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10N65L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,650V,10A,RDS(ON),830mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V)封装:TO220适用于车载充电机、太阳能逆变器、工业电源与适配器等。
供应商型号: 10N65L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 10N65L-TF3-T-VB

10N65L-TF3-T-VB概述


    产品简介


    10N65L-TF3-T-VB Power MOSFET
    10N65L-TF3-T-VB 是一种高压 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由台湾 VBsemi 电子有限公司生产。它被广泛应用于服务器和电信电源供应系统、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)以及各种照明和工业设备中。这款 MOSFET 具有出色的开关性能和低导通电阻,使其成为高效能应用的理想选择。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 最大漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} = 10 \) V, \( ID = 4 \) A): 0.40 Ω
    - 最大连续漏极电流 \( ID \)(\( TJ = 150 \) °C, \( V{GS} = 10 \) V): 57 A
    - 最大脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 250 A
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \): 2 - 4 V
    - 电气特性:
    - 输入电容 \( C{iss} \): < 200 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): < 50 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): < 5 pF
    - 有效输出电容 \( C{o(tr)} \): < 100 pF
    - 总栅极电荷 \( Qg \): < 35 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): < 20 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): < 17 nC
    - 工作环境:
    - 结温范围 \( TJ, T{stg} \): -55°C 至 +150°C
    - 最高结到环境热阻 \( R{thJA} \): 63°C/W
    - 最高结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 0.6°C/W

    产品特点和优势


    - 低损耗:
    - 低开关损耗和传导损耗
    - 极低的门极电荷 \( Qg \)
    - 高可靠性:
    - 雪崩能量等级 \( E{AS} \): 97 mJ
    - 绝对最大额定值下可靠的单脉冲雪崩能力
    - 高性能:
    - 优异的门极输入电阻 \( Rg \)
    - 门限电压 \( V{GS(th)} \) 范围宽泛,适用于多种驱动电路

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 服务器和电信电源供应系统:
    - 由于其低导通电阻和高可靠性,10N65L-TF3-T-VB 在这些高要求的应用中表现卓越。
    2. 工业照明系统:
    - 适合用于 HID 灯具和荧光灯系统的驱动电路,确保高效的照明效果。
    使用建议:
    - 散热设计:
    - 设计时应考虑良好的散热方案,如增加散热片或采用强迫风冷,以保持温度在安全范围内。
    - 驱动电路:
    - 选择合适的驱动电阻 \( Rg \),以降低开关时间,减少损耗。
    - 布局设计:
    - 尽量减少引线的长度和感应电感,以提高整体性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 10N65L-TF3-T-VB 适用于现有的多种驱动器和控制器,无需进行大规模的硬件改动。
    - 厂商支持:
    - VBsemi 提供详尽的技术文档和在线支持,包括产品规格书和技术问答,帮助客户解决应用过程中的问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 降低开关频率或优化散热设计,增加外部散热器。
    - 问题 2: 电路板上出现高温现象。
    - 解决方案: 改进 PCB 布局,优化走线和散热路径,确保良好的空气流通。
    - 问题 3: 开关过程中出现振铃现象。
    - 解决方案: 在门极回路中添加 RC 滤波器,以减少振铃。

    总结和推荐


    10N65L-TF3-T-VB MOSFET 是一款非常优秀的高压 MOSFET,具有出色的开关性能、低导通电阻和高可靠性。适用于多种高压应用场景,特别适合需要高效能和高可靠性的工业和商业领域。经过全面测试和严格验证,该产品展示了卓越的性能和耐用性。我们强烈推荐将 10N65L-TF3-T-VB MOSFET 用于需要高性能电源管理的场合。如果您有任何疑问或需要进一步的支持,可以随时联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多信息。

10N65L-TF3-T-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 830mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.36V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

10N65L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

10N65L-TF3-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 10N65L-TF3-T-VB 10N65L-TF3-T-VB数据手册

10N65L-TF3-T-VB封装设计

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500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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