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TP0610K-T1-GE3

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 185 mA, SOT-23封装, 表面贴装, 3引脚
供应商型号: 31M-TP0610K-T1-GE3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) TP0610K-T1-GE3

TP0610K-T1-GE3概述

    Vishay Siliconix TP0610K:一款高性能P沟道60V MOSFET

    产品简介


    TP0610K 是一款由Vishay Siliconix公司生产的P沟道60V(D-S)功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的TrenchFET技术制造,主要适用于高侧开关应用。TP0610K在多个应用领域表现出色,如驱动继电器、电磁铁、灯泡、冲击器、显示器、存储器和晶体管等。

    技术参数


    | 参数 | 规格 | 备注 |
    |
    | 漏源电压 \( V{DS} \) | -60 V | 额定值 |
    | 栅源电压 \( V{GS} \) | ±20 V | 额定值 |
    | 持续漏电流 \( ID \) (TA=25°C) | -185 mA | 额定值 |
    | 脉冲漏电流 \( I{DM} \) | -800 mA | 额定值 |
    | 功耗 \( PD \) (TA=25°C) | 350 mW | 额定值 |
    | 最大结到环境热阻 \( R{thJA} \) | 350 °C/W | 额定值 |
    | 工作结温和存储温度范围 \( TJ, T{stg} \) | -55 to 150 °C
    其他性能参数如下:
    - 突破电压 \( V{DS} \):60 V
    - 栅阈电压 \( V{GS(th)} \):-1 to -3 V
    - 零栅电压漏电流 \( I{DSS} \):-25 mA
    - 导通电阻 \( R{DS(on)} \):6 Ω (VGS=-10 V, ID=-500 mA)
    - 前向转移电导 \( g{fs} \):80 mS
    - 输入电容 \( C{iss} \):23 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \):10 pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \):5 pF
    - 总栅电荷 \( Qg \):1.7 nC

    产品特点和优势


    TP0610K 的独特之处在于其低导通电阻(6 Ω)、低阈值电压(-2 V)和快速开关速度(20 ns),使其成为高侧开关应用的理想选择。它还具有2000 V ESD保护能力,符合RoHS指令。此外,其低输入电容(20 pF)有助于实现高速电路设计。它的易用性和紧凑的尺寸也使其在市场上具有很强的竞争力。

    应用案例和使用建议


    TP0610K 主要应用于电池供电系统、电源转换电路和固态继电器等场合。根据手册,以下是一些实际应用案例和建议:
    - 在高侧开关电路中,由于其低导通电阻,可以减少功耗并提高效率。
    - 在需要快速响应的应用中,如显示器和存储器控制,TP0610K 的快速开关速度可提供更好的性能。
    - 对于电池供电系统,TP0610K 的低功耗特性有助于延长电池寿命。
    建议在安装时确保良好的散热设计,以避免过热。特别是,在高温环境下,建议增加外部散热片以改善热管理。

    兼容性和支持


    TP0610K 具有良好的兼容性,可以轻松集成到现有系统中。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括热阻图表和推荐的PCB布局。这些资料可以帮助工程师更好地理解产品特性和优化系统设计。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下运行时性能下降
    - 解决方案:确保良好的散热设计,如增加外部散热片,并参考热阻图表进行优化。
    2. 问题:产品出现不稳定的工作状态
    - 解决方案:检查接线和电路连接,确保正确的电源电压和驱动信号。
    3. 问题:产品不能正常开关
    - 解决方案:确认驱动电路的设计和参数设置,特别是在快速切换情况下,可能需要考虑驱动电阻和栅极电荷的影响。

    总结和推荐


    综上所述,TP0610K是一款性能卓越的P沟道60V MOSFET。它在低导通电阻、快速开关速度和低输入电容方面表现出色,非常适合高侧开关、电池供电系统和电源转换电路等应用。其广泛的兼容性和良好的技术支持使得TP0610K成为设计师的优选。强烈推荐此产品用于需要高效、可靠和快速响应的应用场合。

TP0610K-T1-GE3参数

参数
Id-连续漏极电流 185mA
配置 -
FET类型 1个P沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 23pF@25V
栅极电荷 1.7nC@ 15 V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 350mW(Ta)
Rds(On)-漏源导通电阻 6Ω@ 500mA,10V
3.04mm(Max)
1.4mm(Max)
1.12mm(Max)
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

TP0610K-T1-GE3厂商介绍

Vishay Intertechnology是一家全球领先的电子元件制造商,专注于研发、制造和销售各种高性能电子元件。公司成立于1962年,总部位于美国宾夕法尼亚州的马尔文,在全球拥有多个生产基地和研发中心。

Vishay Intertechnology的产品主要分为以下几类:
1. 分立元件:包括二极管、晶体管、MOSFET等。
2. 被动元件:包括电阻、电容器、电感等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度等传感器。
4. 保护元件:包括保险丝、浪涌保护器等。

这些产品广泛应用于汽车、工业、医疗、通信、消费电子等领域。Vishay Intertechnology的优势在于:
1. 技术创新:公司不断研发新技术和新产品,以满足市场需求。
2. 质量控制:公司严格遵循ISO等国际质量标准,确保产品质量。
3. 客户服务:公司提供全方位的技术支持和定制化服务,以满足客户的个性化需求。
4. 全球布局:公司在全球设有多个生产基地和研发中心,可以快速响应客户需求。

TP0610K-T1-GE3数据手册

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VISHAY INTERTECHNOLOGY 场效应管(MOSFET) VISHAY INTERTECHNOLOGY TP0610K-T1-GE3 TP0610K-T1-GE3数据手册

TP0610K-T1-GE3封装设计

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50+ ¥ 0.3179
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3000+ ¥ 0.2221
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