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10N80L-T3P-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;N沟道;VDS=800V;ID =11A;RDS(ON)=500mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.5V;在电力领域,该器件可用于设计高压直流输电系统中的开关模块,以提高输电效率和稳定性。
供应商型号: 10N80L-T3P-T-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 10N80L-T3P-T-VB

10N80L-T3P-T-VB概述


    产品简介


    本产品为10N80L-T3P-T-VB N-Channel 800 V超级结功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为服务器、电信电源、开关模式电源供应器(SMPS)、功率因数校正电源供应器(PFC)及照明(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)等领域设计。它具有低栅极充电量(Qg)和低输入电容(Ciss),能显著降低开关损耗和导通损耗。

    技术参数


    - 最大漏源电压(VDS):800 V
    - 导通电阻(RDS(on)):25 °C时为0.50 Ω
    - 最大总栅极电荷(Qg):73 nC
    - 栅极-源极电荷(Qgs):9 nC
    - 栅极-漏极电荷(Qgd):17 nC
    - 连续漏极电流(ID):TC = 25 °C时为1 A;TC = 100 °C时为8 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):226 mJ
    - 最大耗散功率(PD):156 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55 °C至+150 °C
    - 最大关断时的漏源电压斜率(dV/dt):37 V/ns

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷(Qg):减少开关损耗,提升整体效率。
    - 低输入电容(Ciss):提高开关速度,减少寄生效应。
    - 超低栅极电荷(Qg):优化开关过程,减小导通损耗。
    - 雪崩能量额定值(UIS):保证产品在高电压冲击下的可靠性。
    - 快速恢复二极管特性:适用于高频应用,减少电磁干扰。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:利用其高可靠性,适用于高性能数据中心。
    - 开关模式电源供应器(SMPS):因其高效的开关性能,广泛应用于消费电子设备。
    - 照明系统:例如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器,适用于工业照明和商业照明。
    使用建议
    - 在选择驱动电路时,建议采用较低栅极电压(如5V),以确保逻辑级MOSFET的可靠运行。
    - 为了减小寄生电感,应选择具有低漏感和低容感的引线。

    兼容性和支持


    - 该产品兼容多种标准封装,如TO-247AC。
    - 厂商提供全面的技术支持,包括应用指南、样品提供和在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q:产品能否承受瞬态高压?
    - A:是的,产品具备高达800 V的耐压能力,并经过严格的雪崩测试,确保其可靠性。

    - Q:产品是否适用于高温环境?
    - A:产品可在-55 °C至+150 °C的宽广温度范围内工作,适用于各种极端条件。

    总结和推荐


    10N80L-T3P-T-VB N-Channel MOSFET以其出色的性能和可靠性,在各类电力转换和驱动应用中表现出色。其低栅极电荷和输入电容的特性使其非常适合于高效率的应用场合。尽管初期成本可能较高,但考虑到其长期的高可靠性、低功耗以及广泛的应用范围,我们强烈推荐使用这款产品。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:www.VBsemi.com

10N80L-T3P-T-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 1
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 -
Vds-漏源极击穿电压 800V
Id-连续漏极电流 11A
FET类型 2个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 500mΩ(mΩ)
配置 -
栅极电荷 -
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

10N80L-T3P-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

10N80L-T3P-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 10N80L-T3P-T-VB 10N80L-T3P-T-VB数据手册

10N80L-T3P-T-VB封装设计

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