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06N06L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 960mW 2.5V@ 250µA 2.4nC@ 10 V 1个N沟道 60V 42mΩ@ 3A,10V 5.5A 765pF@30V SOT-23-3L 贴片安装
供应商型号: 06N06L SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) 06N06L

06N06L概述

    # 06N06L N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    06N06L 是一款由Goford Semiconductor制造的N通道增强模式功率MOSFET,适用于多种电子应用。这款MOSFET采用了先进的沟槽技术,具有极低的导通电阻(RDS(ON))和低栅极电荷,使其成为高效能开关的理想选择。它广泛应用于电源开关和DC/DC转换器等领域。

    技术参数


    以下是06N06L的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS 60 | V |
    | 持续漏极电流 | ID 5.5 | A |
    | 脉冲漏极电流(注1) | IDM 22 | A |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 ±20 | V |
    | 功耗 | PD 0.96 | W |
    | 工作结温和存储温度范围 | TJ, Tstg -55 至 150 | °C |
    | 热阻抗,结到环境 | RthJA | 130 °C/W |
    静态参数
    | 参数 | 符号 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 V |
    | 零栅源电压漏极电流 | IDSS | VDS = 60V, VGS = 0V 1 | μA |
    | 栅源泄漏电流 | IGSS | VGS = ±20V ±100 | nA |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | VDS = VGS, ID = 250μA | 1 | 1.7 | 2.5 | V |
    | 漏源导通电阻(注2) | RDS(on) | VGS = 10V, ID = 5A 36 | 45 | mΩ |
    | 漏源导通电阻(注3) | RDS(on) | VGS = 4.5V, ID = 3A 40 | 50 | mΩ |
    | 动态参数 |
    | 输入电容 | Ciss | VGS = 0V, VDS = 30V, f = 1.0MHz 765
    | 输出电容 | Coss 46 pF |
    | 反向转移电容 | Crss 40
    | 总栅极电荷 | Qg | VDD = 30V, ID = 5A, VGS = 10V 8.9
    | 栅源电荷 | Qgs 2.4 nC |
    | 栅极漏极电荷 | Qgd 1.4
    | 开启延迟时间 | td(on) | VDD = 30V, ID = 5A, RG = 3Ω 4.5 ns |
    | 开启上升时间 | tr 2.5
    | 关断延迟时间 | td(off) 14.5
    | 关断下降时间 | tf 3.5
    | 漏源体二极管连续电流 | IS | TC = 25°C 5.5 | A |
    | 体二极管电压 | VSD | TJ = 25°C, ISD = 5A, VGS = 0V 1.2 | V |

    产品特点和优势


    - 先进的沟槽技术:确保了极低的RDS(ON)和低栅极电荷,从而提高效率并减少损耗。
    - 宽泛的工作电压范围:最大漏源电压为60V,支持在多种应用场景下使用。
    - 高可靠性:100%雪崩测试保证了器件在恶劣环境下的稳定运行。
    - 环保合规:符合RoHS标准,有助于环保。

    应用案例和使用建议


    06N06L 在多个领域得到广泛应用,如电源开关和DC/DC转换器。例如,在一个电源转换器设计中,可以使用06N06L来实现高效的直流电转换。建议在使用时考虑散热设计,以防止过热导致性能下降。通过合理布局和添加散热片,可有效延长产品寿命。

    兼容性和支持


    - 封装形式:采用SOT-23-3L封装,具有良好的兼容性和通用性。
    - 包装方式:每卷3000个,方便生产和存储。
    - 技术支持:制造商提供详尽的技术文档和应用指南,确保用户能够充分利用产品的各项功能。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温保护未正常启动 | 检查散热设计是否合理,必要时增加散热片或改进风道设计。 |
    | 导通电阻异常高 | 确保正确设置栅极电压,检查电路连接是否有误。 |
    | 电流波动大 | 确认电源供应是否稳定,检查负载变化对电流的影响。 |

    总结和推荐


    06N06L是一款性能优异的N通道增强模式功率MOSFET,凭借其出色的导通电阻、低栅极电荷及高可靠性,适用于多种应用场合。其广泛的适用范围和良好的稳定性使其在市场上具备较强的竞争力。强烈推荐在电源管理和转换电路中使用此产品,以提升整体系统性能。

06N06L参数

参数
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 5.5A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
最大功率耗散 960mW
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 2.4nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@ 3A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 765pF@30V
配置 -
通用封装 SOT-23-3L
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

06N06L厂商介绍

GOFORD公司是一家高科技企业,专注于研发和生产高品质的工业自动化产品。公司主营产品包括但不限于传感器、控制器、执行器等,广泛应用于智能制造、机器人技术、自动化生产线等领域。

产品分类:
1. 传感器:包括光电传感器、接近传感器、力传感器等,用于检测物体位置、距离、压力等参数。
2. 控制器:如PLC、DCS等,用于实现工业过程的自动控制和管理。
3. 执行器:包括伺服电机、步进电机、气动元件等,用于驱动机械部件实现精确运动。

应用领域:
1. 智能制造:提高生产效率,降低人工成本。
2. 机器人技术:实现自动化搬运、装配等任务。
3. 自动化生产线:提高产品质量和生产效率。

GOFORD的优势:
1. 技术创新:拥有强大的研发团队,不断推出新技术和产品。
2. 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品性能稳定可靠。
3. 定制服务:根据客户需求提供个性化解决方案,满足不同应用场景。
4. 售后服务:提供全方位的技术支持和售后服务,确保客户无忧使用。

06N06L数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 06N06L 06N06L数据手册

06N06L封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.253
9000+ ¥ 0.2486
15000+ ¥ 0.242
48000+ ¥ 0.231
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起订量: 3000 增量: 3000
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