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12N65L-TF1-T(CBQ)

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: 14M-12N65L-TF1-T(CBQ) TO-220F1
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
UTC/台湾友顺科技 场效应管(MOSFET) 12N65L-TF1-T(CBQ)

12N65L-TF1-T(CBQ)概述

    12N65 Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:12N65 是一款N沟道增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET)。
    主要功能:适用于高效开关电源。具有低导通电阻、超低栅极电荷、快速开关能力以及高能脉冲承受能力。
    应用领域:广泛应用于高效率开关电源、电机驱动、逆变器以及其他需要高性能功率转换的应用场景。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGSS | ±30 | - | ±30 | V |
    | 漏源击穿电压 | BVDSS | - | - | 650 | V |
    | 静态漏源导通电阻 | RDS(ON) | - | 0.85 | - | Ω |
    | 输入电容 | CISS | 1480 | - | 1900 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 200 | - | 270 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 25 | - | 35 | pF |
    | 开关总栅极电荷 | QG | 42 | - | 54 | nC |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:在 VGS = 10V、ID = 6.0A 时,RDS(ON) < 0.85Ω。
    - 超低栅极电荷:典型值为 42 nC,有助于减少驱动损耗。
    - 快速开关能力:典型的上升时间 tR 为 115 ns,下降时间 tF 为 85 ns。
    - 高可靠性:改进的 dv/dt 能力,高鲁棒性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:12N65 MOSFET 广泛应用于高效率开关电源系统中,如服务器电源、LED 驱动器、工业电源等。
    使用建议:
    - 在使用过程中,确保负载电流不超过最大值 12A,以避免过热和损坏。
    - 建议使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以保持良好的散热效果。
    - 注意不要超过绝对最大额定值,特别是栅源电压和漏源电压,以防止损坏。

    5. 兼容性和支持


    12N65 MOSFET 支持多种封装形式,包括 TO-220、TO-262 和 TO-263 等,便于不同应用需求的灵活选择。制造商提供全面的技术支持,包括产品选型、设计咨询和故障排除等服务。

    6. 常见问题与解决方案


    问题 1:MOSFET 过热导致失效。
    解决办法:增加散热措施,如散热片或风扇;减少工作电流,确保不超过最大电流限制。
    问题 2:栅极驱动电压不正确导致开关失效。
    解决办法:确保栅极驱动电压正确且稳定,避免过高或过低导致损坏。
    问题 3:栅源电压超出绝对最大额定值。
    解决办法:使用稳压电路确保栅源电压在安全范围内,避免对器件造成永久性损害。

    7. 总结和推荐


    综合评估:12N65 MOSFET 在低导通电阻、快速开关能力和高可靠性方面表现出色,适用于各种高效率开关电源应用。其广泛的应用范围和强大的性能使其在市场上具有很高的竞争力。
    推荐使用:强烈推荐使用 12N65 MOSFET 在高效率电源系统中,尤其是对于需要高性能和可靠性的应用场景。

12N65L-TF1-T(CBQ)参数

参数
通道数量 -
FET类型 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 -
Vds-漏源极击穿电压 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 TO-220F1

12N65L-TF1-T(CBQ)数据手册

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12N65L-TF1-T(CBQ)封装设计

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