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06N60E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 06N60E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 06N60E-VB

06N60E-VB概述

    # VBsemi 06N60E N-Channel Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    VBsemi 的 06N60E 是一款高性能 N-Channel Power MOSFET(功率场效应晶体管),专为高压应用设计。它具有低导通电阻(RDS(on))和极低的门极电荷(Qg),能够显著降低开关损耗和传导损耗。该器件广泛应用于服务器和通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源和照明系统等领域。
    主要功能
    - 低门极电荷(Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 低静态导通电阻(RDS(on))
    - 高重复脉冲雪崩能量额定值(UIS)
    应用领域
    - 服务器和通信电源
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明(高亮度放电灯(HID)、荧光灯镇流器)
    - 工业

    技术参数


    以下是 VBsemi 06N60E 的关键技术和电气参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS 650 V |
    | 阈值电压(门极-源极) | VGS(th) | 2.5 5 | V |
    | 门极-源极泄漏电流 | IGSS ±100 | nA |
    | 最大连续漏极电流 | ID 4 | A |
    | 雪崩能量额定值 | EAS | 97 mJ |
    | 热阻 | RthJA 63 °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    动态参数:
    - 总门极电荷 (Qg): 32 nC
    - 门极-源极电荷 (Qgs): 3.7 nC
    - 门极-漏极电荷 (Qgd): 3.8 nC
    其他参数请参考附录中的典型特性图。

    产品特点和优势


    独特功能
    1. 低导通损耗和开关损耗:得益于其极低的 RDS(on) 和 Qg 值,能够显著减少能耗。
    2. 高可靠性:通过严格的测试验证其在高温和高压下的耐用性。
    3. 快速开关性能:适合高频开关应用。
    市场竞争力
    VBsemi 06N60E 在同类功率 MOSFET 中处于领先地位,以其卓越的性能、可靠的热管理和高能效脱颖而出,适用于多种高压和高频应用领域。

    应用案例和使用建议


    实际应用案例
    - 服务器电源:06N60E 可用于高效率电源转换,提升整体能效。
    - 照明系统:如 HID 和荧光灯镇流器,可实现更稳定的电压调节。
    使用建议
    1. 散热管理:确保良好的散热设计以维持长期稳定运行。
    2. 驱动电路优化:适当调整门极驱动电阻以平衡开关速度和功耗。
    3. 布局优化:减小寄生电感和电容的影响,提高系统抗干扰能力。

    兼容性和支持


    兼容性
    06N60E 可与大多数标准电源模块和控制器兼容,便于集成到现有设计中。
    支持
    VBsemi 提供全面的技术支持,包括样品请求、设计咨询和售后服务。同时,公司承诺提供符合 RoHS 和无卤素标准的产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 减少门极电荷 Qg |
    | 散热不足 | 增加散热片或改进 PCB 设计 |
    | 寿命短 | 确保符合工作温度范围 |

    总结和推荐


    综合评估
    VBsemi 06N60E 是一款高效、可靠且广泛应用的 N-Channel Power MOSFET。其低导通电阻、低门极电荷和高雪崩能量额定值使其成为高压应用的理想选择。
    推荐结论
    我们强烈推荐 VBsemi 06N60E 用于需要高性能、高可靠性的高压电源转换和控制应用中。其优异的性价比和技术支持使其成为市场上的首选之一。
    服务热线:400-655-8788
    官方网站:[www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com)

    此文档旨在为工程师和技术人员提供全面的信息,帮助他们在设计和选型过程中做出明智的选择。

06N60E-VB参数

参数 值
Id-连续漏极电流 7A
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

06N60E-VB厂商介绍

VBsemi是深圳市微碧半导体有限公司旗下品牌,成立于2003年,专注于MOSFET的设计、生产和销售,产品包括MOSFET、IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT,应用于工业自动化、新能源、绿色照明及消费电子等领域。

在云汉芯城,用户可通过完整 MPN、产品类别或 BOM 查询 VBsemi/微碧半导体 相关型号,如 BSS84LT1G、IRF4905PBF、IRLML2502TRPBF、FDD4141 等,并进一步核对 datasheet、库存、MOQ/SPQ、交期、合规文件需求和可替代型号信息。

【采购提示】型号规格请以 datasheet 为准;库存、价格、MOQ/SPQ 和交期请以实时查询、RFQ 回复或销售确认为准。

06N60E-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 06N60E-VB 06N60E-VB数据手册

06N60E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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