB TO220F 100N10F7-VB TO220F数据手册

100N10F7-VB TO220F封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 6.8029
100+ ¥ 6.299
500+ ¥ 5.795
1000+ ¥ 5.5431
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
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