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SIHJ7N65E-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 96W(Tc) 30V 4V@ 250µA 44nC@ 10 V 1个N沟道 650V 598mΩ@ 3.5A,10V 7.9A 820pF@100V 贴片安装 6.15mm*5.13mm*1.04mm
供应商型号: 78-SIHJ7N65E-T1-GE3
供应商: Mouser
标准整包数: 1
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) SIHJ7N65E-T1-GE3

SIHJ7N65E-T1-GE3概述

    Vishay Siliconix SiHJ7N65E 技术手册概述

    产品简介


    SiHJ7N65E 是 Vishay Siliconix 生产的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种电子元器件具有低导通电阻和极低的栅极电荷特性,适用于多种电力转换和驱动应用。具体来说,SiHJ7N65E 可广泛应用于开关电源(SMPS)、反激变换器以及各类照明系统中,如高强度放电灯(HID)和荧光灯球泡驱动器。此外,它还被用于消费电子产品中的墙壁适配器中。

    技术参数


    - 最大额定电压(VDS):650V
    - 典型导通电阻(RDS(on)):0.520Ω(在 VGS=10V, TJ=25°C)
    - 最大栅源充电量(Qg):44nC
    - 最大连续漏电流(ID):7.9A(在 TJ=25°C),在 100°C 下降为 5.0A
    - 最大瞬态漏电流(IDM):17A
    - 最大雪崩能量(EAS):68mJ
    - 最大耗散功率(PD):96W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 到 +150°C
    - 热阻抗(RthJA):52°C/W
    - 热阻抗(RthJC):1.0°C/W

    产品特点和优势


    SiHJ7N65E 具备低导通电阻和极低的栅极电荷,这显著降低了开关和传导损耗。它的低输入电容(Ciss)进一步优化了开关性能。通过优化栅极充电和导通延迟时间,这款 MOSFET 在高效率应用中表现出色。另外,它的雪崩能力确保了可靠的高温工作环境。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源(SMPS):SiHJ7N65E 的低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于高效电源转换。
    - 飞回式变换器(Flyback Converter):在电源设计中,它可以减少功耗并提高效率。
    - 高亮度放电灯(HID)和荧光灯球泡:这些需要稳定的驱动电路,SiHJ7N65E 的高可靠性是不可或缺的。
    使用建议:
    - 确保在电路设计中充分考虑散热,以避免过热现象。
    - 在高频率切换应用中,优化 PCB 布局,以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    - SiHJ7N65E 的 PowerPAK SO-8L 封装使其易于与其他标准封装的电子元件兼容。
    - Vishay Siliconix 提供详尽的技术文档和客户支持,帮助用户解决任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题:高电流导致器件过热。
    - 解决方法:增加散热措施,例如使用大尺寸散热片或增加对流冷却。
    - 问题:开关损耗过高。
    - 解决方法:选择合适的驱动电阻值,优化电路布局,以减少寄生电感的影响。


    总结和推荐


    SiHJ7N65E 凭借其优异的导通电阻和低栅极电荷特性,在多种电力转换应用中表现卓越。它不仅具备出色的性能,而且通过合理的设计能够满足严格的散热要求。综上所述,这款 MOSFET 非常适合于那些需要高效率、低功耗且稳定可靠的电力应用场合。强烈推荐用于电源管理和控制领域。

SIHJ7N65E-T1-GE3参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 820pF@100V
通道数量 1
最大功率耗散 96W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 598mΩ@ 3.5A,10V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 44nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 7.9A
FET类型 1个N沟道
长*宽*高 6.15mm*5.13mm*1.04mm
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

SIHJ7N65E-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

SIHJ7N65E-T1-GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY SIHJ7N65E-T1-GE3 SIHJ7N65E-T1-GE3数据手册

SIHJ7N65E-T1-GE3封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 3.082 ¥ 26.0429
10+ $ 2.3575 ¥ 19.9209
100+ $ 1.7712 ¥ 14.9666
500+ $ 1.4796 ¥ 12.5026
1000+ $ 1.2744 ¥ 10.7687
3000+ $ 1.0815 ¥ 9.1387
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