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19N10G-T3P-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。TO247;VDS=100V;ID =85A;RDS(ON)=35mΩ@VGS=10V;VGS=±20V;Vth=1.8V;一款高性能的单通道N沟道场效应管,适用于电力电子模块、电动车充电器、工业自动化设备、电能存储系统等多种领域和模块,可为各种电力电子应用提供稳定、高效的功率控制和驱动功能。
供应商型号: 19N10G-T3P-T-VB TO247
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 19N10G-T3P-T-VB

19N10G-T3P-T-VB概述


    产品简介


    产品类型及功能
    N-Channel 100-V MOSFET 是一款高性能的场效应晶体管(FET),专为隔离式直流-直流转换器设计。它采用先进的TrenchFET®工艺,提供了卓越的电气性能和高可靠性。
    应用领域
    该产品广泛应用于隔离式直流-直流转换器、电源管理和控制电路等领域。由于其优异的热稳定性和低导通电阻,适用于各种高功率应用场合。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 导通电阻 rDS(on) | - | 0.035 | - | Ω |
    | 源极-漏极击穿电压 V(BR)DSS | 100 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 VGS(th) | - | 4.0 | - | V |
    | 零栅压漏电流 IDSS | - | 1.0 | - | μA |
    | 最大栅源电压 VGS | ± 20 | - | ± 20 | V |
    | 最大连续漏极电流 ID | - | - | 150 | A |
    | 最大脉冲漏极电流 IDM | - | - | 375 | W |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:能够在极端温度条件下(-55°C至175°C)正常工作。
    - 低热阻封装:采用先进的封装技术,确保热量迅速传导,延长使用寿命。
    - 卓越的开关性能:快速的开关时间和低栅极电荷,提高效率。
    - 100% RG测试:出厂前通过全面的RG测试,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    在隔离式直流-直流转换器中,该MOSFET可以有效降低损耗,提高转换效率。例如,在一些电信设备中,使用该MOSFET可以显著提升电源模块的性能和可靠性。
    使用建议
    1. 散热管理:确保良好的散热设计,避免过热导致的性能下降。
    2. 电压范围:注意工作电压范围,避免超出额定值导致损坏。
    3. 驱动电路:选用合适的驱动电路,以实现最优的开关性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品可与其他主流控制器和驱动器兼容,如TI公司的控制器系列。
    - 技术支持:VBsemi提供详尽的技术文档和支持服务,确保用户能够顺利集成到现有系统中。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题
    - 解决办法:增加散热片或改善散热结构,确保良好的空气流通。
    2. 驱动电路失效
    - 解决办法:检查驱动电路的连接是否正确,适当调整驱动信号频率和占空比。
    3. 漏电流过大
    - 解决办法:检查电路板上的噪声水平,必要时加装滤波电容。

    总结和推荐


    综合评估
    该N-Channel 100-V MOSFET具备出色的导通性能、可靠的高温工作能力和优秀的热稳定性,非常适合高功率应用。其紧凑的设计和广泛的工作温度范围使其在多种工业应用中表现出色。
    推荐使用
    基于上述性能和优势,强烈推荐该产品用于高功率应用场合,特别是在隔离式直流-直流转换器和其他需要高效、可靠电源管理的场景中。

19N10G-T3P-T-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 35mΩ(mΩ)
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 -
Id-连续漏极电流 85A
FET类型 2个N沟道
长*宽*高 41.3mm*16.1mm*5.2mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

19N10G-T3P-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

19N10G-T3P-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 19N10G-T3P-T-VB 19N10G-T3P-T-VB数据手册

19N10G-T3P-T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 7.7739
100+ ¥ 7.1981
500+ ¥ 6.6223
900+ ¥ 6.3343
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型号 价格(含增值税)
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