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06N06L

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 1个N沟道 耐压:60V 电流:5.5A
供应商型号: 06N06L SOT-23-3L
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) 06N06L

06N06L参数

参数 值
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 765pF@30V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 42mΩ@ 3A,10V
配置 -
栅极电荷 2.4nC@ 10 V
最大功率耗散 960mW
通道数量 -
Id-连续漏极电流 5.5A
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带装

06N06L厂商介绍

GOFORD 为消费、工业和汽车市场提供高品质功率MOSFET 半导体器件,包括MOSFET、SIC MOSFET、GAN MOSFET、IGBT。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 GOFORD/深圳谷峰电子 相关型号,如 06N06L、G2003A、18N20、5N60 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

06N06L数据手册

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GOFORD/深圳谷峰电子 场效应管(MOSFET) GOFORD/深圳谷峰电子 06N06L 06N06L数据手册

06N06L封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.253
9000+ ¥ 0.2486
15000+ ¥ 0.242
48000+ ¥ 0.231
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 759
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