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18T10GH-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: 18T10GH-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 18T10GH-VB

18T10GH-VB概述


    产品简介


    N-Channel 100V MOSFET是一款高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。该器件采用TrenchFET技术制造,具有耐高温能力和良好的开关性能。该MOSFET适用于多种应用场合,如初级侧开关、电源管理、电动工具等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 100 V |
    | 栅阈值电压 | VGS(th) 2.0 | 4.0 | V |
    | 栅源漏电流 | IDSS | 1 50 | µA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.018 | 0.03 | 0.140 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 950 1400 | pF |
    | 输出电容 | Coss | 120 220 | pF |
    | 逆向传输电容 | Crss | 60 100 | pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 24 | 32 | 41 | nC |
    | 栅极-源极电荷 | Qgs | 8 12 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | 12 20 | nC |
    | 转换时间 | td(on) | 15 | 20 | 25 | ns |
    | 上升时间 | tr | 50 | 60 | 75 | ns |
    | 关断延迟时间 | td(off) | 30 | 40 | 45 | ns |
    | 下降时间 | tf | 60 | 70 | 90 | ns |

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:提高了效率并降低了导通电阻。
    2. 高温度稳定性:最高工作温度可达175°C,适用于高温环境。
    3. 优化PWM操作:针对脉宽调制(PWM)进行了优化,适合用于各种开关模式电源。
    4. 全检Rg测试:确保产品质量和可靠性。
    5. 符合RoHS标准:对环境友好,适用于各类绿色电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    N-Channel 100V MOSFET可用于各种电力系统中的开关转换,例如电源适配器、电机驱动、LED照明、以及电动汽车充电站中的开关转换器。由于其高可靠性及良好的开关性能,使得该器件在这些应用场景中表现出色。
    使用建议
    1. 散热设计:考虑到其最大功耗为96W,使用时需注意散热设计,以避免因过热导致损坏。
    2. 电路布局:在PCB设计中,尽量缩短MOSFET与电容、电感之间的走线,以减少寄生电感的影响。
    3. 负载匹配:根据手册中的SOA曲线选择合适的电压等级,避免在过高电压下运行导致器件损坏。

    兼容性和支持


    该器件采用了常见的TO-252封装,易于安装和焊接,且广泛适用于不同的PCB布局。VBsemi公司提供完善的客户支持服务,包括技术支持、产品手册、样本寄送及售后服务等。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备启动时发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否充分,重新评估散热设计,增加散热片或风扇。

    2. 问题:电源输出不稳定。
    - 解决方案:检查输入电压是否稳定,确保输入端有足够的滤波电容。另外,检查是否遵循了正确的门极驱动设计规范。
    3. 问题:工作温度范围受限。
    - 解决方案:确保设备在手册规定的-55°C到175°C的范围内使用。如果需要超出该范围,请联系VBsemi获取专业建议。

    总结和推荐


    综上所述,N-Channel 100V MOSFET具备优异的性能指标和广泛应用潜力。其高温度稳定性、良好的开关性能和高效的能量转换能力使其成为电力电子系统中不可或缺的关键部件。如果你正在寻找一个适用于严苛环境下的高性能MOSFET,强烈推荐选择这款产品。

18T10GH-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

18T10GH-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

18T10GH-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 18T10GH-VB 18T10GH-VB数据手册

18T10GH-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
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型号 价格(含增值税)
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