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05N50E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: 05N50E-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 05N50E-VB

05N50E-VB概述


    产品简介


    产品名称:Power MOSFET 05N50E
    产品类型:N-Channel MOSFET
    主要功能:该产品作为一款N-Channel MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管),具备高集成度和低功耗的特点,适用于多种高压电力转换和开关电源应用。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应系统
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正(PFC)电源供应
    - 照明(包括高强度放电灯和荧光灯镇流器)
    - 工业领域

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: | :: | :: |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±30 V |
    | 漏极-源极电压 | VDS 650 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS 97 | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 +150 | °C |

    产品特点和优势


    特点:
    - 低品质因数(Ron x Qg)
    - 低输入电容(Ciss)
    - 减少开关和导通损耗
    - 极低栅极电荷(Qg)
    - 雪崩能量评级(UIS)
    优势:
    - 在开关电源和高压电力转换系统中表现出色
    - 减少整体系统的能耗,提升效率
    - 适合各种工业应用,尤其是在电力供应和照明领域具有广泛应用前景

    应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 用于服务器和电信电源供应系统的高效电源转换
    - 在工业控制系统中用于电动机驱动和逆变器
    - 在汽车电子系统中作为直流到交流变换器的关键部件
    使用建议:
    - 为了确保最佳性能,在使用过程中应避免超过最大额定值的电压和电流。
    - 建议使用适当的散热措施,如散热片或风扇,以降低温度并延长使用寿命。
    - 在电路设计时,应注意减少寄生电感,以提高系统的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 与现有主流的PCB板和相关组件高度兼容,便于集成到现有的电子系统中。
    - 通过标准的TO-220 FULLPAK封装方式,方便在生产线上进行装配和焊接。
    支持:
    - 供应商提供详尽的技术文档和技术支持,包括安装指南、测试方法及故障排除手册。
    - 如有需要,可以联系供应商获取定制化技术支持和服务。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 启动时电流不稳定
    - 解决方案:检查外部栅极电阻(Rg)是否正确设置,确保驱动信号的频率和幅度合适。
    2. 过热保护激活
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,如增加散热片或改善空气流通。
    3. 开关速度慢
    - 解决方案:减小栅极电阻(Rg),并确保驱动电路有足够的电流能力。

    总结和推荐


    总结:
    - 05N50E是一款高性能的N-Channel MOSFET,具备低导通电阻和低栅极电荷等关键特性。
    - 它特别适用于高压电力转换系统,能够有效降低能耗,提升整体系统效率。
    推荐:
    - 强烈推荐在服务器和电信电源供应系统、开关电源以及照明等领域使用此产品。
    - 用户应根据具体应用场景选择合适的散热措施和驱动电路,以充分发挥其性能优势。

05N50E-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 7A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

05N50E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

05N50E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 05N50E-VB 05N50E-VB数据手册

05N50E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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