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10N50L-TF1-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F 一款Single N场效应管,具有适中的漏极电流(ID)和漏极-源极电压(VDS),适用于低至中功率电源模块、工业电机驱动模块。
供应商型号: 10N50L-TF1-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 10N50L-TF1-T-VB

10N50L-TF1-T-VB概述

    产品概述:N-Channel 550V 功率 MOSFET

    产品简介


    N-Channel 550V(D-S)功率 MOSFET 是一种高效的晶体管,适用于多种应用场合。这种 MOSFET 集成了高可靠性与低损耗的特点,使其成为消费电子、工业控制和电源管理领域的理想选择。它具有低区域特定导通电阻、低输入电容和快开关速度,非常适合用于服务器和电信电源供应系统中的 SMPS 和功率因数校正(PFC)应用。

    技术参数


    以下是 N-Channel 550V 功率 MOSFET 的技术规格和关键性能参数:
    - VDS (漏源电压): 550V
    - RDS(on) (导通电阻) @ 25°C, VGS=10V: 0.26Ω
    - Qg (总栅极电荷): 80-150nC
    - Qgs (栅源电荷): 12nC
    - Qgd (栅漏电荷): 25nC
    - 最大脉冲漏电流: 56A
    - 最大单次脉冲雪崩能量: 281mJ
    - 最大功耗: 60W
    - 最大结温与存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 热阻: 最大结到环境热阻 40°C/W,最大结到外壳热阻 0.45°C/W

    产品特点和优势


    这款 MOSFET 的主要优势包括:
    - 低面积特定导通电阻: 减少了导通时的能量损失,提高效率。
    - 低输入电容: 减少了开关过程中的电容效应,从而减少开关损耗。
    - 高体二极管鲁棒性: 支持重复性的雷击和浪涌保护。
    - 简单门驱动电路: 简化了电路设计,降低了成本。
    - 低优值系数 (FOM): 在同等条件下,能更有效地降低导通电阻和栅极电荷的乘积,提升整体效率。
    - 快速开关能力: 适应高频应用需求,如SMPS和PFC。

    应用案例和使用建议


    N-Channel 550V 功率 MOSFET 可广泛应用于多个领域:
    - 消费电子: 适用于显示设备(如LCD或等离子电视)。
    - 工业应用: 用于焊接、感应加热、电机驱动等设备。
    - 电池充电器: 支持高效的电池充电过程。
    - 电源管理: 在服务器和电信设备的电源供应系统中作为SMPS,进行功率因数校正。
    使用建议:
    - 在高频应用中应注意散热,确保在规定的工作温度范围内使用。
    - 对于反复高电流的应用,需特别注意过流保护设计。

    兼容性和支持


    该 MOSFET 与其他标准电子元件兼容,例如可以搭配常见的驱动芯片和电路板设计。制造商提供了详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),用户在使用过程中遇到任何问题都可以及时咨询和获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关时间不稳定。
    - 解决办法: 确保栅极电阻值合适,必要时调整驱动电路的设计。
    - 问题: 漏电流过大。
    - 解决办法: 检查是否存在短路或过压情况,必要时增加外部滤波器。
    - 问题: 导通电阻变化大。
    - 解决办法: 确认环境温度是否稳定,必要时采取额外散热措施。

    总结和推荐


    N-Channel 550V 功率 MOSFET 是一款高性能的产品,在多个应用领域表现优异。它的低损耗、高效率、简单的设计和广泛的适用性使它在市场上具备强大的竞争力。对于需要高性能电源管理和低损耗转换的应用来说,推荐选用这款产品。

10N50L-TF1-T-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 550V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

10N50L-TF1-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

10N50L-TF1-T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 10N50L-TF1-T-VB 10N50L-TF1-T-VB数据手册

10N50L-TF1-T-VB封装设计

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