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04N80C3-VB TO220F

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO220F;N沟道;VDS=850V;ID =10A;RDS(ON)=1150mΩ@VGS=10V;VGS=±30V;Vth=3.3V;可用于工业自动化设备中的电源开关和驱动电路,如电机控制、机器人系统和自动化生产线等。
供应商型号: 04N80C3-VB TO220F TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 04N80C3-VB TO220F

04N80C3-VB TO220F概述


    产品简介


    产品名称: 4N80C3-VB MOSFET
    产品类型: N-Channel MOSFET(电子场效应晶体管)
    主要功能:
    - 高效率开关
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 优异的动态性能
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明(高强放电灯、荧光灯镇流器)
    - 工业应用

    技术参数


    - 最大栅源电压 (VGS): ±30V
    - 最大漏源电压 (VDS): 850V
    - 连续漏极电流 (TJ = 150 °C): 10A
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 按温度线性递减因子 3.2 W/°C
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 2.3mJ
    - 最大功耗 (PD): 140W
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 到 +150°C
    - 最大结到环境热阻 (RthJA): 60°C/W
    - 典型栅漏电荷 (Qg): 43nC
    - 有效输出电容(时间相关) (Co(tr)): 213pF
    - 门极输入电阻 (Rg): 3.5Ω

    产品特点和优势


    - 低品质因数 (FOM): RON x Qg 低,有助于减少功率损耗
    - 低输入电容 (Ciss): 减少开关损耗
    - 超低栅极电荷 (Qg): 改善开关速度
    - 雪崩能量等级 (UIS): 在极端工作条件下具有良好的可靠性
    这些特性使4N80C3-VB MOSFET成为高性能电源转换应用的理想选择,尤其适用于需要高效率和可靠性的工业和通信应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电信电源供应: 用于电信设备中的高效率电源转换。
    - 服务器电源供应: 为服务器提供稳定的电力供应,确保设备正常运行。
    使用建议:
    - 散热管理: 使用时需注意散热,因为其最大功耗较高,避免过热影响性能。
    - 驱动电路设计: 确保驱动电路满足栅极电荷要求,以达到最佳开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 4N80C3-VB MOSFET采用TO-220FULLPAK封装,易于与其他标准组件集成。
    - 支持和维护: 厂商提供全面的技术支持和维护服务,包括产品手册、技术文档及在线技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 问: 为何产品发热严重?
    - 答: 确保散热良好,检查驱动电路是否合适,避免工作在超过额定功率的状态下。
    2. 问: 为什么栅极电流不稳定?
    - 答: 确认驱动电路和栅极电容值正确,避免噪声干扰,确保栅极电阻合适。
    3. 问: 产品是否适合恶劣环境下使用?
    - 答: 是的,4N80C3-VB MOSFET能够在宽广的工作温度范围内工作,适合工业应用。

    总结和推荐


    总体评估:
    4N80C3-VB MOSFET凭借其出色的动态性能、低损耗特性和广泛的应用范围,在高效率电源转换应用中表现出色。其紧凑的设计和优良的热稳定性使其成为服务器、电信系统及工业设备的理想选择。
    推荐意见:
    强烈推荐使用4N80C3-VB MOSFET,尤其是对于需要高可靠性和高效能的场合。其优越的性能使其成为电源转换领域的理想选择。

04N80C3-VB TO220F参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.3V
FET类型 2个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.15Ω(mΩ)
Vds-漏源极击穿电压 850V
配置 -
Id-连续漏极电流 10A
长*宽*高 30mm*10.6mm*4.7mm
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

04N80C3-VB TO220F厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

04N80C3-VB TO220F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 04N80C3-VB TO220F 04N80C3-VB TO220F数据手册

04N80C3-VB TO220F封装设计

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